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公开(公告)号：CN110031512A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201910348839.7
申请日：2019-04-28
Applicant: 湖州师范学院
IPC: G01N27/00
Abstract: 本发明涉及气体传感器技术领域，尤其涉及一种单个粒子敏感气体传感器及其制备方法和应用，本发明提供的一种单个粒子敏感气体传感器的制备方法，包括以下步骤：提供传感器衬底；采用单粒子捕获法在所述传感器衬底表面沉积单粒子，得到单个粒子敏感气体传感器前驱体；将所述单个粒子敏感气体传感器前驱体进行退火处理，得到单个粒子敏感气体传感器。本发明所述的制备方法成本低、操作简单；利用所述制备方法制备得到的单个粒子敏感气体传感器可以避免粒子聚集和粒子生长，从而充分发挥纳米粒子的结构优势，能够增大比表面积、提高灵敏度、有助于气体在表面吸附和解吸过程中的响应恢复速率；也可以解决粒子聚集和二次生长带来的不稳定问题。
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公开(公告)号：CN114047231B
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202111299654.5
申请日：2021-11-04
Applicant: 湖州师范学院
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明涉及气体传感器技术领域，尤其涉及一种二极管型异质结气体传感器芯片及其制备方法。本发明通过在衬底表面设置零维金属氧化物二极管型异质结结构或一维金属氧化物二极管型异质结结构可以大大提高所述异质结在进行气体检测时，所述异质结与被检测气体的接触面积，并有助于被检测气体在异质结处的扩散和吸附，进而提高其对被检测气体的检测灵敏度和响应恢复速率；且本发明还提供了所述二极管型异质结气体传感器芯片的制备方法，所述制备方法有助于二极管型异质结气体传感器的可控制备和大规模生产。
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公开(公告)号：CN110031512B
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN201910348839.7
申请日：2019-04-28
Applicant: 湖州师范学院
IPC: G01N27/00
Abstract: 本发明涉及气体传感器技术领域，尤其涉及一种单个粒子敏感气体传感器及其制备方法和应用，本发明提供的一种单个粒子敏感气体传感器的制备方法，包括以下步骤：提供传感器衬底；采用单粒子捕获法在所述传感器衬底表面沉积单粒子，得到单个粒子敏感气体传感器前驱体；将所述单个粒子敏感气体传感器前驱体进行退火处理，得到单个粒子敏感气体传感器。本发明所述的制备方法成本低、操作简单；利用所述制备方法制备得到的单个粒子敏感气体传感器可以避免粒子聚集和粒子生长，从而充分发挥纳米粒子的结构优势，能够增大比表面积、提高灵敏度、有助于气体在表面吸附和解吸过程中的响应恢复速率；也可以解决粒子聚集和二次生长带来的不稳定问题。
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公开(公告)号：CN114047231A
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202111299654.5
申请日：2021-11-04
Applicant: 湖州师范学院
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明涉及气体传感器技术领域，尤其涉及一种二极管型异质结气体传感器芯片及其制备方法。本发明通过在衬底表面设置零维金属氧化物二极管型异质结结构或一维金属氧化物二极管型异质结结构可以大大提高所述异质结在进行气体检测时，所述异质结与被检测气体的接触面积，并有助于被检测气体在异质结处的扩散和吸附，进而提高其对被检测气体的检测灵敏度和响应恢复速率；且本发明还提供了所述二极管型异质结气体传感器芯片的制备方法，所述制备方法有助于二极管型异质结气体传感器的可控制备和大规模生产。
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