公开(公告)号：CN108139491B

公开(公告)日：2022-06-07

申请号：CN201680061493.7

申请日：2016-10-14

Applicant: 皇家飞利浦有限公司

Inventor： J·W·M·雅各布斯 ,  J·若里茨马 ,  H·施泰因豪泽 ,  O·J·维默斯 ,  P·L·阿尔温 ,  H·斯特格胡伊斯 ,  H·K·维乔雷克

IPC: G01T1/20 ,  G01T1/16 ,  G01T1/161

Abstract: 一种用于低能量辐射量子和高能量辐射量子的组合探测的辐射探测器，所述辐射探测器(8)具有多层结构，包括：后闪烁体层(5)，其被配置为响应于高能量辐射量子由所述后闪烁体层(5)吸收而发出闪烁光子的爆发；后光电传感器层(6)，其被附接到所述后闪烁体层(5)的背侧，所述后光电传感器层(6)被配置为探测在所述后闪烁体层(5)中生成的闪烁光子；前闪烁体层(3)，其被布置在所述后闪烁体层(5)的前面，与所述后光电传感器层(6)相对，所述前闪烁体层(3)被配置为响应于低能量辐射量子由所述前闪烁体层(3)吸收而发出闪烁光子的爆发；以及前光电传感器层(2)，所述前光电传感器层(2)被附接到所述前闪烁体层(3)的前侧，与所述后闪烁体层(5)相对，所述前光电传感器层(2)被配置为探测在所述前闪烁体层(3)中生成的闪烁光子，其中，所述高能量量子为伽马射线并且所述低能量量子是X射线。

公开(公告)号：CN104412128A

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：CN201380032506.4

申请日：2013-06-13

Applicant: 皇家飞利浦有限公司

Inventor： M·西蒙 ,  J·若里茨马

IPC: G01T1/20

CPC classification number: H01L27/308 ,  G01T1/2018 ,  H01L51/44

Abstract: 本发明涉及具有有机光电二极管的辐射探测器，并且涉及制造这样的辐射探测器的方法。将TFT背板(103、104)放置在闪烁体(101)与有机光电二极管层堆栈(105、106、107、108)之间。这蕴含使用透明的TFT电子器件，例如，具有背被打薄的玻璃的无定形硅或箔上的有机TFT。几何结构顺序使能够建立用于OPD的众多可能的堆栈，并且具有用于封装和生产的优点。

公开(公告)号：CN108139491A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201680061493.7

申请日：2016-10-14

Applicant: 皇家飞利浦有限公司

Inventor： J·W·M·雅各布斯 ,  J·若里茨马 ,  H·施泰因豪泽 ,  O·J·维默斯 ,  P·L·阿尔温 ,  H·斯特格胡伊斯 ,  H·K·维乔雷克

IPC: G01T1/20 ,  G01T1/16 ,  G01T1/161

CPC classification number: G01T1/2018 ,  G01T1/1611 ,  G01T1/1642 ,  G01T1/2023

Abstract: 一种用于低能量辐射量子和高能量辐射量子的组合探测的辐射探测器，所述辐射探测器(8)具有多层结构，包括：后闪烁体层(5)，其被配置为响应于高能量辐射量子由所述后闪烁体层(5)吸收而发出闪烁光子的爆发；后光电传感器层(6)，其被附接到所述后闪烁体层(5)的背侧，所述后光电传感器层(6)被配置为探测在所述后闪烁体层(5)中生成的闪烁光子；前闪烁体层(3)，其被布置在所述后闪烁体层(5)的前面，与所述后光电传感器层(6)相对，所述前闪烁体层(3)被配置为响应于低能量辐射量子由所述前闪烁体层(3)吸收而发出闪烁光子的爆发；以及前光电传感器层(2)，所述前光电传感器层(2)被附接到所述前闪烁体层(3)的前侧，与所述后闪烁体层(5)相对，所述前光电传感器层(2)被配置为探测在所述前闪烁体层(3)中生成的闪烁光子，其中，所述高能量量子为伽马射线并且所述低能量量子是X射线。