一种低噪声自偏置带隙基准电路
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118778749A

    公开(公告)日:2024-10-15

    申请号:CN202410703797.5

    申请日:2024-05-31

    Abstract: 本发明涉及一种低噪声自偏置带隙基准电路,属于集成电路领域。提出了一种适用于低功耗场景下的直流失调消除技术,减弱了传统带隙结构电阻网络对失调电压的影响;同时,提出了一种新型的基于翻转电压跟随器的电压自调节技术,在实现小面积的同时具备超高的电源抑制比和低噪声性能。本发明实现了一个超高电源抑制比、低噪声、低功耗的带隙基准电路,可以应用于对基准电压稳定性要求较高的场景下,成为一种有效的基准电路解决方案。

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