公开(公告)号：CN107112211B

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN201580073031.2

申请日：2015-12-30

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 崔斯坦·Y·马 ,  莫林·K·彼特森 ,  约翰·哈塔拉 ,  卢多维克·葛特

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/3105

Abstract: 本发明的用于处理图案特征的多重曝光处理包含一种用于处理基板的方法。所述方法可包含在基板上提供图案特征，图案特征具有侧壁。方法可进一步包含在第一曝光将第一离子物质植入到图案特征内，第一离子物质具有第一植入深度；以及在第二曝光将第二离子物质植入到图案特征内，第二离子物质具有小于第一植入深度的第二植入深度。

公开(公告)号：CN107112211A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201580073031.2

申请日：2015-12-30

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 崔斯坦·Y·马 ,  莫林·K·彼特森 ,  约翰·哈塔拉 ,  卢多维克·葛特

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/3105

CPC classification number: C23C14/48 ,  C23C14/042 ,  G03F7/36 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/0277 ,  H01L21/0279 ,  H01L21/31058

Abstract: 本发明提供一种用于处理基板的方法，可包含在基板上提供图案特征，图案特征具有侧壁。方法可进一步包含在第一曝光将第一离子物质植入到图案特征内，第一离子物质具有第一植入深度；以及在第二曝光将第二离子物质植入到图案特征内，第二离子物质具有小于第一植入深度的第二植入深度。