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公开(公告)号：CN108490560A
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201810247742.2
申请日：2018-03-23
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司
IPC: G02B6/44
Abstract: 本发明公开了一种耐辐射光缆及其制造方法，涉及光缆领域，包括：中心加强件；多个光纤子单元，其周向分布在中心加强件外侧，每个光纤子单元均包括一根耐辐照光纤、包裹在耐辐照光纤上的芳纶纱和设置在芳纶纱外的单元护套，以及外护套，其用于包裹全部光纤子单元；其中，中心加强件、光纤子单元和外护套均不掺杂金属元素。本发明中的耐辐射光缆能耐辐射且不会产生新的放射源。
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公开(公告)号：CN110109219B
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201910309493.X
申请日：2019-04-17
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司 , 烽火藤仓光纤科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种低串扰弱耦合空分复用光纤，涉及通信光纤领域，其包括多芯光纤包层；其中，所述多芯光纤包层中包含多个按照六方排布或其它轴对称方式排布的少模纤芯，所述少模纤芯的数量不低于3个；所述少模纤芯自内而外依次包括少模芯区、内包层和下陷包层。该空分复用光纤采用弱耦合少模光纤芯区和低串扰多芯光纤结构，使得整个光纤内部芯区之间和芯区内模式之间的信道完全分离，在输入和输出端配合复用/解复用技术完成链路通信传输，由此有效增加了光纤整体的传输容量且传输品质高。
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公开(公告)号：CN110109219A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910309493.X
申请日：2019-04-17
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司 , 烽火藤仓光纤科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种低串扰弱耦合空分复用光纤，涉及通信光纤领域，其包括多芯光纤包层；其中，所述多芯光纤包层中包含多个按照六方排布或其它轴对称方式排布的少模纤芯，所述少模纤芯的数量不低于3个；所述少模纤芯自内而外依次包括少模芯区、内包层和下陷包层。该空分复用光纤采用弱耦合少模光纤芯区和低串扰多芯光纤结构，使得整个光纤内部芯区之间和芯区内模式之间的信道完全分离，在输入和输出端配合复用/解复用技术完成链路通信传输，由此有效增加了光纤整体的传输容量且传输品质高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108469648A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201810453514.0
申请日：2018-05-14
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司
IPC: G02B6/02 , G02B6/036 , C03B37/018 , C03B37/027
Abstract: 本发明公开了一种超低损耗大有效面积单模光纤及制造方法，其裸光纤由内到外依次包括芯层和包层，所述芯层包括由内而外依次设置的内芯层和外芯层，所述内芯层的半径R1为1.5～3μm，所述内芯层的相对折射率差Δ1为-0.01％≤Δ1≤0，所述外芯层的半径R2为5～6μm，所述外芯层的相对折射率差Δ2为0≤Δ2≤0.05％；所述芯层几乎不掺锗，所述芯层为氟与碱金属氧化物共掺的二氧化硅玻璃层；所述包层包括由内而外依次设置的下陷包层和外包层，所述下陷包层的半径R3为40～50μm，所述下陷包层的相对折射率差Δ3为-0.25％≤Δ3≤-0.15％，所述下陷包层半径R3与所述外芯层半径R2的比例R3/R2≥8，所述外包层半径R4为62.5μm，所述外包层为纯二氧化硅玻璃层。本发明能够降低衰减系数，增大有效面积。
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公开(公告)号：CN109574491B
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201910101344.4
申请日：2019-01-31
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司 , 深圳中广核工程设计有限公司
IPC: C03B37/025 , C03B37/012
Abstract: 本发明公开了一种耐辐射光纤的制备方法，涉及光纤制造领域，该方法包括如下步骤：对光纤预制棒依次进行退火、载氢以及预辐照预处理；对经预处理后的光纤预制棒进行拉丝，制得耐辐射单模光纤或耐辐射多模光纤。本发明方法可以从整体消除石英玻璃内部的材料缺陷、抑制光纤预制棒内部应力分布不均匀的情况、降低所拉制光纤的衰减；同时可以有效降低光纤的辐照敏感程度，有助于实现耐辐射光纤的快速制备；还可以整体提高拉制光纤的耐辐射水平，有利于实现耐辐射光纤的大规模制造。此外，本发明方法对光纤预制棒的种类不作限制，适用范围广。
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公开(公告)号：CN108469648B
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201810453514.0
申请日：2018-05-14
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司
IPC: G02B6/02 , G02B6/036 , C03B37/018 , C03B37/027
Abstract: 本发明公开了一种超低损耗大有效面积单模光纤及制造方法，其裸光纤由内到外依次包括芯层和包层，所述芯层包括由内而外依次设置的内芯层和外芯层，所述内芯层的半径R1为1.5～3μm，所述内芯层的相对折射率差Δ1为‑0.01％≤Δ1≤0，所述外芯层的半径R2为5～6μm，所述外芯层的相对折射率差Δ2为0≤Δ2≤0.05％；所述芯层几乎不掺锗，所述芯层为氟与碱金属氧化物共掺的二氧化硅玻璃层；所述包层包括由内而外依次设置的下陷包层和外包层，所述下陷包层的半径R3为40～50μm，所述下陷包层的相对折射率差Δ3为‑0.25％≤Δ3≤‑0.15％，所述下陷包层半径R3与所述外芯层半径R2的比例R3/R2≥8，所述外包层半径R4为62.5μm，所述外包层为纯二氧化硅玻璃层。本发明能够降低衰减系数，增大有效面积。
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公开(公告)号：CN109574491A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201910101344.4
申请日：2019-01-31
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司 , 深圳中广核工程设计有限公司
IPC: C03B37/025 , C03B37/012
Abstract: 本发明公开了一种耐辐射光纤的制备方法，涉及光纤制造领域，该方法包括如下步骤：对光纤预制棒依次进行退火、载氢以及预辐照预处理；对经预处理后的光纤预制棒进行拉丝，制得耐辐射单模光纤或耐辐射多模光纤。本发明方法可以从整体消除石英玻璃内部的材料缺陷、抑制光纤预制棒内部应力分布不均匀的情况、降低所拉制光纤的衰减；同时可以有效降低光纤的辐照敏感程度，有助于实现耐辐射光纤的快速制备；还可以整体提高拉制光纤的耐辐射水平，有利于实现耐辐射光纤的大规模制造。此外，本发明方法对光纤预制棒的种类不作限制，适用范围广。
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公开(公告)号：CN107179579A
公开(公告)日：2017-09-19
申请号：CN201710428285.2
申请日：2017-06-08
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司 , 烽火藤仓光纤科技有限公司
IPC: G02B6/02 , C03B37/018 , C03B37/025
CPC classification number: G02B6/02 , C03B37/018 , C03B37/01853 , C03B37/025
Abstract: 本发明公开了一种低损耗光纤及其制造方法，低损耗光纤由内至外依次包括芯层和相邻包层，芯层不含锗，芯层中氟的含量小于或等于0.1wt％，芯层的相对折射率差小于或等于0.05％，相邻包层中氟的含量为1～2wt％，相邻包层的相对折射率差小于或等于‑0.28％；芯层和相邻包层中掺有碱金属卤代物。本发明，在满足芯包折射率设计前提下，在缩棒过程中，通过加入碱金属卤代物，既可以降低1383nm波长处由氢氧根引起的衰减，同时通过优化锗、氟、钾离子掺杂浓度，可以匹配芯层和包层的粘度，从而有效降低了拉丝过程中纤芯应力集中所造成的光纤衰减增加。
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