公开(公告)号：CN1881062B

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN200610099739.8

申请日：1996-10-02

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 佐藤尚

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/13 ,  H01L21/00 ,  H01L27/00

CPC classification number: H01L27/0266 ,  G02F1/136204 ,  G02F2202/103 ,  H01L27/0255 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种有源矩阵基板，该基板的构成包含薄膜晶体管(TFT)和连接到其薄膜晶体管一端的象素电极的象素部分，其特征在于：具备设备在上述扫描线及信号线中至少一条线或与其线电等效的部位和共用电位线之间的、使用了薄膜晶体管的防止静电破坏用装置；上述防止静电破坏用装置构成为包含在将栅极电极层、栅极绝缘膜、沟道层、源、漏极电极层、保护层重叠而成的薄膜晶体管中连接栅极电极层和源、漏电极层而构成的二极管；在同一制造工序中形成用于电连接上述栅极电极层和源、漏极电极层的、选择性地除去上述栅极电极层上的上述栅极绝缘膜和上述保护膜构成的第1开口，和选择性地除去上述源、漏极电极层上的上述保护膜构成的第2开口。

公开(公告)号：CN102243409A

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN201110090485.4

申请日：2011-04-12

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 佐藤尚

IPC: G02F1/167 ,  G09G3/34

CPC classification number: G02F1/1362 ,  G02F2001/1676 ,  G09G3/344 ,  G09G2300/0452 ,  G09G2300/0809

Abstract: 本发明目的之一是提供，通过控制电泳微粒的移动，可控制明度、彩度、色相的3个或至少一个并可进行良好彩色显示的电泳显示装置及电子设备。本发明的电泳显示装置，具备：第1基板及第2基板；电泳层，其在上述第1基板及上述第2基板之间配置，并至少具有分散介质和在上述分散介质内混入的微粒；多个第1电极及多个第2电极，其在上述第1基板的上述电泳层侧岛状形成，且在1像素内设置；以及第3电极，其在上述第2基板的上述电泳层侧形成，且面积比上述第1电极及上述第2电极大；其中，上述第1电极及上述第2电极相互独立地被驱动，通过从上述第2电极侧观察上述电泳层时视认的上述微粒的面积来控制灰度。

公开(公告)号：CN102064196A

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN201010548605.6

申请日：2010-11-12

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 佐藤尚

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L27/1237 ,  H01L27/1255

Abstract: 本发明提供半导体装置用基板及其制造方法、半导体装置及电子设备，其在半导体装置用基板中，实现对于在基板上形成的各种绝缘膜所要求的各种规格的个别适应，并且实现对于省资源以及低成本的要求的适应。半导体装置用基板在基板(10)上具备：晶体管(30)，其包括半导体层(30a)、以至少部分地重叠于半导体层的方式形成为岛状的第1绝缘膜(30c)以及隔着第1绝缘膜与半导体层相对配置的栅电极(30b)；以及第2绝缘膜(31)，其与第1绝缘膜配置在同一层，且以材料以及膜厚的至少一方与第1绝缘膜相互不同的方式形成为岛状。

公开(公告)号：CN101369579A

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：CN200810213232.X

申请日：1996-10-02

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 佐藤尚

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L27/0266 ,  G02F1/136204 ,  G02F2202/103 ,  H01L27/0255 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种有源矩阵基板，该基板的构成包含薄膜晶体管(TFT)和连接到其薄膜晶体管一端的象素电极的象素部分，其特征在于：具备设备在上述扫描线及信号线中至少一条线或与其线电等效的部位和共用电位线之间的、使用了薄膜晶体管的防止静电破坏用装置；上述防止静电破坏用装置构成为包含在将栅极电极层、栅极绝缘膜、沟道层、源、漏极电极层、保护层重叠而成的薄膜晶体管中连接栅极电极层和源、漏电极层而构成的二极管；在同一制造工序中形成用于电连接上述栅极电极层和源、漏极电极层的、选择性地除去上述栅极电极层上的上述栅极绝缘膜和上述保护膜构成的第1开口，和选择性地除去上述源、漏极电极层上的上述保护膜构成的第2开口。

公开(公告)号：CN1881062A

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：CN200610099739.8

申请日：1996-10-02

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 佐藤尚

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/13 ,  H01L21/00 ,  H01L27/00

CPC classification number: H01L27/0266 ,  G02F1/136204 ,  G02F2202/103 ,  H01L27/0255 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种有源矩阵基板，该基板的构成包含薄膜晶体管(TFT)和连接到其薄膜晶体管一端的象素电极的象素部分，其特征在于：具备设备在上述扫描线及信号线中至少一条线或与其线电等效的部位和共用电位线之间的、使用了薄膜晶体管的防止静电破坏用装置；上述防止静电破坏用装置构成为包含在将栅极电极层、栅极绝缘膜、沟道层、源、漏极电极层、保护层重叠而成的薄膜晶体管中连接栅极电极层和源、漏电极层而构成的二极管；在同一制造工序中形成用于电连接上述栅极电极层和源、漏极电极层的、选择性地除去上述栅极电极层上的上述栅极绝缘膜和上述保护膜构成的第1开口，和选择性地除去上述源、漏极电极层上的上述保护膜构成的第2开口。

公开(公告)号：CN1221843C

公开(公告)日：2005-10-05

申请号：CN02119320.7

申请日：1996-10-02

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 佐藤尚

IPC: G02F1/136 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/0266 ,  G02F1/136204 ,  G02F2202/103 ,  H01L27/0255 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种有源矩阵基板，该基板的构成包含薄膜晶体管(TFT)和连接到其薄膜晶体管一端的象素电极的象素部分，其特征在于：具备设备在上述扫描线及信号线中至少一条线或与其线电等效的部位和共用电位线之间的、使用了薄膜晶体管的防止静电破坏用装置；上述防止静电破坏用装置构成为包含在将栅极电极层、栅极绝缘膜、沟道层、源、漏极电极层、保护层重叠而成的薄膜晶体管中连接栅极电极层和源、漏电极层而构成的二极管；在同一制造工序中形成用于电连接上述栅极电极层和源、漏极电极层的、选择性地除去上述栅极电极层上的上述栅极绝缘膜和上述保护膜构成的第1开口，和选择性地除去上述源、漏极电极层上的上述保护膜构成的第2开口。

公开(公告)号：CN1624551A

公开(公告)日：2005-06-08

申请号：CN200410100108.4

申请日：1996-10-02

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 佐藤尚

IPC: G02F1/136 ,  G02F1/1345 ,  H01L29/786 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L27/0266 ,  G02F1/136204 ,  G02F2202/103 ,  H01L27/0255 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种有源矩阵基板，该基板的构成包含薄膜晶体管(TFT)和连接到其薄膜晶体管一端的象素电极的象素部分，其特征在于：具备设备在上述扫描线及信号线中至少一条线或与其线电等效的部位和共用电位线之间的、使用了薄膜晶体管的防止静电破坏用装置；上述防止静电破坏用装置构成为包含在将栅极电极层、栅极绝缘膜、沟道层、源、漏极电极层、保护层重叠而成的薄膜晶体管中连接栅极电极层和源、漏电极层而构成的二极管；在同一制造工序中形成用于电连接上述栅极电极层和源、漏极电极层的、选择性地除去上述栅极电极层上的上述栅极绝缘膜和上述保护膜构成的第1开口，和选择性地除去上述源、漏极电极层上的上述保护膜构成的第2开口。

公开(公告)号：CN102163608B

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201110035092.3

申请日：2011-02-09

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 佐藤尚

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  G02F1/167

CPC classification number: G02F1/136204 ,  G02F1/167 ,  H01L27/124 ,  H01L51/0096

Abstract: 本发明提供电光装置用基板、电光装置以及电子设备。电光装置具备：基板；按每一像素设置的像素电极；与像素电极相比隔着层间绝缘膜靠下层侧按每一像素设置、与像素电极连接的像素晶体管；设置于周边区域的周边晶体管；在不形成像素晶体管及周边晶体管的栅绝缘膜及层间绝缘膜的区域内与像素电极由同一膜形成、与周边晶体管连接的连接线。

公开(公告)号：CN102486907A

公开(公告)日：2012-06-06

申请号：CN201110393718.8

申请日：2011-12-01

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 佐藤尚

IPC: G09F9/30

CPC classification number: H01L27/124 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/78693 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供薄膜晶体管形成用基板、半导体装置、电装置。该薄膜晶体管形成用基板，在基板主体的厚度方向的任一个面具有薄膜晶体管的构成要素即源电极、漏电极、栅电极的至少一个或具有第1电极；在前述基板主体的内部埋入有连接于前述源电极、前述漏电极、前述栅电极以及前述第1电极的任一个的埋入布线。

公开(公告)号：CN101329199A

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200810126649.2

申请日：2008-06-17

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 石井良 ,  佐藤尚 ,  国森隆志

IPC: G01J1/02 ,  G02F1/1362

CPC classification number: G01J1/46 ,  G01J1/02 ,  G01J1/0228 ,  G01J1/0238

Abstract: 本发明提供一种传感电路，使用光电变换特性相同的a－Si TFT(1)和a－Si TFT(2)。利用滤光器(3)减少a－Si TFT(1)的入射光量，使a－Si TFT(1)的光劣化进展延迟。根据a－Si TFT(1、2)的漏电流的测量值(i1’、i2’)、存储器中存储的累计照度－光劣化率描述数据，确定a－Si TFT(2)的光劣化率(d2)或a－Si TFT(1)的光劣化率(d1)，利用确定的光劣化率(d2)或(d1)来求出环境光的照度。由此，可使用2个检测特性相同的检测元件正确地校正检测元件因随时间劣化而引起的检测值的偏差。