公开(公告)号：CN103959558A

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：CN201280058917.6

申请日：2012-11-05

Applicant: 矢崎总业株式会社

Inventor： 大住英树 ,  高桥一荣 ,  田中茂 ,  土屋春树

IPC: H01R3/00

CPC classification number: H01R13/5216 ,  H01R13/5202 ,  H01R43/24 ,  H01R2201/26 ,  H05K5/0082

Abstract: 一种连接器(1)包括：端子收纳室(3)，该端子收纳室(3)设置在连接器壳体(2)中，并构造成将端子收纳在其(3)中；以及灌封材料填充部(9)，该灌封材料填充部(9)设置在端子收纳室(3)中并以灌封材料填入灌封材料填充部(9)，从而使灌封材料填充部(9)密封端子收纳室(3)。关于灌封材料填充部，基于示出与发生在灌封材料填充部(9)中的应力相关的灌封材料的填充量的发生应力特性，以及基于示出与灌封材料填充部(9)的剥离强度相关的灌封材料的填充量的剥离强度特性，将灌封材料的填充量设定在剥离强度变得大于发生应力的范围内。

公开(公告)号：CN103168397B

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201180049779.0

申请日：2011-10-14

Applicant: 矢崎总业株式会社

Inventor： 佐藤旭 ,  高桥健治 ,  大住英树

IPC: H01R13/52

Abstract: 本发明提供一种具有优越的密封性并且能够利用良好的效率来制造而实现工程成本降低的连接器。连接器（11）包括内板（15），该内板包括腔（31），该腔用于保持与电线（13）相连接的端子（14）；筒状壳体（12），在该筒状壳体中容纳内板（15）；以及填充材料（41），该填充材料填充在壳体（12）的内部中，以便包围内板（15）的周围，其中在内板（15）的除了设置腔（31）所在的部分之外的部分中，形成多个排气孔（34），从而从内板的前侧贯穿到后侧。

公开(公告)号：CN103168397A

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201180049779.0

申请日：2011-10-14

Applicant: 矢崎总业株式会社

Inventor： 佐藤旭 ,  高桥健治 ,  大住英树

IPC: H01R13/52

Abstract: 本发明提供一种具有优越的密封性并且能够利用良好的效率来制造而实现工程成本降低的连接器。连接器（11）包括内板（15），该内板包括腔（31），该腔用于保持与电线（13）相连接的端子（14）；筒状壳体（12），在该筒状壳体中容纳内板（15）；以及填充材料（41），该填充材料填充在壳体（12）的内部中，以便包围内板（15）的周围，其中在内板（15）的除了设置腔（31）所在的部分之外的部分中，形成多个排气孔（34），从而从内板的前侧贯穿到后侧。

公开(公告)号：CN112593266B

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202011428605.2

申请日：2015-02-25

Applicant: 同和金属技术有限公司 ,  矢崎总业株式会社

Inventor： 村田达则 ,  小谷浩隆 ,  远藤秀树 ,  菅原章 ,  园田悠太 ,  加藤哲男 ,  大住英树 ,  豊泉隼

IPC: C25D5/12 ,  C25D5/50 ,  C25D3/12 ,  C25D3/30 ,  C25D3/38 ,  H01R13/03

Abstract: 在由铜或铜合金构成的基材(10)的表面实施了Sn镀覆的镀Sn材料中，基材(10)的表面形成由Ni和Cu‑Ni中的至少一方构成的基底层(12)，该基底层(12)的表面形成通过由大量的Cu‑Sn类合金的结晶粒构成的Cu‑Sn类合金层(14)、和最外表面的位于相邻的Cu‑Sn类合金的结晶粒间的凹部内的Sn层(16)构成的最外层，最外表面中Sn层(16)所占的面积率为20～80％，Sn层(16)的最大厚度小于Cu‑Sn类合金的结晶粒的平均粒径。

公开(公告)号：CN106068337A

公开(公告)日：2016-11-02

申请号：CN201580011733.8

申请日：2015-02-25

Applicant: 同和金属技术有限公司 ,  矢崎总业株式会社

Inventor： 村田达则 ,  小谷浩隆 ,  远藤秀树 ,  菅原章 ,  园田悠太 ,  加藤哲男 ,  大住英树 ,  豊泉隼

IPC: C25D5/12 ,  C25D5/50 ,  C25D7/00

CPC classification number: C25D5/12 ,  B32B15/01 ,  C25D3/12 ,  C25D3/32 ,  C25D3/38 ,  C25D5/34 ,  C25D5/505 ,  C25D7/00 ,  C25F1/00

Abstract: 在由铜或铜合金构成的基材10的表面实施了Sn镀覆的镀Sn材料中，基材10的表面形成由Ni和Cu‑Ni中的至少一方构成的基底层12，该基底层12的表面形成通过由大量的Cu‑Sn类合金的结晶粒构成的Cu‑Sn类合金层14、和最外表面的位于相邻的Cu‑Sn类合金的结晶粒间的凹部内的Sn层16构成的最外层，最外表面中Sn层16所占的面积率为20～80％，Sn层16的最大厚度小于Cu‑Sn类合金的结晶粒的平均粒径。

公开(公告)号：CN112593266A

公开(公告)日：2021-04-02

申请号：CN202011428605.2

申请日：2015-02-25

Applicant: 同和金属技术有限公司 ,  矢崎总业株式会社

Inventor： 村田达则 ,  小谷浩隆 ,  远藤秀树 ,  菅原章 ,  园田悠太 ,  加藤哲男 ,  大住英树 ,  豊泉隼

IPC: C25D5/12 ,  C25D5/50 ,  C25D3/12 ,  C25D3/30 ,  C25D3/38 ,  H01R13/03

Abstract: 在由铜或铜合金构成的基材(10)的表面实施了Sn镀覆的镀Sn材料中，基材(10)的表面形成由Ni和Cu‑Ni中的至少一方构成的基底层(12)，该基底层(12)的表面形成通过由大量的Cu‑Sn类合金的结晶粒构成的Cu‑Sn类合金层(14)、和最外表面的位于相邻的Cu‑Sn类合金的结晶粒间的凹部内的Sn层(16)构成的最外层，最外表面中Sn层(16)所占的面积率为20～80％，Sn层(16)的最大厚度小于Cu‑Sn类合金的结晶粒的平均粒径。