公开(公告)号：CN101595568A

公开(公告)日：2009-12-02

申请号：CN200880003389.8

申请日：2008-01-28

Applicant: 索尼株式会社 ,  独立行政法人理化学研究所

Inventor： 野本和正 ,  平井畅一 ,  安田亮一 ,  八木岩 ,  三成刚生 ,  塚越一仁 ,  青柳克信

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L51/05

CPC classification number: H01L51/001 ,  H01L51/0516 ,  H01L51/0529 ,  H01L51/0545

Abstract: 提供了一种底栅/底接触型薄膜半导体装置(1)的制造方法，其中该薄膜半导体装置(1)可以将栅极绝缘膜和薄膜半导体层之间的边界保持在优选的状态而不受源极/漏极电极的影响并因此可以不论精细的结构而具有优选的特性。第一栅极绝缘膜(7－1)形成为覆盖形成的基板(3)上的栅极电极(5)的状态。成对的源极/漏极电极(9)形成在第一栅极绝缘膜(7－1)上。此后，第二栅极绝缘膜(7－2)仅选择性地形成在从源极/漏极电极(9)露出的第一栅极绝缘膜(7－1)上。接着，形成与源极/漏极电极(9)接触的薄膜半导体层(11)以连续覆盖源极/漏极电极(9)、第二栅极绝缘膜(7－2)和第一栅极绝缘膜(7－1)。

公开(公告)号：CN1602551A

公开(公告)日：2005-03-30

申请号：CN03801738.5

申请日：2003-07-02

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 和田胜 ,  近藤真一郎 ,  安田亮一

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L51/00

CPC classification number: H01L51/0566 ,  B82Y10/00 ,  H01L51/0012 ,  H01L51/005 ,  H01L51/0068 ,  H01L51/0075 ,  H01L51/0094 ,  H01L51/0095 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0595 ,  Y10S977/89 ,  Y10S977/936 ,  Y10S977/938

Abstract: 一种具有新颖结构的导电路径的半导体装置以及制造该半导体装置的方法，其中导电路径由有机半导体分子材料形成并显示出高的迁移率。由导体，如Au，或半导体组成的微粒(8)和有机半导体分子(9)如4，4′－联苯二硫酚通过在该有机半导体分子(9)两端上的官能团交替键合，形成网状的导电路径，其中在微粒(8)内的导电路径和在有机半导体分子(9)内的导电路径二维或三维地键合在一起。这种导电路径不包括分子间的电子迁移，迁移率不受分子间的电子迁移限制，因此，可最大利用沿有机半导体分子主链内的导电路径的迁移率(在该分子的轴向上)，例如离域π电子所致的高的分子内的迁移率。

公开(公告)号：CN101595568B

公开(公告)日：2011-07-13

申请号：CN200880003389.8

申请日：2008-01-28

Applicant: 索尼株式会社 ,  独立行政法人理化学研究所

Inventor： 野本和正 ,  平井畅一 ,  安田亮一 ,  八木岩 ,  三成刚生 ,  塚越一仁 ,  青柳克信

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L51/05

CPC classification number: H01L51/001 ,  H01L51/0516 ,  H01L51/0529 ,  H01L51/0545

Abstract: 提供了一种底栅/底接触型薄膜半导体装置(1)的制造方法，其中该薄膜半导体装置(1)可以将栅极绝缘膜和薄膜半导体层之间的边界保持在优选的状态而不受源极/漏极电极的影响并因此可以不论精细的结构而具有优选的特性。第一栅极绝缘膜(7-1)形成为覆盖形成的基板(3)上的栅极电极(5)的状态。成对的源极/漏极电极(9)形成在第一栅极绝缘膜(7-1)上。此后，第二栅极绝缘膜(7-2)仅选择性地形成在从源极/漏极电极(9)露出的第一栅极绝缘膜(7-1)上。接着，形成与源极/漏极电极(9)接触的薄膜半导体层(11)以连续覆盖源极/漏极电极(9)、第二栅极绝缘膜(7-2)和第一栅极绝缘膜(7-1)。

公开(公告)号：CN100440534C

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN03801738.5

申请日：2003-07-02

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 和田胜 ,  近藤真一郎 ,  安田亮一

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L51/00

CPC classification number: H01L51/0566 ,  B82Y10/00 ,  H01L51/0012 ,  H01L51/005 ,  H01L51/0068 ,  H01L51/0075 ,  H01L51/0094 ,  H01L51/0095 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0595 ,  Y10S977/89 ,  Y10S977/936 ,  Y10S977/938

Abstract: 一种具有新颖结构的导电路径的半导体装置以及制造该半导体装置的方法，其中导电路径由有机半导体分子材料形成并显示出高的迁移率。由导体，如Au，或半导体组成的微粒(8)和有机半导体分子(9)如4，4 ＇-联苯二硫酚通过在该有机半导体分子(9)两端上的官能团交替键合，形成网状的导电路径，其中在微粒(8)内的导电路径和在有机半导体分子(9)内的导电路径二维或三维地键合在一起。这种导电路径不包括分子间的电子迁移，迁移率不受分子间的电子迁移限制，因此，可最大利用沿有机半导体分子主链内的导电路径的迁移率(在该分子的轴向上)，例如离域π电子所致的高的分子内的迁移率。