公开(公告)号：CN102045047B

公开(公告)日：2014-10-22

申请号：CN201010528706.7

申请日：2010-10-25

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 福原淳 ,  满田刚

IPC: H03K17/08 ,  H02H3/00 ,  H02H3/08 ,  H02H5/04

CPC classification number: H03K17/04123 ,  H03K17/08122 ,  H03K17/0822

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件。根据本发明的示例性实施例的半导体器件包括放电电路和控制电路。放电电路包括第一晶体管，该第一晶体管被连接在输出晶体管的栅极和输出端子之间；和电容器，该电容器被连接到第一晶体管的栅极，并且通过以电容器的电荷来导通第一晶体管，从而将输出电容器的栅极电压放电到输出端子。控制电路包括充电路径、第一放电路径、以及第二放电路径。当系统截止时，第一放电路径对被充电的电容器的电荷进行放电。在比用于在检测到系统中的异常时通过放电电路对输出晶体管进行放电的时间段更长的时间段，第二放电路径对电容器的电荷进行放电。

公开(公告)号：CN101364120B

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN200810144343.X

申请日：2008-07-25

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 福原淳 ,  满田刚

IPC: G05F1/56

CPC classification number: H03F3/45766 ,  H01L23/5256 ,  H01L2924/0002 ,  H03F3/45183 ,  H03F2203/45041 ,  H03F2203/45101 ,  H03F2203/45342 ,  H03F2203/45681 ,  H03K17/302 ,  H03K17/687 ,  H03K17/74 ,  H03K2217/0018 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件和一种偏移电压调节方法。该半导体器件包括：熔断器部分，具有多个构造为产生开关控制信号的熔断器电路；偏移调节部分，构造为基于从所述多个熔断器电路的输出节点提供的所述开关控制信号来调节差分放大器的偏移电压。多个熔断器电路中的每一个都包括：熔断器，连接在第一电源电压和切断节点之间；电流源，连接在第二电源电压和所述输出节点之间；第一晶体管，连接在所述输出节点和所述切断节点之间，并具有与所述第二电源电压连接的栅极。

公开(公告)号：CN102045047A

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN201010528706.7

申请日：2010-10-25

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 福原淳 ,  满田刚

IPC: H03K17/08 ,  H02H3/00 ,  H02H3/08 ,  H02H5/04

CPC classification number: H03K17/04123 ,  H03K17/08122 ,  H03K17/0822

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件。根据本发明的示例性实施例的半导体器件包括放电电路和控制电路。放电电路包括第一晶体管，该第一晶体管被连接在输出晶体管的栅极和输出端子之间；和电容器，该电容器被连接到第一晶体管的栅极，并且通过以电容器的电荷来导通第一晶体管，从而将输出电容器的栅极电压放电到输出端子。控制电路包括充电路径、第一放电路径、以及第二放电路径。当系统截止时，第一放电路径对被充电的电容器的电荷进行放电。在比用于在检测到系统中的异常时通过放电电路对输出晶体管进行放电的时间段更长的时间段，第二放电路径对电容器的电荷进行放电。