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公开(公告)号：CN112334558B
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN201980043471.1
申请日：2019-06-04
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09J7/29 , B32B27/00 , C09J201/00 , H01L21/301 , H01L21/304
Abstract: 本发明的技术问题在于提供一种即便使用于DBG或LDBG，也能够抑制芯片龟裂的半导体加工用粘着胶带。作为解决手段的所述半导体加工用粘着胶带为具有基材、设置在该基材的至少一面侧的缓冲层、及设置在该基材的另一面侧的粘着剂层的粘着胶带，所述半导体加工用粘着胶带中，所述缓冲层在23℃下的杨氏模量为10～400MPa、断裂能为1～9MJ/m3，所述基材在23℃下的杨氏模量大于所述缓冲层的杨氏模量。
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公开(公告)号：CN117015842A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202280018387.6
申请日：2022-01-19
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/301
Abstract: 本发明的技术问题在于提供一种在剥离粘着胶带时可以抑制芯片的裂纹的半导体加工用粘着胶带。其解决手段为一种半导体加工用粘着胶带，其为具有基材与粘着剂层的粘着胶带，其中，在将所述粘着胶带的一面暴露于大气气氛的状态下，以照度为220mW/cm2及光量为500mJ/cm2的条件对粘着胶带照射紫外线后的该粘着剂层的暴露面的粘附能为0.220J/m2以下。
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公开(公告)号：CN112334558A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN201980043471.1
申请日：2019-06-04
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09J7/29 , B32B27/00 , C09J201/00 , H01L21/301 , H01L21/304
Abstract: 本发明的技术问题在于提供一种即便使用于DBG或LDBG，也能够抑制芯片龟裂的半导体加工用粘着胶带。作为解决手段的所述半导体加工用粘着胶带为具有基材、设置在该基材的至少一面侧的缓冲层、及设置在该基材的另一面侧的粘着剂层的粘着胶带，所述半导体加工用粘着胶带中，所述缓冲层在23℃下的杨氏模量为10～400MPa、断裂能为1～9MJ/m3，所述基材在23℃下的杨氏模量大于所述缓冲层的杨氏模量。
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公开(公告)号：CN109743881B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN201780055585.9
申请日：2017-09-29
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/304 , C09J4/02 , C09J133/00 , C09J201/00
Abstract: 本发明提供一种即便使用于DBG、特别是LDBG，也能够抑制芯片的龟裂的半导体加工用粘着胶带。所述半导体加工用粘着胶带为具有在23℃下的杨氏模量为1000MPa以上的基材与设置于基材的至少一面侧的粘着剂层的粘着胶带，将所述粘着剂层的厚度设为(N)[μm]、蠕变量设为(C)[μm]时，(N)与(C)的乘积(N)×(C)在30℃下为500以上、且在60℃下为9000以下。
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公开(公告)号：CN109743877B
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN201780055647.6
申请日：2017-09-26
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09J7/29 , C09J7/30 , C09J4/02 , C09J133/00 , C09J201/00 , H01L21/304 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种即便使用于DBG、特别是LDBG，也能够抑制芯片的龟裂的半导体加工用粘着胶带。所述半导体加工用粘着胶带具有：在23℃下的杨氏模量为1000MPa以上的基材；设置于该基材的至少一面侧的缓冲层；以及设置于该基材的另一面侧的粘着剂层，所述缓冲层在23℃下的拉伸储能模量(E23)为100～2000MPa，所述缓冲层在60℃下的拉伸储能模量(E60)为20～1000MPa。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118743000A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202380024469.6
申请日：2023-03-02
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/304 , B32B3/30 , B32B7/025 , B32B37/14 , C09J5/00 , C09J7/38 , C09J201/00
Abstract: 本发明的技术问题在于提供一种能够降低工件的TTV的工件的加工方法。其解决方式为一种工件的加工方法，所述工件的加工方法具有：将表面保护片贴附到具有表面及背面的工件的表面的工序；及，对贴附有表面保护片的工件的背面进行研磨的工序，工件的表面具有凸块电极，在贴附表面保护片的工序中，在工件的表面的外周部的与形成有凸块电极的区域不同的区域形成有凸状图案，以埋入凸块电极的方式贴附表面保护片，在将凸块电极的高度设为Hb、将凸状图案的高度设为H1时，Hb及H1满足Hb/8
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公开(公告)号：CN109743877A
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201780055647.6
申请日：2017-09-26
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09J7/29 , C09J7/30 , C09J4/02 , C09J133/00 , C09J201/00 , H01L21/304 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种即便使用于DBG、特别是LDBG，也能够抑制芯片的龟裂的半导体加工用粘着胶带。所述半导体加工用粘着胶带具有：在23℃下的杨氏模量为1000MPa以上的基材；设置于该基材的至少一面侧的缓冲层；以及设置于该基材的另一面侧的粘着剂层，所述缓冲层在23℃下的拉伸储能模量(E23)为100～2000MPa，所述缓冲层在60℃下的拉伸储能模量(E60)为20～1000MPa。
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公开(公告)号：CN112400216B
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN201980042664.5
申请日：2019-06-04
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J7/38 , C09J201/00 , H01L21/304
Abstract: 本发明的技术问题在于提供一种即便使用于DBG或LDBG，也能够抑制芯片龟裂的半导体加工用粘着胶带。作为解决手段的所述半导体加工用粘着胶带为具有基材、设置在该基材的至少一面侧的缓冲层、及设置在该基材的另一面侧的粘着剂层的粘着胶带，所述半导体加工用粘着胶带中，所述缓冲层在23℃下的断裂能为13～80MJ/m3。
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公开(公告)号：CN117015843A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202280018389.5
申请日：2022-01-19
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/301
Abstract: 本发明的技术问题在于提供一种在剥离粘着胶带时可以抑制芯片的裂纹的半导体加工用粘着胶带。其解决手段为一种半导体加工用粘着胶带，其为具有基材与粘着剂层的粘着胶带，其中，在将所述粘着胶带的一面暴露于大气气氛的状态下，以照度为220mW/cm2及光量为500mJ/cm2的条件对粘着胶带照射紫外线后的该粘着剂层的暴露面的表面弹性模量为5MPa以上。
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公开(公告)号：CN116941017A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202280017571.9
申请日：2022-01-19
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/301
Abstract: 本发明的技术问题在于提供一种在剥离粘着胶带时可以抑制芯片的裂纹的半导体加工用粘着胶带。其解决手段为一种半导体加工用粘着胶带，其为具有基材与粘着剂层的粘着胶带，其中，在将所述粘着胶带的一面暴露于大气气氛的状态下，以照度为220mW/cm2及光量为500mJ/cm2的条件对所述粘着胶带照射紫外线，在23℃、50％RH下将PMMA板以用2kg辊往返一次的条件贴附于该粘着剂层的暴露面并放置30分钟之后，对该粘着胶带进行180°剥离时的剥离强度为1600mN/25mm以下。
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