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公开(公告)号：CN102684067B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201210062338.0
申请日：2012-03-09
Applicant: 索尼公司 , 国立大学法人东北大学
CPC classification number: H01S5/0602 , B82Y20/00 , H01S5/0425 , H01S5/0625 , H01S5/1064 , H01S5/3063 , H01S5/34333 , H01S2301/166
Abstract: 本发明涉及激光二极管元件组件及其驱动方法。一种激光二极管元件组件包括：激光二极管元件；以及光反射器，其中，激光二极管元件包括(a)层压结构体，所述层压结构体通过顺序层压由GaN基化合物半导体制成的第一导电型第一化合物半导体层，由GaN基化合物半导体制成且包括发光区域的第三化合物半导体层，以及由GaN基化合物半导体制成的第二导电型第二化合物半导体层而构成，第二导电型与第一导电型不同，(b)第二电极，形成在第二化合物半导体层上，(c)第一电极，电连接至第一化合物半导体层，层压结构体包括脊条形结构，脊条形结构的最小宽度Wmin和最大宽度Wmax满足1＜Wmax/Wmin＜3.3或6≤Wmax/Wmin≤13.3。
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公开(公告)号：CN102195232B
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201110045868.X
申请日：2011-02-24
Applicant: 索尼公司 , 国立大学法人东北大学
Abstract: 本发明提供了一种锁模半导体激光器件及其驱动方法，所述锁模半导体激光器件包括：层压结构，其中，逐次地层压第一化合物半导体层、具有发光区域的第三化合物半导体层和第二化合物半导体层，以及第二电极和第一电极；其中，层压结构形成在具有极性的化合物半导体基板上，第三化合物半导体层包括具有势阱层和势垒层的量子阱结构，势阱层具有1nm以上且10nm以下的深度，势垒层具有2×1018cm-3以上且1×1020cm-3以下的掺杂浓度，以及使电流从第二电极经由层压结构流至第一电极，而在发光区域中生成光脉冲。
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公开(公告)号：CN102856788A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201210034734.2
申请日：2010-03-19
Applicant: 索尼公司 , 国立大学法人东北大学
IPC: H01S5/0625 , H01S5/042 , H01S5/343 , B82Y20/00
CPC classification number: H01S5/0625 , B82Y20/00 , H01S5/0425 , H01S5/0602 , H01S5/0658 , H01S5/14 , H01S5/22 , H01S5/3216 , H01S5/34333
Abstract: 本发明涉及二分型半导体激光元件及其制造方法、以及其驱动方法。该半导体激光元件可以准确、可靠并容易地形成通过分离槽被分离的第二电极和脊结构。二分型半导体激光元件的制造方法包括以下各工序：(A)在形成第一化合物半导体层(30)、构成发光区域(41)和可饱和吸收区域(42)的化合物半导体层(40)、以及第二化合物半导体层(50)之后，(B)在第二化合物半导体层(50)上形成带状的第二电极(62)，(C)接下来，将第二电极(62)作为蚀刻用掩膜，至少对第二化合物半导体层(50)的一部分进行蚀刻，形成脊结构，(D)然后，以湿蚀刻法在第二电极(62)上形成分离槽(62C)，并且通过分离槽将第二电极分离成第一部分(62A)和第二部分(62B)。
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公开(公告)号：CN102545036A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110391356.9
申请日：2011-11-30
Applicant: 索尼公司 , 国立大学法人东北大学
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/06253 , H01S5/0658 , H01S5/1014 , H01S5/1064 , H01S5/141 , H01S5/22
Abstract: 本发明涉及一种激光二极管器件，所述激光二极管器件包括层压结构、第二电极和第一电极，在所述层压结构中，第一化合物半导体层、具有发光区和可饱和吸收区的第三化合物半导体层、以及第二化合物半导体层顺次层叠。所述层压结构具有脊条结构。所述第二电极被隔离槽分隔为第一部分和第二部分，所述第一部分用于经由所述发光区将直流电流施加至所述第一电极来获得正向偏压状态，所述第二部分用于将电场加至所述可饱和吸收区。当脊条结构的最小宽度是WMIN，并且在所述第二电极的第二部分和隔离槽之间的界面中的所述第二电极的第二部分的脊条结构的宽度是W2时，满足1＜W2/WMIN。
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公开(公告)号：CN102684067A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210062338.0
申请日：2012-03-09
Applicant: 索尼公司 , 国立大学法人东北大学
CPC classification number: H01S5/0602 , B82Y20/00 , H01S5/0425 , H01S5/0625 , H01S5/1064 , H01S5/3063 , H01S5/34333 , H01S2301/166
Abstract: 本发明涉及激光二极管元件组件及其驱动方法。一种激光二极管元件组件包括：激光二极管元件；以及光反射器，其中，激光二极管元件包括(a)层压结构体，所述层压结构体通过顺序层压由GaN基化合物半导体制成的第一导电型第一化合物半导体层，由GaN基化合物半导体制成且包括发光区域的第三化合物半导体层，以及由GaN基化合物半导体制成的第二导电型第二化合物半导体层而构成，第二导电型与第一导电型不同，(b)第二电极，形成在第二化合物半导体层上，(c)第一电极，电连接至第一化合物半导体层，层压结构体包括脊条形结构，脊条形结构的最小宽度Wmin和最大宽度Wmax满足1＜Wmax/Wmin＜3.3或6≤Wmax/Wmin≤13.3。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102629732B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201210020425.X
申请日：2012-01-29
Applicant: 索尼公司 , 国立大学法人东北大学
CPC classification number: H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/02268 , H01S5/02272 , H01S5/0265 , H01S5/0287 , H01S5/0425 , H01S5/0657 , H01S5/141 , H01S5/342 , H01S5/34333 , H01S5/4006 , H01S5/50 , H01S2301/176
Abstract: 本申请提供了一种具有阻止制造成本的增加与成品率和可靠性的减小的结构和构造并包括倾斜波导的次载具、次载具组件和次载具装配方法。具有第一表面并允许包括波导的半导体发光元件固定在第一表面上的次载具，波导具有相对于半导体发光元件的光入射/出射端面的法线倾斜θWG(度)的轴线，并由具有折射率nLE的半导体材料制成，次载具包括：第一表面上的熔接材料层；以及形成于熔接材料层中的对准标记，允许以角度θSM＝sin‑1[nLE·sin(θWG)/n0]识别对准标记，其中，半导体发光元件的光入射/出射端面的外部附近的透光介质的折射率是n0。
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公开(公告)号：CN102315590B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201110185441.X
申请日：2011-06-30
Applicant: 索尼公司 , 国立大学法人东北大学
CPC classification number: H01S5/1064 , H01S5/0425 , H01S5/0602 , H01S5/0657 , H01S5/16 , H01S5/22 , H01S5/32341 , H01S5/34333 , H01S5/50
Abstract: 本发明提供了一种半导体光放大器，其包括：层叠结构，该层叠结构依次包括由GaN化合物半导体构成并且具有第一导电类型的第一化合物半导体层、具有由GaN化合物半导体构成的光放大区的第三化合物半导体层以及由GaN化合物半导体构成并且具有第二导电类型的第二化合物半导体层；第二电极，其形成于第二化合物半导体层上；以及第一电极，其电连接于第一化合物半导体层。所述层叠结构具有脊状条纹结构。当在光出射端面中的脊状条纹结构以及在光入射端面中的脊状条纹结构的各宽度分别为Wout和Win时，则满足Wout＞Win。从光出射端面起，沿半导体光放大器的轴线而在层叠结构的内部区域中设置载流子非注入区。本发明可获得更大的光输出，并且使输出的激光变得稳定。
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公开(公告)号：CN101854028A
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN201010196194.9
申请日：2010-02-23
Applicant: 索尼公司 , 国立大学法人东北大学
IPC: H01S5/042
CPC classification number: H01S5/4006 , B82Y20/00 , H01S5/0428 , H01S5/06216 , H01S5/0658 , H01S5/14 , H01S5/2009 , H01S5/22 , H01S5/3063 , H01S5/3216 , H01S5/34333
Abstract: 提供一种具有简单组成和简单结构的、驱动超短脉冲和超高功率激光二极管器件的方法。在驱动激光二极管器件的方法中，光从光注入部件注入通过脉冲电流驱动的激光二极管器件，该脉冲电流具有如阈值电流值的10倍或更多倍大的值。
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公开(公告)号：CN101847826A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN201010138524.9
申请日：2010-03-19
Applicant: 索尼公司 , 国立大学法人东北大学
IPC: H01S5/0625 , H01S5/042
CPC classification number: H01S5/0625 , B82Y20/00 , H01S5/0425 , H01S5/0602 , H01S5/0658 , H01S5/14 , H01S5/22 , H01S5/3216 , H01S5/34333
Abstract: 本发明涉及二分型半导体激光元件及其制造方法、以及其驱动方法。该半导体激光元件可以准确、可靠并容易地形成通过分离槽被分离的第二电极和脊结构。二分型半导体激光元件的制造方法包括以下各工序：(A)在形成第一化合物半导体层(30)、构成发光区域(41)和可饱和吸收区域(42)的化合物半导体层(40)、以及第二化合物半导体层(50)之后，(B)在第二化合物半导体层(50)上形成带状的第二电极(62)，(C)接下来，将第二电极(62)作为蚀刻用掩膜，至少对第二化合物半导体层(50)的一部分进行蚀刻，形成脊结构，(D)然后，以湿蚀刻法在第二电极(62)上形成分离槽(62C)，并且通过分离槽将第二电极分离成第一部分(62A)和第二部分(62B)。
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公开(公告)号：CN102570298A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110319081.8
申请日：2011-10-19
Applicant: 索尼公司 , 国立大学法人东北大学
CPC classification number: H01S5/0657 , B82Y20/00 , H01S5/0064 , H01S5/0071 , H01S5/0078 , H01S5/028 , H01S5/0425 , H01S5/06251 , H01S5/101 , H01S5/1014 , H01S5/1085 , H01S5/141 , H01S5/16 , H01S5/2009 , H01S5/22 , H01S5/3063 , H01S5/309 , H01S5/3211 , H01S5/3216 , H01S5/34333 , H01S5/50 , H01S2301/176
Abstract: 本发明公开了激光二极管组件和半导体光学放大器组件。该激光二极管组件包括：锁模激光二极管器件，其中光输出谱通过自相位调制示出长波位移，外部谐振器和波长选择元件。由该波长选择元件提取从该锁模激光二极管器件穿过该外部谐振器发射的脉冲激光束的长波分量，并输出至外部。
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