一种埋底界面缺陷钝化的反式钙钛矿太阳能电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN119497497A

    公开(公告)日:2025-02-21

    申请号:CN202411614128.7

    申请日:2024-11-13

    Abstract: 本发明公开了一种埋底界面缺陷钝化的反式钙钛矿太阳能电池及其制备方法,属于太阳能电池技术领域,本发明反式钙钛矿太阳能电池的空穴传输层和钙钛矿吸光层之间有界面修饰层,所述界面修饰层的材料为同时含有疏水性长碳链、带正电的氨基与带负电的卤素官能团的有机化合物,本发明界面修饰层材料中的疏水性长碳链可增强稳定性;带正电的氨基可以通过占据立方八面体点钝化空位,固定在钙钛矿薄膜的晶界和表面上,以补偿薄膜表面上的损失,通过离子键或氢键钝化钙钛矿中的负电缺陷;带负电的卤素官能团可以减缓成膜过程中的结晶度,增大钙钛矿的尺寸,可以提高钙钛矿薄膜的光电性能和器件整体的能量转换效率、耐湿性以及长期稳定性。

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