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公开(公告)号:CN116087284A
公开(公告)日:2023-05-09
申请号:CN202310042503.4
申请日:2023-01-28
Applicant: 北京星航机电装备有限公司 , 燕山大学
IPC: G01N27/22
Abstract: 本发明涉及一种同面电容传感器的传感深度的获取方法及获取系统,属于无损检测领域,解决了现有技术的获取方法因考虑不全面或结果不一致导致所获取的传感深度无法有效地衡量反应同面电容传感器的有效检测距离的问题。本发明的方法包括:根据目标传感器的测量域的灵敏度数据在深度方向上的变化确定所述目标传感器的传感深度;其中,所述深度方向为远离且垂直于所述目标传感器的表面的方向。通过本发明的方法所获取的传感深度的结果一致,实现了有效地衡量目标传感器的有效检测距离,准确地反应目标传感器的性能的效果。
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公开(公告)号:CN116342577A
公开(公告)日:2023-06-27
申请号:CN202310414371.3
申请日:2023-04-18
Applicant: 燕山大学
Abstract: 本发明涉及一种共面电容传感器的扫描成像性能评估方法及系统,属于共面电容传感器领域,解决了现有技术中对同面电容传感器的扫描成像性能进行评估需要耗费大量时间的问题。本发明的一种面电容传感器的扫描成像性能评估方法,包括:获取目标传感器在预设探测深度的面层上的灵敏度分布图;提取所述面层的灵敏度分布图中的高灵敏度集中区域作为元图像;根据所述元图像评估所述目标传感器在所述面层的扫描成像性能。本发明提出的元图像,能够反应共面电容传感器与其在相应的探测深度的重建图像质量之间的关联,根据元图像直接评估共面电容传感器的扫描成像性能,从而能够起到节约时间和提高评估效率的效果。
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公开(公告)号:CN116299123A
公开(公告)日:2023-06-23
申请号:CN202310217574.3
申请日:2023-03-08
Applicant: 北京星航机电装备有限公司 , 燕山大学
Abstract: 本发明涉及一种同面阵列电容传感器的信号质量评估方法及系统,属于同面阵列电容探测技术领域,解决了现有技术中同面阵列电容传感器的输出信号质量无法有效评估的问题。本发明的同面阵列电容传感器的信号质量评估方法,包括如下步骤:根据电容测量仪器的最小可检测值和目标同面阵列电容传感器的阵列输出信号确定目标同面阵列电容传感器中的有效电极对的数量和无效电极对的数量;根据有效电极对的数量和无效电极对的数量计算目标同面阵列电容传感器的电极利用率;根据电极利用率评估目标同面阵列电容传感器的阵列输出信号的质量。本发明中将电极利用率作为评价指标,实现了对目标同面阵列电容传感器的阵列输出信号质量的有效评估。
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公开(公告)号:CN111413376A
公开(公告)日:2020-07-14
申请号:CN202010280246.4
申请日:2020-04-10
Applicant: 燕山大学
IPC: G01N27/22
Abstract: 本申请适用于无损检测技术领域,提供了一种同面阵列电容传感器成像方法,上述同面阵列电容传感器成像方法包括:建立电容传感器和待测物体的三维模型,在三维模型中确定求解区域,并将求解区域划分成有限个求解单元;分别对电容传感器上的每组电极施加循环的点电压激励信号,并计算求解区域的原始敏感场;获取每个求解单元的中心坐标和所有电极对的相对点坐标,并根据求解单元的中心坐标和电极对的相对点坐标确定抗噪声算子;根据原始敏感场和抗噪声算子确定优化敏感场;根据优化敏感场确定介电常数分布矩阵,并以介电常数分布矩阵为灰度值进行成像。上述方法可以解决同面阵列电容传感器成像时噪声影响成像效果的问题。
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公开(公告)号:CN116394519A
公开(公告)日:2023-07-07
申请号:CN202310336745.4
申请日:2023-03-31
Applicant: 燕山大学
IPC: B29C64/386 , B29C64/393 , B33Y50/00 , B33Y50/02
Abstract: 本发明涉及一种3D打印过程的监测方法及监测系统,属于3D打印技术领域,解决了现有技术中难以监测3D打印过程的各打印位置的打印状态的技术问题。本发明的监测方法包括如下步骤:将平行板电容器的第一极板设置在打印喷头侧,将所述平行板电容器的第二极板设置在打印基板侧,其中,第一极板的面积小于所述第二极板的面积;打印喷头逐层打印被打印物时,使所述第一极板跟随所述打印喷头同步移动,以实时获取各打印位置的电容数据;根据所述电容数据判断打印过程中各打印位置的打印状态。实现了对打印过程中各打印位置的打印状态监测,方法简单,可控制性好。
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公开(公告)号:CN111413376B
公开(公告)日:2021-06-22
申请号:CN202010280246.4
申请日:2020-04-10
Applicant: 燕山大学
IPC: G01N27/22
Abstract: 本申请适用于无损检测技术领域,提供了一种同面阵列电容传感器成像方法,上述同面阵列电容传感器成像方法包括:建立电容传感器和待测物体的三维模型,在三维模型中确定求解区域,并将求解区域划分成有限个求解单元;分别对电容传感器上的每组电极施加循环的点电压激励信号,并计算求解区域的原始敏感场;获取每个求解单元的中心坐标和所有电极对的相对点坐标,并根据求解单元的中心坐标和电极对的相对点坐标确定抗噪声算子;根据原始敏感场和抗噪声算子确定优化敏感场;根据优化敏感场确定介电常数分布矩阵,并以介电常数分布矩阵为灰度值进行成像。上述方法可以解决同面阵列电容传感器成像时噪声影响成像效果的问题。
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