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公开(公告)号：CN102339768A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN201110197168.2
申请日：2011-07-14
Applicant: 硅绝缘体技术有限公司
IPC: H01L21/60 , H01L23/488
Abstract: 本发明涉及形成键合半导体结构的方法及该方法形成的半导体结构。形成键合半导体结构的方法包括以下步骤：将半导体结构临时地直接键合在一起；使这些半导体结构中的至少一个变薄；以及随后将变薄的半导体结构永久地键合到另一个半导体结构。在不使用粘合剂的情况下，可以建立临时的直接键合。根据这样的方法制造键合半导体结构。
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公开(公告)号：CN102299048A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201110212252.7
申请日：2011-06-21
Applicant: 硅绝缘体技术有限公司
CPC classification number: H01L25/50 , B32B38/1858 , B32B2309/64 , B32B2309/65 , B32B2309/68 , H01L21/67092 , H01L2924/0002 , Y10T156/10 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种用于制造半导体器件的装置，该装置包括：键合模块(1)，其包括真空室，以在低于大气压力的压力下提供晶片键合；和装载锁定模块(2)，其连接至键合模块(1)并配置为向键合模块(1)传送晶片，并且连接至被配置为将装载锁定模块(2)中的压力降到大气压力以下的第一真空泵装置(5)。
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公开(公告)号：CN105489512B
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201510873777.3
申请日：2011-07-19
Applicant: 硅绝缘体技术有限公司
IPC: H01L21/60 , H01L21/768 , H01L23/485 , H01L23/48
CPC classification number: H01L2224/16145 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13091 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及临时半导体结构键合方法和相关的键合半导体结构。制造半导体结构的方法包括以下步骤：将原子组分注入承载裸片或晶片中以在该承载裸片或晶片内形成弱化区域，并将该承载裸片或晶片键合到半导体结构。在利用承载裸片或晶片来操作半导体结构的同时，可以该处理半导体结构。该半导体结构可以键合到另一个半导体结构，并且可以沿承载裸片或晶片中的弱化区域分割承载裸片或晶片。利用这样的方法制造半导体结构。
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公开(公告)号：CN105489512A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201510873777.3
申请日：2011-07-19
Applicant: 硅绝缘体技术有限公司
IPC: H01L21/60 , H01L21/768 , H01L23/485 , H01L23/48
CPC classification number: H01L2224/16145 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13091 , H01L2924/00 , H01L24/02 , H01L21/768 , H01L23/48 , H01L23/485 , H01L24/03 , H01L24/07 , H01L2224/02 , H01L2224/03 , H01L2224/07
Abstract: 本发明涉及临时半导体结构键合方法和相关的键合半导体结构。制造半导体结构的方法包括以下步骤：将原子组分注入承载裸片或晶片中以在该承载裸片或晶片内形成弱化区域，并将该承载裸片或晶片键合到半导体结构。在利用承载裸片或晶片来操作半导体结构的同时，可以该处理半导体结构。该半导体结构可以键合到另一个半导体结构，并且可以沿承载裸片或晶片中的弱化区域分割承载裸片或晶片。利用这样的方法制造半导体结构。
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公开(公告)号：CN102437073A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201110414307.2
申请日：2011-06-21
Applicant: 硅绝缘体技术有限公司
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L25/50 , B32B38/1858 , B32B2309/64 , B32B2309/65 , B32B2309/68 , H01L21/67092 , H01L2924/0002 , Y10T156/10 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种用于制造半导体器件的装置，该装置包括：键合模块(1)，其包括真空室，以在低于大气压力的压力下提供晶片键合；和装载锁定模块(2)，其连接至键合模块(1)并配置为向键合模块(1)传送晶片，并且连接至被配置为将装载锁定模块(2)中的压力降到大气压力以下的第一真空泵装置(5)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105428285A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201610052078.7
申请日：2011-06-21
Applicant: 硅绝缘体技术有限公司
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L25/50 , B32B38/1858 , B32B2309/64 , B32B2309/65 , B32B2309/68 , H01L21/67092 , H01L2924/0002 , Y10T156/10 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种用于制造半导体器件的装置，该装置包括：键合模块(1)，其包括真空室，以在低于大气压力的压力下提供晶片键合；和装载锁定模块(2)，其连接至键合模块(1)并配置为向键合模块(1)传送晶片，并且连接至被配置为将装载锁定模块(2)中的压力降到大气压力以下的第一真空泵装置(5)。
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公开(公告)号：CN102437073B
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201110414307.2
申请日：2011-06-21
Applicant: 硅绝缘体技术有限公司
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L25/50 , B32B38/1858 , B32B2309/64 , B32B2309/65 , B32B2309/68 , H01L21/67092 , H01L2924/0002 , Y10T156/10 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种用于制造半导体器件的装置，该装置包括：键合模块(1)，其包括真空室，以在低于大气压力的压力下提供晶片键合；和装载锁定模块(2)，其连接至键合模块(1)并配置为向键合模块(1)传送晶片，并且连接至被配置为将装载锁定模块(2)中的压力降到大气压力以下的第一真空泵装置(5)。
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公开(公告)号：CN102339768B
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201110197168.2
申请日：2011-07-14
Applicant: 硅绝缘体技术有限公司
IPC: H01L21/60 , H01L23/488
Abstract: 本发明涉及形成键合半导体结构的方法及该方法形成的半导体结构。形成键合半导体结构的方法包括以下步骤：将半导体结构临时地直接键合在一起；使这些半导体结构中的至少一个变薄；以及随后将变薄的半导体结构永久地键合到另一个半导体结构。在不使用粘合剂的情况下，可以建立临时的直接键合。根据这样的方法制造键合半导体结构。
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公开(公告)号：CN102339769A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN201110201962.X
申请日：2011-07-19
Applicant: 硅绝缘体技术有限公司
IPC: H01L21/60 , H01L21/768 , H01L23/485 , H01L23/48
CPC classification number: H01L2224/16145 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13091 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及临时半导体结构键合方法和相关的键合半导体结构。制造半导体结构的方法包括以下步骤：将原子组分注入承载裸片或晶片中以在该承载裸片或晶片内形成弱化区域，并将该承载裸片或晶片键合到半导体结构。在利用承载裸片或晶片来操作半导体结构的同时，可以该处理半导体结构。该半导体结构可以键合到另一个半导体结构，并且可以沿承载裸片或晶片中的弱化区域分割承载裸片或晶片。利用这样的方法制造半导体结构。
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公开(公告)号：CN100527357C
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200710169540.2
申请日：2007-11-09
Applicant: 硅绝缘体技术有限公司
IPC: H01L21/18 , H01L21/20 , H01L21/762 , H01L21/84
CPC classification number: H01L21/2007 , Y10T428/265
Abstract: 本发明涉及半导体材料基板的键合方法。提供了一种用于键合以从半导体材料之中选择的材料实现的两片基板的方法，所述方法实现：对各基板的要键合的表面的等离子体激活，所述两片基板中的第一基板的要键合的表面包括氧化层；通过热处理来键合两片基板的步骤。该方法的特征在于，在包含氧气的气氛下执行对所述氧化层的等离子体激活，在中性气氛下执行对第二基板的要键合的表面的等离子体激活。
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