一维氧化铟/硫化铟复合半导体纳米纤维的一步合成方法

    公开(公告)号:CN112264045B

    公开(公告)日:2021-08-31

    申请号:CN202011396591.0

    申请日:2020-12-04

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明提供了一维In2O3/In2S3复合半导体纳米纤维的一步合成方法,通过设计前驱体纺丝液反应体系,在静电纺丝设备中进行喷射纺丝;所制得的前驱体纤维在管式炉中进行高温煅烧,得到一维In2O3/In2S3复合半导体纳米纤维。本发明通过设计前驱体纺丝液反应体系,调控纺丝参数和调节煅烧条件,得到尺寸均一、形貌可控的一维In2O3/In2S3复合半导体纳米纤维。本发明制备工艺简单,易于调控,选用的原料来源广泛,价格低廉,符合实际生产需要,在气敏传感、光催化、电催化、新半导体材料等领域具有较大的应用潜力。

    一维氧化铟/硫化铟复合半导体纳米纤维的一步合成方法

    公开(公告)号:CN112264045A

    公开(公告)日:2021-01-26

    申请号:CN202011396591.0

    申请日:2020-12-04

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明提供了一维In2O3/In2S3复合半导体纳米纤维的一步合成方法,通过设计前驱体纺丝液反应体系,在静电纺丝设备中进行喷射纺丝;所制得的前驱体纤维在管式炉中进行高温煅烧,得到一维In2O3/In2S3复合半导体纳米纤维。本发明通过设计前驱体纺丝液反应体系,调控纺丝参数和调节煅烧条件,得到尺寸均一、形貌可控的一维In2O3/In2S3复合半导体纳米纤维。本发明制备工艺简单,易于调控,选用的原料来源广泛,价格低廉,符合实际生产需要,在气敏传感、光催化、电催化、新半导体材料等领域具有较大的应用潜力。

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