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公开(公告)号：CN105990204B
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201510081822.1
申请日：2015-02-15
Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明涉及半导体生产和加工领域。本发明提供了一种半导体设备中双轴对准装置，包括晶圆固定盘、定位片、定位盘、喷头以及激光器件；其中，晶圆固定盘在竖直方向上具有上升和下降的自由度，在水平面内具有沿着或平行于两个相互垂直的横方向和纵方向平移的自由度；定位片与晶圆固定盘水平固定安装，定位片上设置有反射镜和挡板，反射镜的反射面与水平面的夹角为45°，挡板上开设有通孔；定位盘与喷头水平安装固定，定位盘上设置有激光器件，该激光器件包括发射部和接收部，发射部朝着喷头的中心轴所在的位置水平发射激光束，当激光束穿过通孔由反射镜反射至接收部时，激光器件产生感应信号。该装置能够在两轴对准后提醒操作人员。
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公开(公告)号：CN108350599B
公开(公告)日：2020-03-20
申请号：CN201580083919.4
申请日：2015-10-30
Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: C25F3/22
Abstract: 本发明揭示了一种在恒压模式下电化学抛光的方法，包括：预设一个具有电流分布的恒流配方，包括晶圆上具有不同半径的多个位置以及为每个位置预设的电流；使用恒流配方抛光第一晶圆；在抛光过程中检测并记录每个位置的电压；生成具有电压分布的恒压配方，包括多个位置以及对应每个位置记录的电压；使用恒压配方抛光第二晶圆。
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公开(公告)号：CN112892344B
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN201911221421.6
申请日：2019-12-03
Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种化学液供应装置及半导体设备。化学液供应装置包括原液供应模块、混液模块及互连模块；原液供应模块包括多个化学液供应单元，多个化学液供应单元用于供应不同的化学液；混液模块包括混合腔体，用于将化学液进行混合；互连模块包括互连管和多个液体管路，互连管用于连通原液供应模块和混液模块的内部空间，液体管路用于连通化学液供应单元和混合腔体，液体管路的数量与化学液供应单元的数量相对应。本发明相较于传统的双套管连接方式，可以极大减少管路安装工作量及成本、提高设备稳固性。相较于现有技术，本发明的化学液供应装置及半导体设备结构更加紧凑、可减少设备占用空间，设备的稳固性大大提高，有助于提高生产安全性。
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公开(公告)号：CN113782430A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202010519561.8
申请日：2020-06-09
Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01L21/311 , H01L21/768
Abstract: 本发明揭示了去除硅片上金属互连的阻挡层的方法，去除单层金属钌阻挡层，包括：氧化步骤，使用电化学阳极氧化工艺将单层的金属钌阻挡层氧化成钌氧化物层；氧化层刻蚀步骤，用刻蚀液对钌氧化物层进行刻蚀，去除钌氧化物层。本发明还提出去除硅片上金属互连的阻挡层的方法，用于10nm及以下的工艺节点的结构中，结构包括衬底、介质层、阻挡层和金属层，介质层沉积在衬底上，介质层上形成凹进区，阻挡层沉积在介质层上，金属层沉积在阻挡层上，金属层是铜层，阻挡层是单层金属钌层，该方法包括：减薄步骤，对金属层进行减薄；去除步骤，去除金属层；氧化步骤，对阻挡层进行氧化，氧化步骤使用电化学阳极氧化工艺；氧化层刻蚀步骤，刻蚀氧化后的阻挡层。
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公开(公告)号：CN107346731B
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201610292045.X
申请日：2016-05-05
Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01L21/321 , H01L21/02 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种减少铜膜厚度的方法，包括以下步骤：采用电化学镀铜工艺在晶圆表面镀上铜层；采用电化学抛光工艺将晶圆表面铜膜厚度减薄；使用柠檬酸去除晶圆表面氧化层。本发明利用柠檬酸清洗晶圆表面去除氧化层，解决了氧化层对化学机械平坦化工艺的去除率及均匀性产生影响的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105302169B
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN201410367261.7
申请日：2014-07-29
Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: G05D7/06
Abstract: 本发明揭示了一种流量控制方法，至少使用流量计、控制单元、电磁阀及流量控制器构建PID闭环控制系统，该方法包括如下步骤：建立控制单元输出至电磁阀的控制电流与供液管道内液体的流量之间的函数模型，获取流量起始变化点Fmin及流量终止变化点Fmax，在Fmin至Fmax范围内，供液管道内液体的流量随控制电流的增大而增大；设定供液管道内液体的流量值，该流量值的取值范围为Fmin至Fmax；根据建立的控制电流与供液管道内液体的流量之间的函数模型，计算与设定的流量值相对应的控制电流值，并将控制电流值输出至电磁阀，电磁阀接收控制电流后输出具有相应压力的CDA至流量控制器，开始PID调节，直至供液管道内液体的流量稳定。本发明能够提高流量控制精度和效率。
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公开(公告)号：CN106346354B
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201510418760.9
申请日：2015-07-16
Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: B24B37/30 , B24B57/02 , H01L21/683
Abstract: 本发明公开了一种基于阴极喷头位置变化进行优化的晶圆旋转卡盘，基于阴极喷头移动过程中的位置变化来调节抛光电流，达到抛光均匀的目的。其技术方案为：卡盘的半径大于晶圆的半径，卡盘超出晶圆的部分设置一圆环，卡盘中间形成晶圆片槽用于吸附晶圆，位于卡盘下方设有电源、阴极喷头和阳极喷头，其中阳极喷头的位置相对于晶圆是固定的，阴极喷头从晶圆中心沿着晶圆半径移动至晶圆外的圆环上，当阴极喷头移动到晶圆边缘时，阴极喷头与晶圆相交的面积随移动而减小，阴极喷头上的抛光电流对应减小。
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公开(公告)号：CN106245108B
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201510251140.0
申请日：2015-05-18
Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: C25F3/30
Abstract: 本发明涉及半导体加工和制造领域。本发明揭示了一种无应力电化学抛光方法，用于抛光半导体基板。该方法依次包括：预湿工序，使用抛光液沾湿基板的整个待抛光面，基板的待抛光面表层为金属膜；抛光工序，对基板进行无应力电化学抛光；干燥工序，干燥基板。本发明提供的技术方案，以传统的无应力电化学抛光方法为基础，对其进行了改进，能够使抛光结果大为改观，并消除抛光液对设备的污染以及对后续工艺的干扰，提高了半导体基板的品质。
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公开(公告)号：CN112410693B
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN201910784408.5
申请日：2019-08-23
Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种退火腔进气装置，包括供气管路、多条供气支路、多个散气腔和多个气流控制楔子，每个散气腔通过一条供气支路与供气管路相连通，每个供气支路与供气管路之间安装有一个气流控制楔子；气流控制楔子包括固定端和导气管，导气管的一端与固定端相连，另一端开有出气口，固定端与供气管路可拆卸固定，导气管穿入供气管路后伸入供气支路中，导气管上还开设有贯穿的导气孔，所述导气孔与供气管路相通。本发明使用一个混气模块供应多个退火腔体的工艺气体，减少了成本以及设备体积，通过在退火腔进气装置上增加气流控制楔子，在工艺过程中通过更换不同内管径的气流控制楔子，达到多个腔体的气流均匀稳定，实现了工艺稳定、降低成本的目的。
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公开(公告)号：CN112410693A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN201910784408.5
申请日：2019-08-23
Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种退火腔进气装置，包括供气管路、多条供气支路、多个散气腔和多个气流控制楔子，每个散气腔通过一条供气支路与供气管路相连通，每个供气支路与供气管路之间安装有一个气流控制楔子；气流控制楔子包括固定端和导气管，导气管的一端与固定端相连，另一端开有出气口，固定端与供气管路可拆卸固定，导气管穿入供气管路后伸入供气支路中，导气管上还开设有贯穿的导气孔，所述导气孔与供气管路相通。本发明使用一个混气模块供应多个退火腔体的工艺气体，减少了成本以及设备体积，通过在退火腔进气装置上增加气流控制楔子，在工艺过程中通过更换不同内管径的气流控制楔子，达到多个腔体的气流均匀稳定，实现了工艺稳定、降低成本的目的。
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