公开(公告)号：CN102263054A

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：CN201110117188.4

申请日：2011-05-06

Applicant: 硅绝缘体技术有限公司

Inventor： 康斯坦丁·布德尔 ,  卡洛斯·马祖拉

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/76283 ,  H01L21/76275 ,  H01L29/66181

Abstract: 本发明涉及一种多层晶片中的沟槽结构，以及在多层晶片中制造该沟槽结构的方法，所述多层晶片包含衬底、位于衬底上的氧化物层和位于氧化物层上的半导体层，所述方法包括以下步骤：穿过半导体层和氧化物层形成沟槽并延伸至衬底中，并对所形成的沟槽进行退火处理，以使在所述沟槽的内表面处，所述半导体层的部分材料在所述氧化物层在沟槽内表面处露出的部分的至少一部分上流动。

公开(公告)号：CN102214594B

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201110082594.1

申请日：2011-04-01

Applicant: 硅绝缘体技术有限公司

Inventor： 卡洛斯·马祖拉 ,  康斯坦丁·布德尔 ,  理查德·费朗 ,  比什-因·阮

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/324 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/187 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/76251

Abstract: 本发明涉及一种用于制造半导体衬底的方法，特别是用于制造绝缘体上半导体衬底的方法，该方法包括以下步骤：a)提供施主衬底和操作衬底；b)在操作衬底中、特别是在操作衬底内部形成一个或更多个掺杂区域的图案；以及c)特别地通过键合将施主衬底与操作衬底接合起来以获得施主-操作混合物。

公开(公告)号：CN101641775B

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN200880009682.5

申请日：2008-03-14

Applicant: 硅绝缘体技术有限公司

Inventor： 康斯坦丁·布德尔 ,  古耶特·芳·阮 ,  沃尔特·施瓦岑贝格

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76254

Abstract: 本发明涉及一种用于形成在半导体材料中包含取自供体基片的层的结构体的方法，所述方法包括下列连续步骤：(a)注入原子物种以在所述供体基片中在给定深度形成脆化区；(b)组装所述供体基片与受体基片；(c)通过实现在高温下进行的剥离退火提供能量从而在所述脆化区剥离所述取自供体基片的层；(d)对获取的所述层进行修整处理以改善所述层的表面状况，其特征在于在剥离步骤(c)中，高温剥离退火随着使得达到高温的上升而发展，所述高温相当于最大剥离退火温度，其特征还在于以防止在剥离后所获得的所述结构体的表面上出现明显缺陷性的方式限制暴露于所述高温的持续时间。

公开(公告)号：CN101106072B

公开(公告)日：2010-08-18

申请号：CN200710109053.7

申请日：2007-06-15

Applicant: 硅绝缘体技术有限公司

Inventor： 奥利维尔·雷萨克 ,  康斯坦丁·布德尔 ,  卡洛斯·马祖拉

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L21/187

Abstract: 本发明涉及一种直接接合用在电子学、光学或光电子学中的两个基板(1、2)的正面(11、21)的方法，所述两个基板中的至少一个基板包括在该基板的正面(11、21)上或在该正面附近延伸的半导体材料层(1、13、2、20、23)。所述方法的特征在于其包括以下步骤：至少使所述包括半导体的基板的所述正面(11、21)、或者如果所述两个基板都包括半导体的话则使所述两个基板的所述正面(11、21)中的至少一个正面，在包含氢气和/或氩气的气体环境中在900℃至1200℃范围内的温度下进行持续时间至少为30秒的接合前预备热处理；以及将所述用于接合在一起的两个基板(1、2)的各自的正面(11、21)直接接合在一起。

公开(公告)号：CN101894741A

公开(公告)日：2010-11-24

申请号：CN201010178285.X

申请日：2010-05-12

Applicant: 硅绝缘体技术有限公司

Inventor： 康斯坦丁·布德尔 ,  比什-因·阮 ,  玛丽亚姆·萨达卡

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/762 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/2007 ,  H01L21/187 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/1207

Abstract: 本发明涉及一种混合半导体基片的制造方法，所述方法包括以下步骤：(a)提供包含绝缘体上半导体(SeOI)区域和块状半导体区域的混合半导体基片，所述绝缘体上半导体(SeOI)区域包含基础基片之上的绝缘层和所述绝缘层之上的SeOI层，其中所述SeOI区域和所述块状半导体区域共享同一基础基片；(b)提供所述SeOI区域上的掩模层；和(c)通过同时掺杂所述SeOI区域和所述块状半导体区域来形成第一杂质能级，使所述SeOI区域中的第一杂质能级包含在所述掩模中。由此可避免在混合半导体基片的制造方法中包含较多的工序步骤。

公开(公告)号：CN101568992A

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200880001247.8

申请日：2008-02-26

Applicant: 硅绝缘体技术有限公司

Inventor： 康斯坦丁·布德尔

IPC: H01L21/18 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/187 ,  H01L21/2007

Abstract: 本发明涉及一种制造混合基片的方法，所述混合基片包含至少两层直接相互结合的结晶材料。所述方法值得注意是因为它包含如下步骤：将至少一种原子和/或离子物质注入到供体基片中从而在其中形成弱化区，在活化层和其余部分之间形成界限；在氢和/或氩氛围下对所述供体基片的正面和受体基片的正面进行为时至少30秒的900℃～1200℃的热处理；使所述正面相互结合；分离所述其余部分；选择所述物质的性质、注入剂量和注入能量，从而使在所述供体基片内由这些物质引起的缺陷能使所述供体基片的其余部分被随后分离，但在所述热处理期间不会发展到足以防止后续的结合或足以使所述供体基片的正面变形。

公开(公告)号：CN101106072A

公开(公告)日：2008-01-16

申请号：CN200710109053.7

申请日：2007-06-15

Applicant: 硅绝缘体技术有限公司

Inventor： 奥利维尔·雷萨克 ,  康斯坦丁·布德尔 ,  卡洛斯·马祖拉

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L21/187

Abstract: 本发明涉及一种直接接合用在电子学、光学或光电子学中的两个基板(1、2)的正面(11、21)的方法，所述两个基板中的至少一个基板包括在该基板的正面(11、21)上或在该正面附近延伸的半导体材料层(1、13、2、20、23)。所述方法的特征在于其包括以下步骤：至少使所述包括半导体的基板的所述正面(11、21)、或者如果所述两个基板都包括半导体的话则使所述两个基板的所述正面(11、21)中的至少一个正面，在包含氢气和/或氩气的气体环境中在900℃至1200℃范围内的温度下进行持续时间至少为30秒的接合前预备热处理；以及将所述用于接合在一起的两个基板(1、2)的各自的正面(11、21)直接接合在一起。

公开(公告)号：CN101894741B

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：CN201010178285.X

申请日：2010-05-12

Applicant: 硅绝缘体技术有限公司

Inventor： 康斯坦丁·布德尔 ,  比什-因·阮 ,  玛丽亚姆·萨达卡

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/762 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/2007 ,  H01L21/187 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/1207

Abstract: 本发明涉及一种混合半导体基片的制造方法，所述方法包括以下步骤：(a)提供包含绝缘体上半导体(SeOI)区域和块状半导体区域的混合半导体基片，所述绝缘体上半导体(SeOI)区域包含基础基片之上的绝缘层和所述绝缘层之上的SeOI层，其中所述SeOI区域和所述块状半导体区域共享同一基础基片；(b)提供所述SeOI区域上的掩模层；和(c)通过同时掺杂所述SeOI区域和所述块状半导体区域来形成第一杂质能级，使所述SeOI区域中的第一杂质能级包含在所述掩模中。由此可避免在混合半导体基片的制造方法中包含较多的工序步骤。

公开(公告)号：CN102214594A

公开(公告)日：2011-10-12

申请号：CN201110082594.1

申请日：2011-04-01

Applicant: 硅绝缘体技术有限公司

Inventor： 卡洛斯·马祖拉 ,  康斯坦丁·布德尔 ,  理查德·费朗 ,  比什-因·阮

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/324 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/187 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/76251

Abstract: 本发明涉及一种用于制造半导体衬底的方法，特别是用于制造绝缘体上半导体衬底的方法，该方法包括以下步骤：a)提供施主衬底和操作衬底；b)在操作衬底中、特别是在操作衬底内部形成一个或更多个掺杂区域的图案；以及c)特别地通过键合将施主衬底与操作衬底接合起来以获得施主-操作混合物。

公开(公告)号：CN101568992B

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：CN200880001247.8

申请日：2008-02-26

Applicant: 硅绝缘体技术有限公司

Inventor： 康斯坦丁·布德尔

IPC: H01L21/18 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/187 ,  H01L21/2007

Abstract: 本发明涉及一种制造混合基片的方法，所述混合基片包含至少两层直接相互结合的结晶材料。所述方法值得注意是因为它包含如下步骤：将至少一种原子和/或离子物质注入到供体基片中从而在其中形成弱化区，在活化层和其余部分之间形成界限；在氢和/或氩氛围下对所述供体基片的正面和受体基片的正面进行为时至少30秒的900℃～1200℃的热处理；使所述正面相互结合；分离所述其余部分；选择所述物质的性质、注入剂量和注入能量，从而使在所述供体基片内由这些物质引起的缺陷能使所述供体基片的其余部分被随后分离，但在所述热处理期间不会发展到足以防止后续的结合或足以使所述供体基片的正面变形。