一种基于二氧化钛/二氧化硅的湿气发电器件制备方法

    公开(公告)号:CN111600507A

    公开(公告)日:2020-08-28

    申请号:CN202010049823.9

    申请日:2020-01-09

    Abstract: 本发明提供一种基于二氧化钛/二氧化硅的湿气发电器件制备方法。首先,将二氧化硅纳米颗粒/纳米纤维与二氧化钛纳米颗粒/纳米纤维分别分散在溶剂中得到浆料;然后,在基底上下两端分别涂覆二氧化硅纳米颗粒/纳米纤维浆料与二氧化钛纳米颗粒/纳米纤维浆料,一个区域干燥完全后,再涂覆下一区域,干燥后得到一种基于二氧化钛/二氧化硅的湿气发电器件。本发明所述方法制备的器件具有的非对称结构吸附环境中的水后,导致电荷分布产生差异,从而在外电路中产生电能,这种产电方式绿色环保,可用于湿度传感器或者湿气发电。

    一种氢还原法制备石墨烯包覆原子力显微镜探针

    公开(公告)号:CN110514873A

    公开(公告)日:2019-11-29

    申请号:CN201910732594.8

    申请日:2019-08-04

    Inventor: 苗中正 田华雨

    Abstract: 本发明提供一种氢还原法制备石墨烯包覆原子力显微镜探针。首先,采用Hummers方法制备的氧化石墨烯配置氧化石墨烯溶液;然后,将原子力显微镜探针放置于平整的定性滤纸上,探针针尖方向朝上;其次,将氧化石墨烯溶液滴涂于悬臂和针尖上,定性滤纸快速吸收掉液体;最后,加热并采用氢气还原氧化石墨烯。本发明所述方法采用氧化石墨烯作为包覆材料,分散性好,定性滤纸用于吸附多余的溶液,可以使剩余的溶液的快速去除,氧化石墨烯可迅速贴紧探针,采用氢还原法还原氧化石墨烯,相比较高温还原法,可以在较低的温度去除含氧基团,避免了采用高温和强还原剂带来金属层的破坏以及外来杂质的污染。

    超大单层石墨烯薄膜的气液界面自组装制备方法

    公开(公告)号:CN110155997A

    公开(公告)日:2019-08-23

    申请号:CN201910353329.9

    申请日:2019-04-23

    Abstract: 本发明提供一种超大单层石墨烯薄膜的气液界面自组装制备方法。首先,制备单面选择性氧化石墨烯材料,一面具备含氧基团,一面没有含氧基团;然后,利用单面选择性氧化石墨烯材料的疏水亲水性,在气液界面自组装制备单层石墨烯薄膜;最后,采用乙二胺交联石墨烯片层边缘的羧基,形成更为牢固的超大单层石墨烯薄膜。本发明所述方法利用具备疏水亲水性差异的单面选择性氧化石墨烯在气液界面处自组装制备单层石墨烯薄膜,可控制在单原子层厚度,均匀性好,用乙二胺连接相邻的片层,形成更为牢固的超大单层石墨烯薄膜,制备工艺简单,对设备的要求较低,适于工业或实验室操作。

    一种石墨烯的制备方法
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109704315A

    公开(公告)日:2019-05-03

    申请号:CN201910169611.1

    申请日:2019-02-27

    Abstract: 本发明提供一种石墨烯的制备方法。硝酸石墨插层化合物与硝基甲烷混合配置成液体炸药,置于爆轰反应釜中,注入足量CO2做保护介质,点火引爆药柱,爆炸物分解产生大量气体,可有效剥离石墨片层,CO2吸收热量迅速转化为超临界状态,可以持续剥离石墨片层。本发明方法中CO2可利用爆炸带来的热量迅速进入超临界流体状态,持续将爆炸产生的热量传输给未分解完全的硝酸分子,并同时利用超临界流体自身特点继续剥离石墨片层,避免了爆炸冲击力作用时间短导致片层剥离不充分的缺点。

    一种超薄立方氮化硼薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN109503174A

    公开(公告)日:2019-03-22

    申请号:CN201811539001.8

    申请日:2018-11-29

    Inventor: 苗中正 田华雨

    Abstract: 本发明提供一种立方氮化硼薄膜的制备方法。以氨基钠和氧化硼作为反应前驱体,放入高压釜中,加热进行反应得到三方氮化硼粉体,常温下球磨,得到二维氮化硼;将二维氮化硼粉末和触媒材料进行充分混合,压制成圆柱状,放入顶压机高温高压处理,采用酸碱提纯即可得到立方氮化硼薄膜材料。本发明所公开的方法以ABC方式排列的二维三方氮化硼为原料制备立方氮化硼,可提升转化率、降低原料浪费,制备的超薄的立方氮化硼薄膜扩大了立方氮化硼的应用领域,具备制备简单、成本低、易于工业化批量生产的特点。

    一种核壳结构CuCl/Cu纳米棒材料的制备方法

    公开(公告)号:CN109317170A

    公开(公告)日:2019-02-12

    申请号:CN201811228519.X

    申请日:2018-10-15

    Abstract: 本发明提供一种核壳结构CuCl/Cu纳米棒材料的制备方法。将铜纳米棒在除过氧的乙醇中超声分散均匀,通过真空抽滤附着到过滤膜表面;配置氯化铜的乙醇溶液,加入到真空抽滤容器中,溶液没过铜纳米棒附着的过滤膜后,迅速将溶液抽干,在溶液浸没铜纳米棒及溶液挥发期间,氯化铜与铜纳米棒的反应快速发生,生成核壳结构CuCl/Cu纳米棒材料。本发明所公开的方法,在铜纳米棒表面原位形成一层氯化亚铜晶体,性能稳定、形貌可控,具有高的活性表面,反应时间极为迅速,反应过程不再局限于在溶液中,减少了反应添加物,具备制备简单、成本低、易于工业化批量生产的特点。

    一种单面选择性氧化石墨烯的制备方法

    公开(公告)号:CN109231195A

    公开(公告)日:2019-01-18

    申请号:CN201811344820.7

    申请日:2018-11-05

    Abstract: 本发明提供一种单面选择性氧化石墨烯的制备方法。运用熔融盐法将无水三氯化铁与石墨混合加热制备二阶石墨插层化合物,采用氧化剂和浓酸对二阶石墨烯插层化合物进行氧化插层,将产物离心清洗后加入过量双氧水剥离碳层,得到单面选择性氧化石墨烯材料。本发明制备的单面选择性氧化石墨烯,一面具备含氧基团,一面保持石墨烯本征结构,一面亲水,一面憎水,是一种非常奇特的材料,而传统的氧化石墨烯的功能化手段都适用其亲水一面,其特殊的结构有着广泛的应用潜力,步骤简单,设备要求不高,可宏量制备,适于工业或实验室操作。

    一种氧化亚铜纳米线材料的制备方法

    公开(公告)号:CN109095494A

    公开(公告)日:2018-12-28

    申请号:CN201811228520.2

    申请日:2018-10-15

    Abstract: 本发明提供一种氧化亚铜纳米线材料的制备方法。将氯化铜溶液涂覆于铜箔表面,中和反应快速发生,生成氯化亚铜,从铜箔表面刮除收集;将氢氧化钠、氯化钾与少许水加入到乙醇溶液中,通入氮气除氧,加入氯化亚铜粉末,封闭加热,反应生成氧化亚铜纳米线。本发明所公开的方法制备的氧化亚铜纳米线粒径均匀,尺寸、形貌和维度易于控制,氯化铜、铜箔、氢氧化钠为原料,乙醇为反应介质,氯化钾为络合剂,原料易得,价格低廉,降低了成本,步骤简单,便于操作,设备要求简单,有利于实现大规模的工业生产。

    一种高褶皱石墨烯材料的制备方法

    公开(公告)号:CN109052376A

    公开(公告)日:2018-12-21

    申请号:CN201811194670.6

    申请日:2018-09-29

    Inventor: 苗中正 田华雨

    CPC classification number: C01B32/184

    Abstract: 本发明提供一种高褶皱石墨烯材料的制备方法。氧化石墨烯与高铝颗粒混合均匀后抽滤成复合薄膜,在足量稀盐酸溶液中浸泡后自然晾干,加热以清除剩余溶剂,用氢碘酸还原得到独立自支撑的石墨烯薄膜。本发明所述方法中铝颗粒存在于氧化石墨烯层间导致片层更易形成褶皱,铝颗粒与盐酸反应产生的氢气以及自然干燥与加热过程中挥发的乙醇也可以制造大量褶皱,可以高效制备高褶皱石墨烯薄膜,耗能低,易控制,合成步骤简单,对设备的要求较低,适于工业或实验室操作,为高褶皱石墨烯薄膜材料大规模量产提供了一条途径。

    LB膜法制备透射电子显微镜载网

    公开(公告)号:CN109859999B

    公开(公告)日:2021-01-12

    申请号:CN201910082790.5

    申请日:2019-01-23

    Abstract: 本发明提供一种LB膜法制备透射电子显微镜载网。运用LB膜法在液面自组装制备羧基化石墨烯薄膜,将透射电镜铜载网固定于镂空的平整的并且可导电的支持网络或者支架上,慢速抬升,接近液面时使支持网络或者支架处于正电势,单层石墨烯薄膜贴附于透射电镜铜载网表面,还原羧基化石墨烯为石墨烯。本发明所述方法制备石墨烯薄膜可控制在单原子层厚度,易于操作,避免了溶液浇铸法制备薄膜厚度不一的问题,可调控石墨烯层厚度,在保证透射电镜载网高衬度和高分辨率的同时兼顾了强度,确保在装载样品时石墨烯膜不会破裂,制备工艺简单,对设备的要求较低,适于工业或实验室操作,具有巨大的应用前景。

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