一种含超晶格结构的硅基氮化物五结太阳电池

    公开(公告)号:CN110911510B

    公开(公告)日:2021-02-26

    申请号:CN201911139613.2

    申请日:2019-11-20

    Abstract: 本发明公开了一种含超晶格结构的硅基氮化物五结太阳电池,包括Si衬底,为双面抛光的p型或n型Si单晶片;在Si衬底的上表面按照层状叠加结构从上至下依次设置有GaNP子电池、GaNAsP子电池、GaNAs/GaNP超晶格子电池和Si子电池;在Si衬底的下表面设置有GaNAs子电池;GaNP子电池和GaNAsP子电池之间通过第四隧道结连接,GaNAsP子电池和GaNAs/GaNP超晶格子电池之间通过第三隧道结连接,GaNAs/GaNP超晶格子电池和Si子电池之间通过第二隧道结连接,Si衬底和GaNAs子电池之间通过第一隧道结连接。本发明在降低五结电池生产成本的同时,利用五结电池结构可以更加充分地利用太阳光谱,提升电池的光电转换效率。

    含叔胺基侧链修饰3,4-乙烯二氧噻吩单元的共轭聚合物及其应用

    公开(公告)号:CN110746585A

    公开(公告)日:2020-02-04

    申请号:CN201911198396.4

    申请日:2019-11-29

    Abstract: 本发明公开了一种含叔胺基侧链修饰3,4-乙烯二氧噻吩单元的共轭聚合物及其应用。所述含叔胺基侧链修饰3,4-乙烯二氧噻吩单元的共轭聚合物的结构如下,其中Ar为吸电子共轭单元,具体为萘酰亚胺、苝酰亚胺、吡咯并吡咯二酮、异靛蓝、萘并噻二唑、萘并噻二唑、吡嗪并噻二唑、萘并三氮唑、吡啶并噻二唑、苯并噁二唑、苯并噻二唑、氟代苯并噻二唑、二氟苯并噻二唑、苯并三氮唑、二氟苯并三氮唑、喹喔啉、噻吩并吡咯二酮、噻唑、并噻唑、吡嗪及以上所有结构的衍生物的一种以上;n为1~10000的自然数。该共轭聚合物具有合适的水醇溶特性,能作为电子传输层应用于有机光电器件,显著提升器件的性能。

    三臂和六臂三聚茚聚合物及其在电致变色领域中的应用

    公开(公告)号:CN110845709B

    公开(公告)日:2023-07-21

    申请号:CN201911181866.6

    申请日:2019-11-27

    Abstract: 本发明涉及三臂和六臂三聚茚聚合物及其在电致变色领域的应用。所述的三臂和六臂三聚茚聚合物其结构式如下,其中Ar1和Ar2为可进行电化学聚合的芳香基团,当Ar2为H时为三臂三聚茚聚合物,当Ar1和Ar2同为可进行电化学聚合的芳香基团为六臂三聚茚聚合物;所述R为H、C1~50烷基直链或支化链、酮基、丙二腈;所述n和m为1~10000的自然数。该聚合物具有多孔形貌,电化学和动力学稳定性高,制备出的器件具有高的电致变色性能。

    一种近红外热修复柔性导电膜的制备方法

    公开(公告)号:CN111564237B

    公开(公告)日:2021-02-02

    申请号:CN202010434712.X

    申请日:2020-05-21

    Abstract: 本发明提供了一种近红外热修复柔性导电膜及其制备方法,属于自修复材料技术领域。本发明的制备方法包括以下步骤:将氧化石墨烯、硝酸银和乙二醇混合,得到第一混合料液;将聚乙烯吡咯烷酮、三氯化铁和乙二醇混合,得到第二混合料液;将所述第一混合料液和第二混合料液混合,将得到的反应料液进行溶剂热反应,得到银纳米线‑石墨烯复合材料;将所述银纳米线‑石墨烯复合材料、热塑性聚氨酯和N,N‑二甲基甲酰胺混合,将所得混合浆料进行成膜,干燥后得到近红外热修复柔性导电膜。本发明制备的导电膜具有高导电性和导热性,且在近红外光作用下具有高修复效率,能够实现快速多次修复。

    一种超疏水抗菌导电织物及其制备方法

    公开(公告)号:CN111335026B

    公开(公告)日:2023-09-15

    申请号:CN202010371428.2

    申请日:2020-05-06

    Abstract: 本发明公开一种超疏水抗菌导电织物及其制备方法,其特征在于先在织物表面附着纳米银抗菌剂,赋予织物抗菌性,然后在抗菌织物表面涂覆纳米线墨水,不仅赋予织物良好的导电性,而且羟甲基纤维素与织物间牢固的结合能力,极大地提高了纳米银线与织物间的附着能力,同时作为阻隔层保护银纳米粒子,防止银纳米粒子被氧化以及在水洗及机械力的作用下脱落,从而大大提高了抗菌织物的稳定性。在抗菌导电织物表面再制作超疏水功能层,不仅赋予织物自清洁作用,提高织物应用领域,而且超疏水功能层作为阻隔层提高织物使用稳定性,防止纳米银线在机械力的作用下脱落。与现有技术相比,本发明的超疏水抗菌导电织物具有良好的导电性和电性能的稳定性、优异的抗菌作用和超疏水自清洁作用,且其制备工艺简单、可实现工业化生产。

    一种基于GaAs衬底的倒装多结太阳电池

    公开(公告)号:CN114005902B

    公开(公告)日:2023-08-22

    申请号:CN202111303520.6

    申请日:2021-11-05

    Abstract: 本发明公开了一种基于GaAs衬底的倒装多结太阳电池,包括GaAs衬底,在GaAs衬底的上表面按照层状叠加结构从下至上依次设置有AlAs剥离层、GaInP子电池、石墨烯/AlSbP多层结构缓冲层、第一隧道结、InP子电池、第二隧道结和GaInAs子电池。本发明利用二维石墨烯材料特性降低界面应力,同时结合生长温度递增的AlSbP层逐步释放外延应力,可提升GaAs衬底上InP、GaInAs等外延材料的晶体质量,基于GaAs衬底可得到带隙组合更加合理的GaInP/InP/GaInAs倒装三结太阳电池,从而提升多结电池的转换效率。

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