公开(公告)号：CN1217429C

公开(公告)日：2005-08-31

申请号：CN96190271.X

申请日：1996-04-01

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 高野靖 ,  关琢巳 ,  吉水靖博 ,  井上孝

IPC: H01L49/00

CPC classification number: H01L45/00 ,  G02F1/1365

Abstract: 在包括Ta电极层(16)、阳极氧化膜(18)和Cr电极层(20)的MIM型非线性元件(50)的制造方法中，首先在透明基片(12)上设有氧化钽膜(14)，在其上设有Ta电极层(16)、在其上设有阳极氧化膜(18)。之后进行热处理。热处理的最终降温工序是在含有水蒸汽的气氛中进行。之后，形成设有Cr电极层(20)的MIM型非浅性元件(50)。通过在含有水蒸汽的气氛中进行热处理，能够提高MIM型非线性元件的非线性特性，也能够提高断开时的电阻值特性。

公开(公告)号：CN1187631A

公开(公告)日：1998-07-15

申请号：CN98103902.2

申请日：1998-01-04

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 井上孝 ,  高野靖 ,  直野秀昭 ,  伊藤涉 ,  浅川勉 ,  宇敷武义

IPC: G02F1/133

CPC classification number: H01L45/00 ,  G02F1/1365

Abstract: 提供一种时效变化小的MIM型非线性元件、使用了这种元件的液晶显示屏、以及这种元件的制造方法。这种元件包括第1导电膜、绝缘膜及第2导电膜。在利用SIMS的元素分析中,氢光谱在峰值强度小1位的强度处,在深度方向上的厚度为10nm以上。在热解吸分光谱中,氢光谱的峰值温度为300℃以上。制造这种元件的方法包括形成第1导电膜、在300℃以上进行热处理、形成绝缘膜及形成第2导电膜等工序。

公开(公告)号：CN1117401C

公开(公告)日：2003-08-06

申请号：CN98103902.2

申请日：1998-01-04

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 井上孝 ,  高野靖 ,  直野秀昭 ,  伊藤涉 ,  浅川勉 ,  宇敷武义

IPC: H01L49/00 ,  G02F1/133

CPC classification number: H01L45/00 ,  G02F1/1365

Abstract: 提供一种时效变化小的MIM型非线性元件、使用了这种元件的液晶显示屏、以及这种元件的制造方法。这种元件包括第1导电膜、绝缘膜及第2导电膜。在利用SIMS的元素分析中，氢光谱在峰值强度小1位的强度处，在深度方向上的厚度为10nm以上。在热解吸分光谱中，氢光谱的峰值温度为300℃以上。制造这种元件的方法包括形成第1导电膜、在300℃以上进行热处理、形成绝缘膜及形成第2导电膜等工序。

公开(公告)号：CN1149932A

公开(公告)日：1997-05-14

申请号：CN96190271.X

申请日：1996-04-01

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 高野靖 ,  关琢巳 ,  吉水靖博 ,  井上孝

IPC: H01L49/00

CPC classification number: H01L45/00 ,  G02F1/1365

Abstract: 在包括Ta电极层(16)、阳极氧化膜(18)和Cr电极层(20)的MIM型非线性元件(50)的制造方法中，首先在透明基片(12)上设有氧化钽膜(14)，在其上设有Ta电极层(16)、在其上设有阳极氧化膜(18)。之后进行热处理。热处理的最终降温工序是在含有水蒸汽的气氛中进行。之后，形成设有Cr电极层(20)的MIM型非浅性元件(50)。通过在含有水蒸汽的气氛中进行热处理，能够提高MIM型非线性元件的非线性特性，也能够提高断开时的电阻值特性。