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公开(公告)号：CN102713758A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201080060221.8
申请日：2010-12-10
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: G03F7/11 , G03F7/075 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0752 , C08G77/16 , C08G77/18 , C08L83/04 , C08L83/06 , G03F7/11 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/0332
Abstract: 提供了一种抗蚀剂底层组合物，包括有机硅烷系缩聚化合物和溶剂，其中该有机硅烷系缩聚化合物包含40mol%至80mol%由以下化学式1表示的结构单元。因此，本发明涉及一种能够提供优异的图案转印特性的抗蚀剂底层组合物、利用具有优异的储存稳定性和耐蚀刻性的抗蚀剂底层、以及利用其制造半导体集成电路器件的方法。
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公开(公告)号：CN102713758B
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201080060221.8
申请日：2010-12-10
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: G03F7/11 , G03F7/075 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0752 , C08G77/16 , C08G77/18 , C08L83/04 , C08L83/06 , G03F7/11 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/0332
Abstract: 提供了一种抗蚀剂底层组合物，包括有机硅烷系缩聚化合物和溶剂，其中该有机硅烷系缩聚化合物包含40mol%至80mol%由以下化学式1表示的结构单元。因此，本发明涉及一种能够提供优异的图案转印特性的抗蚀剂底层组合物、利用具有优异的储存稳定性和耐蚀刻性的抗蚀剂底层、以及利用其制造半导体集成电路器件的方法。
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公开(公告)号：CN102819192A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201210272558.6
申请日：2009-12-30
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: G03F7/11 , G03F7/075 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/11 , C08K5/54 , G03F7/0752
Abstract: 本发明提供了一种抗蚀剂下层组合物及利用其制造集成电路器件的方法。所述抗蚀剂下层组合物包括由以下化学式1至3表示的化合物中的至少一种以及由以下化学式4和5表示的化合物中的至少一种的有机硅烷基聚合产物，以及溶剂。在以下化学式1至5中，R1至R10、X、n以及m与在说明书中所限定的相同。[化学式1][R1]3Si-(CH2)nR2[化学式2][化学式3][R6]3Si-R7-Si[R6]3[化学式4][R8]3Si-R9[化学式5][R10]3Si-X-Si[R10]3。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102819192B
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201210272558.6
申请日：2009-12-30
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: G03F7/11 , G03F7/075 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/11 , C08K5/54 , G03F7/0752
Abstract: 本发明提供了一种抗蚀剂下层组合物及利用其制造集成电路器件的方法。所述抗蚀剂下层组合物包括由以下化学式1至3表示的化合物中的至少一种以及由以下化学式4和5表示的化合物中的至少一种的有机硅烷基聚合产物，以及溶剂。在以下化学式1至5中，R1至R10、X、n以及m与在说明书中所限定的相同。[化学式1] [R1]3Si-(CH2)nR2[化学式2][化学式3] [R6]3Si-R7-Si[R6]3[化学式4] [R8]3Si-R9[化学式5] [R10]3Si-X-Si[R10]3。
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公开(公告)号：CN101910947B
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN200880124489.6
申请日：2008-12-31
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: G03F7/11
CPC classification number: H01L21/31144 , C08G77/16 , C08G77/50 , C08G77/52 , C08G77/70 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/0332 , H01L21/3081 , H01L21/3122 , H01L21/32139
Abstract: 本发明提供了一种硅基硬掩模组合物。该硬掩模组合物包含(a)有机硅烷聚合物及(b)溶剂。该有机硅烷聚合物以式1表示：{(SiO1.5-Y-SiO1.5)x(R3SiO1.5)y(XSiO1.5)z}(OH)e(OR6)f(1)。在式1中，x、y及z表示聚合物中的重复单元(SiO1.5-Y-SiO1.5)、(R3SiO1.5)及(XSiO1.5)的相对比例，且满足关系式0.05≤x≤0.9、0.05≤y≤0.9、0≤z≤0.9及x+y+z＝1；e及f分别表示键结至硅(Si)原子的末端-OH基数目及末端-OR基数目对聚合物中的2x+y+z硅(Si)原子数目之比，且满足关系式0.03≤e≤0.2及0.03≤f≤0.25；X为含有至少一个经取代或未经取代的芳香环的C6-C30官能基；R3为C1-C6烷基；Y为选自由芳香环、经取代或未经取代的直链或支链C1-C20亚烷基、主链中含有至少一个芳香环或杂环系环或具有至少一个脲基或异氰尿酸酯基的C1-C20亚烷基及含有至少一个多重键的C2-C20烃基所组成的组中的连接基；及R6为C1-C6烷基。
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公开(公告)号：CN102713757A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201080059506.X
申请日：2010-12-08
Applicant: 第一毛织株式会社
CPC classification number: G03F7/0752 , G03F7/094 , G03F7/11
Abstract: 提供了一种抗蚀剂下层组合物，包括：有机硅烷类缩聚物以及溶剂。该有机硅烷类缩聚物以10到40mol%由说明书中化学式1表示的结构单元提供。因此，本发明提供一种可传输优异图案以形成具有优异的存储稳定性和耐蚀刻性的抗蚀剂下层的抗蚀剂下层组合物，且本发明还涉及使用该抗蚀剂下层组合物制造半导体集成电路器件的方法。
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公开(公告)号：CN101910947A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200880124489.6
申请日：2008-12-31
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: G03F7/11
CPC classification number: H01L21/31144 , C08G77/16 , C08G77/50 , C08G77/52 , C08G77/70 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/0332 , H01L21/3081 , H01L21/3122 , H01L21/32139
Abstract: 本发明提供了一种硅基硬掩模组合物。该硬掩模组合物包含(a)有机硅烷聚合物及(b)溶剂。该有机硅烷聚合物以式1表示：{(SiO1.5-Y-SiO1.5)x(R3SiO1.5)y(XSiO1.5)z}(OH)e(OR6)f(1)。在式1中，x、y及z表示聚合物中的重复单元(SiO1.5-Y-SiO1.5)、(R3SiO1.5)及(XSiO1.5)的相对比例，且满足关系式0.05≤x≤0.9、0.05≤y≤0.9、0≤z≤0.9及x+y+z＝1；e及f分别表示键结至硅(Si)原子的末端-OH基数目及末端-OR基数目对聚合物中的2x+y+z硅(Si)原子数目之比，且满足关系式0.03≤e≤0.2及0.03≤f≤0.25；X为含有至少一个经取代或未经取代的芳香环的C6-C30官能基；R3为C1-C6烷基；Y为选自由芳香环、经取代或未经取代的直链或支链C1-C20亚烷基、主链中含有至少一个芳香环或杂环系环或具有至少一个脲基或异氰尿酸酯基的C1-C20亚烷基及含有至少一个多重键的C2-C20烃基所组成的组中的连接基；及R6为C1-C6烷基。
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公开(公告)号：CN101770176A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN200910215844.7
申请日：2009-12-30
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: G03F7/11 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/11 , C08K5/54 , G03F7/0752
Abstract: 本发明披露了一种抗蚀剂下层组合物，其包括由以下化学式1至3表示的化合物中的至少一种以及由以下化学式4和5表示的化合物中的至少一种的有机硅烷基聚合产物，以及溶剂。在以下化学式1至5中，R1至R10、X、n以及m与在说明书中所限定的相同。[化学式1][R1]3Si-(CH2)nR2[化学式2][化学式3][R6]3Si-R7-Si[R6]3[化学式4][R8]3Si-R9[化学式5][R10]3Si-X-Si[R10]3。
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