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公开(公告)号:CN117276113A
公开(公告)日:2023-12-22
申请号:CN202210666391.5
申请日:2022-06-14
Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明涉及一种湿法工艺中的喷嘴控制方法、装置和计算机可读介质。该方法包括:设置喷嘴的移动路径,所述移动路径包括多个特征位置;构建控制菜单,所述控制菜单中包括所述喷嘴在每个所述特征位置的工作参数,所述工作参数包括喷嘴移动速度和喷液流量,其中,所述喷嘴在相邻的特征位置之间采用匀变速方式移动;以及根据所述控制菜单控制所述喷嘴沿着所述移动路径移动,并在每个所述特征位置根据对应的所述工作参数工作。采用本发明的方法和装置可以使晶圆的清洗或刻蚀效果具有良好的均一性。