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发明公开
GGNMOS静电防护器件及其制作方法审中-实审

公开(公告)号：CN115602675A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202110774823.X

申请日：2021-07-08

Applicant: 湖南静芯微电子技术有限公司(CN)

Inventor： 董鹏 , 张玉叶 , 汪洋 , 金湘亮 , 李幸 , 骆生辉

IPC: H01L27/02 , H01L21/822

Abstract: 本发明实施例提供一种GGNMOS静电防护器件及其制作方法，包括：P型衬底、N型埋层、第一N型深阱、第二N型深阱与第一P型阱；第一N型深阱、第二N型深阱上还设有第一N+注入区、第四N+注入区；第一P型阱上设有P型半导体衬底以及第一NMOS的栅区、源区以及漏区，其中，第一NMOS的漏区被加宽；第一N型深阱、第二N型深阱以及第一N+注入区、第四N+注入区与N型埋层构成N型隔离带；P型半导体衬底与第一NMOS的源区连接在一起并作为器件的阴极，第一NMOS的漏区与第一N型深阱、第二N型深阱上的第一N+注入区、第四N+注入区连接在一起并作为器件的阳极；第一NMOS的栅区位于第二N+与第三N+注入区之间；第一NMOS的栅区接第一PMOS和电容C以及反相器的耦合电路。

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