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公开(公告)号：CN101776967A
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN201010001452.3
申请日：2010-01-08
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 傅田敦
IPC: G06F3/041
CPC classification number: G06F3/044 , G06F2203/04111
Abstract: 本发明提供一种抑制了制造成本的触摸面板的制造方法、触摸面板、图像显示装置及电子设备。该触摸面板的制造方法，是具有基板、在基板的功能面上形成并且在相互交叉的方向上延伸的多个第1电极及多个第2电极的触摸面板的制造方法，包括：电极成膜工序(S10)，其在基板上，形成多个第1电极和将第2电极在与第1电极的交叉部分处断开而成的形状的电极膜；绝缘膜形成工序(S30)，其至少在成为与第2电极的交叉部分的位置的第1电极上，使用印刷法形成绝缘膜；以及桥接布线形成工序(S40)，其使用印刷法形成经过绝缘膜上方连接电极膜之间的桥接布线。
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公开(公告)号：CN101908565A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN201010196454.2
申请日：2010-06-02
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L31/042 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/022466 , H01L31/022425 , H01L31/022433 , H01L31/02366 , H01L31/03923 , H01L31/046 , H01L31/0465 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及太阳电池及其制造方法。提供高效率的太阳电池。具备基板、形成于前述基板之上的下部电极层、形成于前述下部电极层之上的半导体层、和形成于前述半导体层之上的上部电极层；前述下部电极层以形成于前述基板之上的第1下部电极层、和形成于前述第1下部电极层之上的第2下部电极层所构成；前述第1下部电极层相比于前述第2下部电极层，以电阻率较低的材料所形成。
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公开(公告)号：CN100399566C
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200510092633.0
申请日：2005-08-19
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H01L27/12 , H01L27/124 , H01L27/1292
Abstract: 本发明提供一种有源矩阵基板的制造方法，能够在半导体膜和像素电极之间喷出导电性材料形成导电膜时，防止导电性材料从半导体膜上流出，确保导电膜有充分的膜厚。有源矩阵基板(20)，在基板(P)上具备：格子图形的布线(40、42)；像素电极(45)，配置在布线(40、42)包围的区域中；开关元件(30)，通过导电膜(44)，与像素电极(45)和布线(42)电连接。该有源矩阵基板(20)具备辅助导电部(50)，将像素电极(45)与导电膜(44)电连接。此外，在辅助导电部(50)上的一部分上还具备堤坝(61)。
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公开(公告)号：CN101908566A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN201010196489.6
申请日：2010-06-02
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L31/042 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0749 , H01L31/022425 , H01L31/0392 , H01L31/03923 , H01L31/03925 , H01L31/046 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及太阳电池及其制造方法。提供转换效率高的太阳电池。具有基板、形成于前述基板之上的第1电极层、形成于前述第1电极层之上的半导体层、和形成于前述半导体层之上的第2电极层；在前述半导体层的一部分，设置有从前述第1电极层到达前述第2电极层的槽部，在前述槽部，形成有具有导电性的接触层。
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公开(公告)号：CN1740886A
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：CN200510095970.5
申请日：2005-08-29
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: G02F1/1368 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/12 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , H01L27/124 , H01L27/1292
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够减少干式法和光刻法蚀刻组合的工序次数的有源矩阵基板的制造方法等。有源矩阵基板(20)的制造方法，包括：第1工序，在基板(P)上形成使第1方向或第2方向中某一方的布线(42)在交差部(56)中被截断的栅格图案的布线(40)、(42)、(46)；第2工序，在交差部(56)以及布线(40、42、46)的一部分上形成由绝缘膜和半导体膜(30)构成的层叠部；和第3工序，形成在层叠部上与被截断的布线(42)电联接的导电层(49)以及通过半导体膜(30)与布线(42)电连接的像素电极(45)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100592516C
公开(公告)日：2010-02-24
申请号：CN200610058869.7
申请日：2006-03-08
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L27/02 , G02F1/1368
CPC classification number: G02F1/136286 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , G02F1/136213 , G02F1/1368 , G02F2001/136295 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L27/1292
Abstract: 本发明提供一种像素构造，具有像素电极(20)、与该像素电极(20)对应的开关元件(10)。像素电极(20)和开关元件(10)被形成于同一基板(P)上，像素电极(20)被配置于基板(P)侧的层(第1层L1)中，而不是开关元件(10)的半导体层(11)中。根据本发明，可以提供制造工艺的半导体层的热的限制的影响少、有利于低成本化的像素构造。
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公开(公告)号：CN100383921C
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200510106871.2
申请日：2005-09-27
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 傅田敦
IPC: H01L21/02 , H01L21/336
CPC classification number: H01L51/0022 , H01L27/1292 , H01L29/458
Abstract: 本发明提供一种功能膜的制造方法，其特征在于，包括：将含有熔点为900℃以上且使粒径为30nm～150nm时的熔点为255℃以上的金属和金属氧化物材料作为溶质的第1油墨配置于基板(P)上的工序、在已配置的第1油墨上配置含有金属有机盐作为溶质的第2油墨X2的工序。由此，本发明提供与烧成温度无关、即即使在将烧成温度设定为低温的情况下膜表面的平坦性和膜的致密性也良好且可以充分确保需要的膜特性的功能膜的制造方法。
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公开(公告)号：CN1832173A
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200610058869.7
申请日：2006-03-08
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L27/02 , G02F1/1368
CPC classification number: G02F1/136286 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , G02F1/136213 , G02F1/1368 , G02F2001/136295 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L27/1292
Abstract: 本发明提供一种像素构造，具有像素电极(20)、与该像素电极(20)对应的开关元件(10)。像素电极(20)和开关元件(10)被形成于同一基板(P)上，像素电极(20)被配置于基板(P)侧的层(第1层L1)中，而不是开关元件(10)的半导体层(11)中。根据本发明，可以提供制造工艺的半导体层的热的限制的影响少、有利于低成本化的像素构造。
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公开(公告)号：CN101770127B
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201010002104.8
申请日：2006-03-08
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1368 , H01L21/77 , H01L27/12
CPC classification number: G02F1/136286 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , G02F1/136213 , G02F1/1368 , G02F2001/136295 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L27/1292
Abstract: 本发明提供一种像素构造，具有像素电极(20)、与该像素电极(20)对应的开关元件(10)。像素电极(20)和开关元件(10)被形成于同一基板(P)上，像素电极(20)被配置于基板(P)侧的层(第1层L1)中，而不是开关元件(10)的半导体层(11)中。根据本发明，可以提供制造工艺的半导体层的热的限制的影响少、有利于低成本化的像素构造。
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公开(公告)号：CN101770127A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN201010002104.8
申请日：2006-03-08
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1368 , H01L21/77 , H01L27/12
CPC classification number: G02F1/136286 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , G02F1/136213 , G02F1/1368 , G02F2001/136295 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L27/1292
Abstract: 本发明提供一种像素构造，具有像素电极(20)、与该像素电极(20)对应的开关元件(10)。像素电极(20)和开关元件(10)被形成于同一基板(P)上，像素电极(20)被配置于基板(P)侧的层(第1层L1)中，而不是开关元件(10)的半导体层(11)中。根据本发明，可以提供制造工艺的半导体层的热的限制的影响少、有利于低成本化的像素构造。
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