公开(公告)号：CN102483350B

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：CN201080024703.8

申请日：2010-06-04

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： J·戈梅斯里瓦斯 ,  V·贾尼尼 ,  A·A-M·贝里耶 ,  S·A·迈尔 ,  M·马特斯-卡梅雷尔 ,  L·特里波迪

IPC: G01J3/02 ,  G01J3/42 ,  G01N21/3581

CPC classification number: G01J3/42 ,  G01J3/02 ,  G01J3/0237 ,  G01J3/0259 ,  G01N21/3563 ,  G01N21/3581

Abstract: 提供了一种太赫兹频率范围天线，包括：半导体膜(3)，其具有适于在太赫兹频率范围内显示表面等离子体的表面。半导体膜(3)的表面被构造为天线结构(4)，该天线结构(4)被设置为支持太赫兹频率范围内的局部表面等离子体共振。

公开(公告)号：CN102483350A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201080024703.8

申请日：2010-06-04

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： J·戈梅斯里瓦斯 ,  V·贾尼尼 ,  A·A-M·贝里耶 ,  S·A·迈尔 ,  M·马特斯-卡梅雷尔 ,  L·特里波迪

IPC: G01J3/02 ,  G01J3/42 ,  G01N21/35

CPC classification number: G01J3/42 ,  G01J3/02 ,  G01J3/0237 ,  G01J3/0259 ,  G01N21/3563 ,  G01N21/3581

Abstract: 提供了一种太赫兹频率范围天线，包括：半导体膜(3)，其具有适于在太赫兹频率范围内显示表面等离子体的表面。半导体膜(3)的表面被构造为天线结构(4)，该天线结构(4)被设置为支持太赫兹频率范围内的局部表面等离子体共振。