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公开(公告)号：CN119658510B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202510183353.8
申请日：2025-02-19
Applicant: 珠海市世创金刚石工具制造有限公司
Abstract: 本发明公开了一种半导体芯片打磨机构及打磨方法，具体包括机壳、供料组件、移料组件以及打磨组件。通过第一打磨轮对半导体芯片的第一面进行打磨，第二打磨轮对半导体芯片的第二面进行打磨；无需对半导体芯片进行翻面处理，即可实现半导体芯片的双面打磨。移料组件的真空吸附方式能有效适应不同芯片，提升了系统的适应性和操作灵活性。自动化的供料、移料和打磨过程，减少了人工参与的需求，降低了操作人员的劳动强度和技术门槛。同时，自动化设备的稳定性和精度也降低了操作失误的风险，提高了生产过程的安全性和可靠性。因此，本发明解决了现有技术中打磨机构对半导体芯片的双面打磨步骤较为繁琐且打磨机构的机构较为复杂的技术问题。
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公开(公告)号：CN118081643A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410326023.5
申请日：2024-03-21
Applicant: 珠海市世创金刚石工具制造有限公司
Abstract: 本发明公开了低阻力微气孔超硬烧结金属结合剂磨具，涉及超硬烧结磨具技术领域，所述磨料层由超硬磨料和金属结合剂构成，所述超硬磨料为金刚石或CBN或两者组合，所述基体的工作部烧结固定有磨料层，所述磨料层由金刚石和金属结合剂构成，所述金属结合剂中掺入含有SO42‑离子的金属化合物。该低阻力微气孔超硬烧结金属结合剂磨具，通过在金刚石以及金属结合剂的磨料中添加一种含有SO42‑离子的金属化合物，再将所有的磨料进行混合均匀，并且采用高频感应烧结压机进行烧结成型，使得超硬烧结磨具在使用时具有低阻力微气孔的特性，从而实现改善金属磨具的磨削效果。
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公开(公告)号：CN119658552B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202510203038.7
申请日：2025-02-24
Applicant: 珠海市世创金刚石工具制造有限公司
Abstract: 本发明提供的一种芯片角磨设备及研磨方法，芯片角磨设备包括角磨基座和角磨本体，第一滚轮和第二滚轮上绕卷连接有研磨带。通过角磨本体驱动第一滚轮和第二滚轮进行同步转动，使研磨带能够连续稳定地对芯片侧面进行研磨。通过第一滚轮与第二滚轮的配合，研磨带能够在较大接触面积上均匀分布研磨力，提高了研磨效率。采用角磨基座作为整体支撑结构，并在其上安装角磨本体和工作台，使得整个设备结构紧凑，占地空间小，便于集成至生产线中。本发明采用研磨带进行研磨，相较于刚性砂轮，其接触面柔性较好，能够更均匀地分布研磨力，降低了芯片因冲击或应力集中而损坏的风险，从而有效提升了芯片加工的良品率。
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公开(公告)号：CN119658510A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202510183353.8
申请日：2025-02-19
Applicant: 珠海市世创金刚石工具制造有限公司
Abstract: 本发明公开了一种半导体芯片打磨机构及打磨方法，具体包括机壳、供料组件、移料组件以及打磨组件。通过第一打磨轮对半导体芯片的第一面进行打磨，第二打磨轮对半导体芯片的第二面进行打磨；无需对半导体芯片进行翻面处理，即可实现半导体芯片的双面打磨。移料组件的真空吸附方式能有效适应不同芯片，提升了系统的适应性和操作灵活性。自动化的供料、移料和打磨过程，减少了人工参与的需求，降低了操作人员的劳动强度和技术门槛。同时，自动化设备的稳定性和精度也降低了操作失误的风险，提高了生产过程的安全性和可靠性。因此，本发明解决了现有技术中打磨机构对半导体芯片的双面打磨步骤较为繁琐且打磨机构的机构较为复杂的技术问题。
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公开(公告)号：CN115366013B
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202210340285.8
申请日：2022-04-02
Applicant: 珠海市世创金刚石工具制造有限公司
Abstract: 本发明提供了用于干磨的双马聚酰亚胺树脂砂轮，所述改性双马聚酰亚胺树脂粉中至少添加如下外加剂：增韧剂、抗氧化剂、分散剂，所述增韧剂为聚甲基丙烯酸甲酯，所述抗氧化剂为1010：四[β‑（3，5‑二叔丁基‑4‑羟基苯基）丙酸]季戊四醇酯，所述分散剂为硬脂酸酰胺。本发明的通过外加剂改性双马聚酰亚胺树脂，增韧剂聚甲基丙烯酸甲酯，提高树脂的韧性和强度；抗氧化剂1010，使用过程中不容易氧化从而提升树脂粉的寿命；分散剂硬脂酸酰胺，改善了韧性、加工过程中更均匀分散，提高致密度，三方面综合改性，整体上至少提高了双马聚酰亚胺树脂30%使用寿命。
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公开(公告)号：CN114536229A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210219537.1
申请日：2022-03-08
Applicant: 珠海市世创金刚石工具制造有限公司
Abstract: 本发明公开了金属为主的复合砂轮，所述金属为主的复合砂轮所用的原料包括金属结合剂A和树脂结合剂B，所述金属结合剂A原料成分的质量百分比为：铜45wt%‑70wt%；锡30wt%‑55wt%；银0‑10wt%；镍0‑6wt%；钴0‑6wt%。该金属为主的复合砂轮，将原料按照配比混合后，将混合的原料注入到模具中，设定模具温度、压力和保压时间，从而使得原料压制成所需的砂轮毛胚，再将砂轮毛胚经过烘干和烧制等工艺加工成复合砂轮产品，将采用金属铜材质的基体作为该复合砂轮的基础部件，通过添加金属合金粉末和固体润滑剂来提高加工得到磨料层，保证该复合砂轮在使用时可以达到提高使用寿命、提高锋利度以及提高砂轮耐热性的作用。
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公开(公告)号：CN113103159A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110344630.0
申请日：2021-03-31
Applicant: 珠海市世创金刚石工具制造有限公司
Abstract: 本发明属于砂轮制造技术领域，公开了一种用于硬质材料加工的砂轮及其制备方法。所述用于硬质材料加工的砂轮，从内至外包括砂轮基体、过渡层和磨料层；所述磨料层所用原料包括磨料和金属结合剂；所述金属结合剂包括以下重量份的组分：铜粉56‑85份，锡粉10‑40份，银粉1‑16份，钴粉0‑5份，镍粉0‑5份；所述过渡层所用原料包括铜粉，锡粉，银粉，钴粉或镍粉中的至少一种。所述砂轮具有锋利度高、使用寿命长、加工效率好的优势，能够被应用于金属陶瓷、高速钢、硬质合金等硬质材料的加工。
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公开(公告)号：CN119098906A
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202410382873.7
申请日：2024-04-01
Applicant: 珠海市世创金刚石工具制造有限公司
Abstract: 本发明公开了含球形石墨超硬金刚石磨具，涉及超硬烧结磨具技术领域，该含球形石墨超硬金刚石磨具由基体、磨料结合层构成，所述基体的工作部烧结固定有磨料层，所述磨料结合层由超硬磨料和结合剂构成，所述超硬磨料为金刚石或CBN或两者组合，所述结合剂为金属结合剂、树脂结合剂、陶瓷结合剂中的一种或两种组合，所述结合剂中添加至少0.01体积百分比的球形石墨。通过结合剂中添加细颗粒球形石墨，有效地降低了磨削阻力同时提高磨具的磨削效率。
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公开(公告)号：CN113910103A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111317182.1
申请日：2021-11-09
Applicant: 珠海市世创金刚石工具制造有限公司
Abstract: 本发明涉及硬质材料加工烧结超硬磨头，由下述重量分数的组分混合烧结而成，结合剂10～95份，磨料5～55份，填料0～20份；结合剂组分的质量百分比为：Cu 55～85%，Sn 10～40%，Ti 0～20%，Ni 0～30%，Ag 0～15%，Co 0～15%，Cr 0～5%，Se 0～5%，磨料由金刚石、立方氮化硼其中一种或者两种混合组成。本发明的得到的金属烧结超硬磨头可满足高硬工程陶瓷复合材料成品的切削需求，切削磨耗小，加工零件的磨削损耗能够保持在0.003mm以内，相较于电镀超硬薄薄的一层其耐磨性好，磨头的几何尺寸保持性好。
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公开(公告)号：CN119635465A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202510183352.3
申请日：2025-02-19
Applicant: 珠海市世创金刚石工具制造有限公司
Abstract: 本发明公开了一种晶圆打磨清洗装置及晶圆加工方法，晶圆打磨清洗装置包括加工壳体、磨盘组件、清洗组件、第一旋转组件及第二旋转组件；加工壳体内形成有加工腔体，加工腔体中设置有晶圆加工位；第一旋转组件的旋转端与磨盘组件连接，并设置于晶圆加工位的下方；第二旋转组件的旋转端分别与磨盘组件、清洗组件及第一旋转组件连接，将磨盘组件和清洗组件设置于晶圆加工位的两侧，配合第二旋转组件，使磨盘组件和清洗组件能够围绕晶圆加工位进行环绕式运动，实现了晶圆边缘的精准加工与即时清洗；其中，磨盘组件由第一旋转组件驱动，磨盘组件对晶圆边缘的加工。通过上述设置，能够减少了位精度及热影响所带来的干扰，以提高晶圆的边缘加工质量。
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