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公开(公告)号：CN119732074A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202380059701.X
申请日：2023-06-30
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
IPC: H04N25/78
Abstract: 本发明能够进行电容负载读取，同时抑制电流消耗和稳定时间的增加。该成像装置包括：信号线，其电位基于根据从像素读取信号期间流动的电流而存储的电荷而改变；信号线晶体管，电连接至信号线；以及电压生成单元，串联连接至信号线晶体管并且能够生成高于0V的电压。像素可以包括：光电二极管；转移晶体管，将存储在光电二极管中的电荷转移至浮动扩散；复位晶体管，复位浮动扩散；放大晶体管，根据浮动扩散的电位输出信号；以及选择晶体管，连接在放大晶体管与信号线之间。
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