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公开(公告)号：CN119068969B
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202411562190.6
申请日：2024-11-05
Applicant: 湖北长江万润半导体技术有限公司
IPC: G11C29/56
Abstract: 本发明公开了一种基于闪存弱页的闪存芯片快速测试方法，包括以下步骤：1）通过闪存测试设备读取闪存指定Block的信息，所述信息包括：Block的总页数；2）在指定的Block内查找该Block的闪存弱页；3）根据查找的闪存弱页，评估闪存芯片的可靠性。本发明提出了基于快速查找闪存弱页的闪存测试流程及方法，该方法只需要对需要测试的闪存弱页状况进行读取即可通过闪存弱页的错误比特翻转数精准高效评估整个闪存的品质，在量产测试中可大幅减少闪存测试时间，提高闪存筛选的量产测试效率。
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公开(公告)号：CN119068968A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202411562189.3
申请日：2024-11-05
Applicant: 湖北长江万润半导体技术有限公司
IPC: G11C29/56
Abstract: 本发明公开了一种基于查找闪存弱页及分布类型的闪存快速测试方法，包括以下步骤：1）读取闪存指定Block的配置信息；2）在指定的Block内在页首、页中及页尾三个位置对应的区域进行读取，在没有擦写条件下，记录页首、页中、页尾每个区域对应的Page页的错误比特翻转数目；3）根据页首、页中、页尾每个区域对应的Page页的错误比特翻转数目，确定指定的Block内闪存弱页的分布类型以及对应区域中的闪存弱页位置；4）根据指定的Block内闪存弱页的分布类型以及对应区域中的闪存弱页位置，实时监测闪存弱页快速评估整个闪存芯片的可靠性。本发明通过闪存弱页及分布特性来表征闪存芯片品质及可靠性，仅仅只需要监控闪存弱页状况即可高效评估整个闪存的品质。
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公开(公告)号：CN117032593B
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311294472.8
申请日：2023-10-09
Applicant: 湖北长江万润半导体技术有限公司
IPC: G06F3/06 , G06F16/9035 , G06F16/906
Abstract: 本发明公开了一种利用G峰宽度快速筛选闪存的方法、系统与存储介质，包括：将待筛选的闪存颗粒上料至测试座后，运送到与闪存颗粒对应的测试板上；待测试板定位完成后，对闪存颗粒进行筛选；筛选的方法至少包括对闪存颗粒的G峰宽度筛选：如果闪存颗粒的预设选定Block特征Page页的G峰宽度小于或等于预设的G峰宽度分级标准，则认定该G峰宽度分级标准有效并生成G峰宽度分级标准下的闪存颗粒质量等级；否则对预设的G峰宽度分级标准重新设定并在重新设定的G峰宽度分级标准下重新进行筛选；对闪存颗粒质量等级进行输出。本发明引入了针对读命令的闪存阈值电压分布曲线G峰宽度特性评价，能更细致精确地刻画闪存颗粒的品质和等级。
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公开(公告)号：CN119068968B
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202411562189.3
申请日：2024-11-05
Applicant: 湖北长江万润半导体技术有限公司
IPC: G11C29/56
Abstract: 本发明公开了一种基于查找闪存弱页及分布类型的闪存快速测试方法，包括以下步骤：1）读取闪存指定Block的配置信息；2）在指定的Block内在页首、页中及页尾三个位置对应的区域进行读取，在没有擦写条件下，记录页首、页中、页尾每个区域对应的Page页的错误比特翻转数目；3）根据页首、页中、页尾每个区域对应的Page页的错误比特翻转数目，确定指定的Block内闪存弱页的分布类型以及对应区域中的闪存弱页位置；4）根据指定的Block内闪存弱页的分布类型以及对应区域中的闪存弱页位置，实时监测闪存弱页快速评估整个闪存芯片的可靠性。本发明通过闪存弱页及分布特性来表征闪存芯片品质及可靠性，仅仅只需要监控闪存弱页状况即可高效评估整个闪存的品质。
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公开(公告)号：CN118197392A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410158586.8
申请日：2024-02-02
Applicant: 湖北长江万润半导体技术有限公司
IPC: G11C29/56
Abstract: 本发明提供了一种存储器信号测试装置及方法，通过将PC中PCIe槽位的引脚通过硬件设计在一块转接板上，分别对应NVMe和SATA的电信号引脚和数据信号引脚，控制多路信号的时序与通断测试，支撑单盘异常掉电测试；同时完善了不同主板型号对应信号时序数据库，实现了提高信号兼容性测试的覆盖度的功能；在测试的过程中无需插拔主机进行切换，减缓了对主机PCIe插槽的磨损。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117316259A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202310982467.X
申请日：2023-08-04
Applicant: 湖北长江万润半导体技术有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于嵌入式平台的存储器量产装置及量产方法，该装置包括总控机以及若干量产治具；若干存储器与若干量产治具一一连接，最后通过工业总线将若干量产治具与总控机相连接，通过总控机控制所有量产治具实现存储器量产；每个量产治具均为一嵌入式SOC平台，包括连接器、控制电路以及嵌入式SOC；连接器用于连接存储器；嵌入式SOC嵌入有linux操作系统，通过嵌入式SOC与控制电路相结合，完全控制存储器信号接口及电源接口，同时接收存储器的运行日志。本发明去除了测试主机，通过工业总线互接大幅度减少线束数量，从而降低量产治具的体积，且不存在盘与盘之间的同步或竞争问题，可以嵌入到温箱内实现一站式量产流程，减少量产过程控制的复杂度。
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公开(公告)号：CN116884471A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310866184.9
申请日：2023-07-14
Applicant: 湖北长江万润半导体技术有限公司
IPC: G11C29/56 , G06F12/0882
Abstract: 本发明公开了一种基于单Die读重试的纠错调度方法，该方法包括以下步骤：1）主机多Plane读出错后，对闪存控制器上报的每个Plane读出错的存储单元AU进行统计，形成读出错的存储单元AU位图；其中，存储单元AU位图是同一个Die中每个Plane所在的page页上4个存储单元AU的分布图，读出错的存储单元AU位图通过将读出错的存储单元AU在存储单元AU位图进行标记形成；2）根据存储单元AU位图进行基于单Die命令调度的读重试纠错。本发明方法通过设置读出错的存储单元AU位图，可以有效缩短读重试纠错方法时间，提升纠错效率。
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公开(公告)号：CN119495352A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202411562191.0
申请日：2024-11-05
Applicant: 湖北长江万润半导体技术有限公司
Abstract: 本发明公开了一种利用擦除时间测试闪存介质温区分布的方法和存储介质，包括：在连续变温的环境中，命令闪存介质按照预设的周期擦除数据并采样擦除时间，统计采样区间内的平均擦除时间，根据温度变化趋势取最大或最小擦除时间；根据所述平均擦除时间和最大或最小擦除时间计算擦除时间变化率R值，判断该采样区间处于变化温区还是稳定温区；对处于稳定温区的采样区间，若采样次数达到预设值，则停止采样；查找出所有的稳定温区后停止采样，记录进入各稳定温区对应的擦除时间；根据待测闪存介质的擦除时间，判断该待测闪存介质所处的温度区间类型。本发明能根据闪存介质的擦除时间来判断其所处的温区类型。
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公开(公告)号：CN119440415A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411537650.X
申请日：2024-10-31
Applicant: 湖北长江万润半导体技术有限公司
IPC: G06F3/06 , G06N3/0499 , G06N3/08
Abstract: 本发明提供了一种基于ZNS的AI大模型存储加速算法，通过定义基于ZNS的神经网络学习算法的存储模式以及状态机调度算法，基于ZNS的SSD单独存储每层的参数，降低了设备对于大容量内存存储的需求，同时提升神经网络算法学习过程中的参数导入性能，降低整体功耗与整盘写放大。本发明结合神经网络学习算法的处理过程定义与ZNS SSD配合的上位机模式，配合上位机提升模型的运算性能，方便上层生态软件调动每个Zone的数据；ZNS SSD与上位机配合定义每层加载参数的时序，降低了大模型处理过程中对DRAM的容量需求，同时ZNS SSD在不需要加载模型参数时进入低功耗模式以节省整机功耗，便于推广大模型的应用领域和场景。
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公开(公告)号：CN119068969A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202411562190.6
申请日：2024-11-05
Applicant: 湖北长江万润半导体技术有限公司
IPC: G11C29/56
Abstract: 本发明公开了一种基于闪存弱页的闪存芯片快速测试方法，包括以下步骤：1）通过闪存测试设备读取闪存指定Block的信息，所述信息包括：Block的总页数；2）在指定的Block内查找该Block的闪存弱页；3）根据查找的闪存弱页，评估闪存芯片的可靠性。本发明提出了基于快速查找闪存弱页的闪存测试流程及方法，该方法只需要对需要测试的闪存弱页状况进行读取即可通过闪存弱页的错误比特翻转数精准高效评估整个闪存的品质，在量产测试中可大幅减少闪存测试时间，提高闪存筛选的量产测试效率。
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