公开(公告)号：CN101819913A

公开(公告)日：2010-09-01

申请号：CN201010165816.1

申请日：2010-05-08

Applicant: 福州大学

Inventor： 郭太良 ,  叶芸 ,  张永爱 ,  胡利勤 ,  苏艺菁 ,  林贺

IPC: H01J29/04 ,  H01J9/02

Abstract: 本发明涉及一种具有边缘增强效应的前栅型场发射阴极结构及其制造方法，其将在阴极基板上设有条状的阴极电极，在阴极电极边缘设有场发射体，在有场发射体的阴极电极上设有条状绝缘介质层，在绝缘介质层上设有条状的栅极电极，这样将发射体转移至场发射阴极电极的边缘，充分利用边缘增强效应，增强栅极调控作用，降低场发射阴极开启电场，提高前栅型场发射显示器件的阴极场发射性能，简化工艺程序，降低制造成本。

公开(公告)号：CN102243973A

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN201110142206.4

申请日：2011-05-30

Applicant: 福州大学

Inventor： 郭太良 ,  叶芸 ,  洪春燕 ,  林贺 ,  肖晓晶

IPC: H01J29/02 ,  H01J9/02

Abstract: 本发明公开了一种碳纳米材料复合场致电子发射膜，其包括碳纳米材料，含量为10%-70%；至少一种选自ZnO，SnO2、In2O3、PdO、Sb2O3、ZrC、HfC、WC、HfB2、ZrB2、LaB6、CeB6、YB4、GdB4、ZrN、Al-AlN和HfN的半导体金属氧化物纳米颗粒，含量为30%-90%。该碳纳米材料复合场致电子发射膜能够防止在印刷过程中由于栅极边沿毛刺而导致的栅阴短路现象。采用所述碳纳米材料复合场致电子发射膜形成的场致发射显示器，可以简化生产工艺，降低制造成本，提高工作可靠性，提高分辨率。本发明还公开一种碳纳米材料复合场致电子发射膜的制备方法。

公开(公告)号：CN102243973B

公开(公告)日：2013-02-27

申请号：CN201110142206.4

申请日：2011-05-30

Applicant: 福州大学

Inventor： 郭太良 ,  叶芸 ,  洪春燕 ,  林贺 ,  肖晓晶

IPC: H01J29/02 ,  H01J9/02

Abstract: 本发明公开了一种碳纳米材料复合场致电子发射膜，其包括碳纳米材料，含量为10%-70%；至少一种选自ZnO，SnO2、In2O3、PdO、Sb2O3、ZrC、HfC、WC、HfB2、ZrB2、LaB6、CeB6、YB4、GdB4、ZrN、Al-AlN和HfN的半导体金属氧化物纳米颗粒，含量为30%-90%。该碳纳米材料复合场致电子发射膜能够防止在印刷过程中由于栅极边沿毛刺而导致的栅阴短路现象。采用所述碳纳米材料复合场致电子发射膜形成的场致发射显示器，可以简化生产工艺，降低制造成本，提高工作可靠性，提高分辨率。本发明还公开一种碳纳米材料复合场致电子发射膜的制备方法。