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公开(公告)号:CN112892556A
公开(公告)日:2021-06-04
申请号:CN202110067655.0
申请日:2021-01-19
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明公开了一种含硫空位的硫化铟镉‑硫化镉(CdIn2S4‑CdS)二维(2D)复合材料及其制备方法和应用,所述CdIn2S4‑CdS复合材料中,片状CdIn2S4复合于片状CdS,形成异质结。本发明通过水热处理将前驱体Cd3(C3S3N3)2分解的同时进行离子交换,构建2D CdIn2S4‑2D CdS,异质结的存在可以快速转移其界面的电子空穴,实现高效的电荷分离;另外,硫空位可以吸附和活化氧气,产生大量氧活性物质。