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公开(公告)号:CN116135902B
公开(公告)日:2025-03-25
申请号:CN202111353847.4
申请日:2021-11-16
Applicant: 电子科技大学中山学院
Abstract: 本发明涉及基于异靛青双缆型共轭聚合物及其在电致变色领域的应用。所述的异靛青双缆型共轭聚合物其结构式如下,其中,Ar为萘酰亚胺、苝酰亚胺、苯并三氮唑、萘并三氮唑、苯并吡咯二酮、噻吩并吡咯二酮、双噻吩酰亚胺及以上所有结构的衍生物的一种;所述n为1~10000的自然数;所述m为1~12的自然数;X为C或者N。该共轭聚合物具有较高的电致变色稳定性,是一种优秀的电致变色功能层。#imgabs0#
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公开(公告)号:CN110911510B
公开(公告)日:2021-02-26
申请号:CN201911139613.2
申请日:2019-11-20
Applicant: 电子科技大学中山学院
IPC: H01L31/0352 , H01L31/078
Abstract: 本发明公开了一种含超晶格结构的硅基氮化物五结太阳电池,包括Si衬底,为双面抛光的p型或n型Si单晶片;在Si衬底的上表面按照层状叠加结构从上至下依次设置有GaNP子电池、GaNAsP子电池、GaNAs/GaNP超晶格子电池和Si子电池;在Si衬底的下表面设置有GaNAs子电池;GaNP子电池和GaNAsP子电池之间通过第四隧道结连接,GaNAsP子电池和GaNAs/GaNP超晶格子电池之间通过第三隧道结连接,GaNAs/GaNP超晶格子电池和Si子电池之间通过第二隧道结连接,Si衬底和GaNAs子电池之间通过第一隧道结连接。本发明在降低五结电池生产成本的同时,利用五结电池结构可以更加充分地利用太阳光谱,提升电池的光电转换效率。
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公开(公告)号:CN111584130A
公开(公告)日:2020-08-25
申请号:CN202010434714.9
申请日:2020-05-21
Applicant: 电子科技大学中山学院
IPC: H01B5/14 , H01B1/02 , H01B13/00 , C09D11/52 , C09D11/30 , C08G18/76 , C08G18/48 , C08G18/28 , C08G18/83 , C08F283/01 , C08F220/32
Abstract: 本发明涉及透明导电膜技术领域,尤其涉及一种热修复柔性透明导电膜及其制备方法。本发明的热修复柔性透明导电膜,包括依次层叠设置的透明导电层、透明功能层和热可逆DA反应聚氨酯基底层;所述透明导电层为银纳米线导电网;所述透明功能层由聚酯丙烯酸酯齐聚物和呋喃丙烯酸甲酯聚合得到。本发明的导电膜透明度高,且具有良好的自修复性能,经多次修复后仍具有良好的透光率和导电性,修复效率高。
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公开(公告)号:CN110746585A
公开(公告)日:2020-02-04
申请号:CN201911198396.4
申请日:2019-11-29
Applicant: 电子科技大学中山学院
Abstract: 本发明公开了一种含叔胺基侧链修饰3,4-乙烯二氧噻吩单元的共轭聚合物及其应用。所述含叔胺基侧链修饰3,4-乙烯二氧噻吩单元的共轭聚合物的结构如下,其中Ar为吸电子共轭单元,具体为萘酰亚胺、苝酰亚胺、吡咯并吡咯二酮、异靛蓝、萘并噻二唑、萘并噻二唑、吡嗪并噻二唑、萘并三氮唑、吡啶并噻二唑、苯并噁二唑、苯并噻二唑、氟代苯并噻二唑、二氟苯并噻二唑、苯并三氮唑、二氟苯并三氮唑、喹喔啉、噻吩并吡咯二酮、噻唑、并噻唑、吡嗪及以上所有结构的衍生物的一种以上;n为1~10000的自然数。该共轭聚合物具有合适的水醇溶特性,能作为电子传输层应用于有机光电器件,显著提升器件的性能。
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公开(公告)号:CN110845709B
公开(公告)日:2023-07-21
申请号:CN201911181866.6
申请日:2019-11-27
Applicant: 电子科技大学中山学院
IPC: C08G61/12 , G02F1/1516
Abstract: 本发明涉及三臂和六臂三聚茚聚合物及其在电致变色领域的应用。所述的三臂和六臂三聚茚聚合物其结构式如下,其中Ar1和Ar2为可进行电化学聚合的芳香基团,当Ar2为H时为三臂三聚茚聚合物,当Ar1和Ar2同为可进行电化学聚合的芳香基团为六臂三聚茚聚合物;所述R为H、C1~50烷基直链或支化链、酮基、丙二腈;所述n和m为1~10000的自然数。该聚合物具有多孔形貌,电化学和动力学稳定性高,制备出的器件具有高的电致变色性能。
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公开(公告)号:CN111584130B
公开(公告)日:2021-04-09
申请号:CN202010434714.9
申请日:2020-05-21
Applicant: 电子科技大学中山学院
IPC: H01B5/14 , H01B1/02 , H01B13/00 , C09D11/52 , C09D11/30 , C08G18/76 , C08G18/48 , C08G18/28 , C08G18/83 , C08F283/01 , C08F220/32
Abstract: 本发明涉及透明导电膜技术领域,尤其涉及一种热修复柔性透明导电膜及其制备方法。本发明的热修复柔性透明导电膜,包括依次层叠设置的透明导电层、透明功能层和热可逆DA反应聚氨酯基底层;所述透明导电层为银纳米线导电网;所述透明功能层由聚酯丙烯酸酯齐聚物和呋喃丙烯酸甲酯聚合得到。本发明的导电膜透明度高,且具有良好的自修复性能,经多次修复后仍具有良好的透光率和导电性,修复效率高。
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公开(公告)号:CN112500557A
公开(公告)日:2021-03-16
申请号:CN202011239573.1
申请日:2020-11-09
Applicant: 电子科技大学中山学院
IPC: C08G61/12 , G02F1/1516
Abstract: 本发明公开了基于5‑氟‑2,1,3‑苯并噻二唑非对称给体‑受体‑给体型共轭聚合物及其在电致变色领域的应用。所述基于5‑氟‑2,1,3‑苯并噻二唑非对称给体‑受体‑给体型共轭聚合物其结构式如下,通过二溴5‑氟‑2,1,3‑苯并噻二唑单体同Ar的锡化物混合,进行Stille反应,得到聚合前驱体,聚合前驱体经电化学聚合的方法获得。该共轭聚合物因引入非对称结构5‑氟‑2,1,3‑苯并噻二唑,使得其表现出较高的分子间结合能和较大的偶极矩,这都有利于增强供体/受体的相互作用,从而提高电致变色的光学对比度和显色效率,是一种优秀的电致变色功能层,构筑的柔性电致变色器件具有比较高的机械稳定性。
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公开(公告)号:CN111564237B
公开(公告)日:2021-02-02
申请号:CN202010434712.X
申请日:2020-05-21
Applicant: 电子科技大学中山学院
Abstract: 本发明提供了一种近红外热修复柔性导电膜及其制备方法,属于自修复材料技术领域。本发明的制备方法包括以下步骤:将氧化石墨烯、硝酸银和乙二醇混合,得到第一混合料液;将聚乙烯吡咯烷酮、三氯化铁和乙二醇混合,得到第二混合料液;将所述第一混合料液和第二混合料液混合,将得到的反应料液进行溶剂热反应,得到银纳米线‑石墨烯复合材料;将所述银纳米线‑石墨烯复合材料、热塑性聚氨酯和N,N‑二甲基甲酰胺混合,将所得混合浆料进行成膜,干燥后得到近红外热修复柔性导电膜。本发明制备的导电膜具有高导电性和导热性,且在近红外光作用下具有高修复效率,能够实现快速多次修复。
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公开(公告)号:CN111335026B
公开(公告)日:2023-09-15
申请号:CN202010371428.2
申请日:2020-05-06
Applicant: 电子科技大学中山学院
IPC: D06M11/83 , D06M15/09 , D06M15/657
Abstract: 本发明公开一种超疏水抗菌导电织物及其制备方法,其特征在于先在织物表面附着纳米银抗菌剂,赋予织物抗菌性,然后在抗菌织物表面涂覆纳米线墨水,不仅赋予织物良好的导电性,而且羟甲基纤维素与织物间牢固的结合能力,极大地提高了纳米银线与织物间的附着能力,同时作为阻隔层保护银纳米粒子,防止银纳米粒子被氧化以及在水洗及机械力的作用下脱落,从而大大提高了抗菌织物的稳定性。在抗菌导电织物表面再制作超疏水功能层,不仅赋予织物自清洁作用,提高织物应用领域,而且超疏水功能层作为阻隔层提高织物使用稳定性,防止纳米银线在机械力的作用下脱落。与现有技术相比,本发明的超疏水抗菌导电织物具有良好的导电性和电性能的稳定性、优异的抗菌作用和超疏水自清洁作用,且其制备工艺简单、可实现工业化生产。
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公开(公告)号:CN114005902B
公开(公告)日:2023-08-22
申请号:CN202111303520.6
申请日:2021-11-05
Applicant: 电子科技大学中山学院
IPC: H01L31/0687 , H01L31/0693 , H01L31/0352
Abstract: 本发明公开了一种基于GaAs衬底的倒装多结太阳电池,包括GaAs衬底,在GaAs衬底的上表面按照层状叠加结构从下至上依次设置有AlAs剥离层、GaInP子电池、石墨烯/AlSbP多层结构缓冲层、第一隧道结、InP子电池、第二隧道结和GaInAs子电池。本发明利用二维石墨烯材料特性降低界面应力,同时结合生长温度递增的AlSbP层逐步释放外延应力,可提升GaAs衬底上InP、GaInAs等外延材料的晶体质量,基于GaAs衬底可得到带隙组合更加合理的GaInP/InP/GaInAs倒装三结太阳电池,从而提升多结电池的转换效率。
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