一种疏水SiO2增透膜的制备方法

    公开(公告)号:CN106477908A

    公开(公告)日:2017-03-08

    申请号:CN201610888212.7

    申请日:2016-10-12

    CPC classification number: C03C17/25 C03C2217/213 C03C2218/111

    Abstract: 本发明公开了一种疏水SiO2增透膜的制备方法,具体步骤:将无机前驱体正硅酸乙酯、有机前驱体辛基三乙氧基硅烷、无水乙醇、氨水按质量比为11.0-15.6:1-8:130-200:3.6-6.6混合,在25-50 ℃磁力搅拌0.5-12h,然后装在密闭的玻璃容器中陈化3-30天,采用浸渍-提拉法进行镀膜。其过程简单高效,能有效提高其光学稳定性,提高SiO2增透膜疏水性。

    一种用十二烷基三乙氧基硅烷制备疏水SiO2增透膜的方法

    公开(公告)号:CN106477909A

    公开(公告)日:2017-03-08

    申请号:CN201610888321.9

    申请日:2016-10-12

    CPC classification number: C03C17/25 C03C2217/213 C03C2217/70 C03C2218/111

    Abstract: 本发明提供了一种用十二烷基三乙氧基硅烷制备疏水SiO2增透膜的方法,具体步骤:将正硅酸乙酯、十二烷基三乙氧基硅烷、无水乙醇和氨水按质量比11.0-15.6:1-8:130-200:3.6-6.6混合加入到密闭的玻璃容器中,先在25-50℃搅拌0.5-12 h,然后在20-40℃陈化3-30天;在环境相对湿度为20%以下,采用浸渍-提拉法在清洗干净的基片上镀膜,所得的膜层即为疏水的SiO2增透膜。其过程快捷高效,提高增透膜增透膜的疏水性,增加增透膜在太阳能系统等光学领域的使用寿命。

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