公开(公告)号：CN115803848A

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202080099666.0

申请日：2020-04-21

Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司

Inventor： 张晓燕 ,  王文军 ,  陈福平 ,  王俊 ,  贾社娜 ,  王德云 ,  王晖 ,  夏光煜 ,  王鹤

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供了一种去除基板上的颗粒或光刻胶的方法及装置。在一个实施例中，一种方法包括以下步骤：将一片或多片基板传输至容纳于DIO3槽的DIO3溶液中；所述一片或多片基板在DIO3槽中处理完后，将所述一片或多片基板从DIO3槽中取出并传输至容纳于SPM槽的SPM溶液中；所述一片或多片基板在SPM槽中处理完后，将所述一片或多片基板从SPM槽中取出并进行冲洗；以及将所述一片或多片基板传输至一个或多个单片清洗腔中以执行单片基板清洗和干燥工艺。本发明将DIO3和SPM结合在一个清洗程序中，可以去除颗粒或光刻胶，尤其是去除被中剂量或高剂量离子注入处理过的光刻胶。

公开(公告)号：CN115707793A

公开(公告)日：2023-02-21

申请号：CN202110961832.X

申请日：2021-08-20

Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 ,  盛帷半导体设备(上海)有限公司 ,  盛美半导体设备韩国有限公司 ,  清芯科技有限公司

Inventor： 王晖 ,  张山 ,  朴载成 ,  沈辉 ,  金宗焕 ,  陈宇 ,  石家燕 ,  张晓燕 ,  周东成 ,  夏光煜 ,  王俊 ,  金泳律

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/56 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40

Abstract: 本发明揭示了一种使用炉管处理晶圆的方法，包括以下步骤：将载有晶圆的晶舟装载至炉管腔体中；将炉管腔体中的压力值设定在第一压力值之上，将炉管腔体内的温度从初始温度升高至设定的目标温度；保持炉管腔体内的温度不变，将炉管腔体内的压力降低至设定的目标压力值；开始工艺以处理晶圆；工艺完成后，保持炉管腔体内的温度不变，将炉管腔体内的压力从目标压力值升高至第一压力值之上；将炉管腔体中的压力值设定在第一压力值之上，将炉管腔体内的温度从目标温度降低至初始温度；将炉管腔体中的压力值升高至大气压；将载有晶圆的晶舟从炉管腔体中转移出来。相对于传统的工艺步骤，采用本发明能够减少晶圆上的颗粒物数量。