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公开(公告)号：CN1790766A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200510116255.5
申请日：2005-11-04
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H01L51/0541 , H01L51/0021 , H01L51/0052
Abstract: 本发明的薄膜晶体管(1)具有彼此分离设置的源电极(20a)以及漏电极(20b)、在源电极(20a)和漏电极(20b)的表面形成的有机膜(60)、以覆盖源电极(20a)和漏电极(20b)且与有机膜(60)接触的方式设置的有机半导体层(30)、在有机半导体层(30)上设置的栅极绝缘层(40)、和在栅极绝缘层(40)上设置的栅电极(60)。有机膜(60)优选使含有用通式：CF3(CF2)m(CH2)nSH(其中m表示1～35的整数，n表示2～33的整数)表示的非共轭系有机化合物的有机化合物与源电极(20a)和漏电极(20b)的表面结合而成的膜。由此，本发明提供特性出色而且可以防止特性随时间发生劣化的电子器件、使用该电子器件的显示装置以及电子设备。
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公开(公告)号：CN100440437C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200510076107.5
申请日：2005-06-08
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/208 , H01L21/336
Abstract: 本发明的目的是提供一种通过简易且廉价的工序以亚微数量级的精度形成薄膜晶体管用的栅电极和半导体膜的技术。本发明提供的薄膜晶体管的制造方法，包括半导体膜薄膜的形成方法和/或栅电极的形成方法，其中半导体膜薄膜的形成方法包括：在基板上配置包含半导体材料的液滴(14)的工序；使液滴干燥，通过在该液滴的至少周边部析出半导体材料来形成半导体膜(16)的工序，而栅电极的形成方法包括：配置含导电性材料的液滴的工序；使液滴干燥，通过在该液滴的至少周边部析出导电性材料来形成栅电极的工序。
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公开(公告)号：CN1575993A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410063757.1
申请日：2004-07-07
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 增田贵史
IPC: B41J2/04
CPC classification number: B05D5/12 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , H01L51/0004
Abstract: 液体材料以液滴形式被放置在衬底上以在衬底上形成薄膜。液体材料中固体的浓度和液滴的干燥速度中至少一个被用作控制液滴的干薄膜形状的参数。此外，第一滴液滴被放置在衬底上，第一滴液滴被干燥以形成其形状为边部厚度大于中心部分厚度的干薄膜，第二滴液滴被放置在被第一滴液滴的干薄膜边缘部分环绕的区域中，以形成第二滴液滴的干薄膜。此外，液体材料以液滴形式被放置在衬底上以在衬底上形成薄膜，液滴的干薄膜通过收缩液滴而形成。
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公开(公告)号：CN100503243C
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200410063757.1
申请日：2004-07-07
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 增田贵史
IPC: B41J2/04
CPC classification number: B05D5/12 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , H01L51/0004
Abstract: 液体材料以液滴形式被放置在衬底上以在衬底上形成薄膜。液体材料中固体的浓度和液滴的干燥速度中至少一个被用作控制液滴的干薄膜形状的参数。此外，第一液滴被放置在衬底上，第一液滴被干燥以形成其形状为边部厚度大于中心部分厚度的干薄膜，第二液滴被放置在被第一液滴的干薄膜边缘部分环绕的区域中，以形成第二液滴的干薄膜。此外，液体材料以液滴形式被放置在衬底上以在衬底上形成薄膜，液滴的干薄膜通过收缩液滴而形成。
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公开(公告)号：CN100407368C
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200610132143.3
申请日：2004-07-07
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 增田贵史
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/208 , H01L21/288 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L21/027 , H01L51/00 , G03F7/16 , H05K3/10 , B05D3/02
Abstract: 液体材料以液滴形式被放置在衬底上以在衬底上形成薄膜。液体材料中固体的浓度和液滴的干燥速度中至少一个被用作控制液滴的干薄膜形状的参数。此外，第一液滴被放置在衬底上，第一液滴被干燥以形成其形状为边部厚度大于中心部分厚度的干薄膜，第二液滴被放置在被第一液滴的干薄膜边缘部分环绕的区域中，以形成第二液滴的干薄膜。此外，液体材料以液滴形式被放置在衬底上以在衬底上形成薄膜，液滴的干薄膜通过收缩液滴而形成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1933102A
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200610132144.8
申请日：2004-07-07
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 增田贵史
Abstract: 液体材料以液滴形式被放置在衬底上以在衬底上形成薄膜。液体材料中固体的浓度和液滴的干燥速度中至少一个被用作控制液滴的干薄膜形状的参数。此外，第一液滴被放置在衬底上，第一液滴被干燥以形成其形状为边部厚度大于中心部分厚度的干薄膜，第二液滴被放置在被第一液滴的干薄膜边缘部分环绕的区域中，以形成第二液滴的干薄膜。此外，液体材料以液滴形式被放置在衬底上以在衬底上形成薄膜，液滴的干薄膜通过收缩液滴而形成。
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公开(公告)号：CN1933101A
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200610132143.3
申请日：2004-07-07
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 增田贵史
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/208 , H01L21/288 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L21/027 , H01L51/00 , G03F7/16 , H05K3/10 , B05D3/02
Abstract: 液体材料以液滴形式被放置在衬底上以在衬底上形成薄膜。液体材料中固体的浓度和液滴的干燥速度中至少一个被用作控制液滴的干薄膜形状的参数。此外，第一液滴被放置在衬底上，第一液滴被干燥以形成其形状为边部厚度大于中心部分厚度的干薄膜，第二液滴被放置在被第一液滴的干薄膜边缘部分环绕的区域中，以形成第二液滴的干薄膜。此外，液体材料以液滴形式被放置在衬底上以在衬底上形成薄膜，液滴的干薄膜通过收缩液滴而形成。
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公开(公告)号：CN1719584A
公开(公告)日：2006-01-11
申请号：CN200510076107.5
申请日：2005-06-08
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/208 , H01L21/336
Abstract: 本发明的目的是提供一种通过简易且廉价的工序以亚微数量级的精度形成薄膜晶体管用的栅电极和半导体膜的技术。本发明提供的薄膜晶体管的制造方法，包括半导体膜薄膜的形成方法和/或栅电极的形成方法，其中半导体膜薄膜的形成方法包括：在基板上配置包含半导体材料的液滴(14)的工序；使液滴干燥，通过在该液滴的至少周边部析出半导体材料来形成半导体膜(16)的工序，而栅电极的形成方法包括：配置含导电性材料的液滴的工序；使液滴干燥，通过在该液滴的至少周边部析出导电性材料来形成栅电极的工序。
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公开(公告)号：CN1715270A
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN200510067080.3
申请日：2005-04-27
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: C07D207/46 , G03F7/004
CPC classification number: C07D207/46 , B05D1/185 , B05D5/083 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , G03C1/73 , G03F7/039 , G03F7/165
Abstract: 本发明提供了一种形成薄膜图案的方法，其中通过采用将含有以下化合物的液滴喷在具有功能部分的固相表面上的工序，可以容易地形成微细的膜图案，上述化合物具有当被波长长的紫外光照射时发生分解的结构和具备疏水性或/和疏油性的结构。
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公开(公告)号：CN100411097C
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200610132144.8
申请日：2004-07-07
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 增田贵史
Abstract: 液体材料以液滴形式被放置在衬底上以在衬底上形成薄膜。液体材料中固体的浓度和液滴的干燥速度中至少一个被用作控制液滴的干薄膜形状的参数。此外，第一液滴被放置在衬底上，第一液滴被干燥以形成其形状为边部厚度大于中心部分厚度的干薄膜，第二液滴被放置在被第一液滴的干薄膜边缘部分环绕的区域中，以形成第二液滴的干薄膜。此外，液体材料以液滴形式被放置在衬底上以在衬底上形成薄膜，液滴的干薄膜通过收缩液滴而形成。
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