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公开(公告)号：CN1197066C
公开(公告)日：2005-04-13
申请号：CN98105878.7
申请日：1998-03-25
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/007 , G11B7/00718 , G11B7/1374 , G11B7/24 , G11B7/24085 , G11B7/26 , G11B7/263 , G11B2007/13727
Abstract: 一种光记录介质包括一个基层和一个形成在基层上的光透过层，其中该基层具有一个信息信号部分形成在激光输入的侧面的表面上。光透过层厚度t至少在信息信号部分的一个区域中在t＝3到177μm的范围内。如果光透过层的不均匀性为Δt，那么用于再生或记录和再生的光学系统的N.A.和波长λ满足Δt≤±5.26(λ/N.A.4)(μm)。光迹间距P和倾斜θ满足P≤0.64μm以及θ≤±84.115°(λ/N.A.3/t)。这种光记录介质允许8GB的记录容量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1279473A
公开(公告)日：2001-01-10
申请号：CN00105309.4
申请日：2000-02-21
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/258 , G11B7/00454 , G11B7/00557 , G11B7/006 , G11B7/127 , G11B7/24 , G11B7/243 , G11B7/2534 , G11B7/2542 , G11B7/257 , G11B7/2585 , G11B7/259 , G11B7/2595 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/25708 , G11B2007/2571 , G11B2007/25711 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715
Abstract: 一种相变光记录媒体,它使得即使在高速、高密度条件下也能实现最佳的直接重写,而不降低重复耐久性或记录信号的存储稳定性。为此,该相变光记录媒体具有至少由相变材料形成的一个记录层,并且由波长范围在380－420nm之间的激光束进行记录和/或重放。比率Ac/Aa不低于0.9,这里Ac是所述记录层在晶态时的吸收率,Aa是所述记录层在非晶态时的吸收率,并且一个结晶促进层与记录层的至少一个表面接触,结晶促进层用于促进相变材料的结晶。通过组合利用吸收率控制和结晶促进,可以有效地补偿晶相和非晶相的物理特性之间的差异,从而实现最佳的直接重写。
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公开(公告)号：CN1161768C
公开(公告)日：2004-08-11
申请号：CN00105309.4
申请日：2000-02-21
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/258 , G11B7/00454 , G11B7/00557 , G11B7/006 , G11B7/127 , G11B7/24 , G11B7/243 , G11B7/2534 , G11B7/2542 , G11B7/257 , G11B7/2585 , G11B7/259 , G11B7/2595 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/25708 , G11B2007/2571 , G11B2007/25711 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715
Abstract: 一种相变光记录媒体，它使得即使在高速、高密度条件下也能实现最佳的直接重写，而不降低重复耐久性或记录信号的存储稳定性。为此，该相变光记录媒体具有至少由相变材料形成的一个记录层，并且由波长范围在380-420nm之间的激光束进行记录和/或重放。比率Ac/Aa不低于0.9，这里Ac是所述记录层在晶态时的吸收率，Aa是所述记录层在非晶态时的吸收率，并且一个结晶促进层与记录层的至少一个表面接触，结晶促进层用于促进相变材料的结晶。通过组合利用吸收率控制和结晶促进，可以有效地补偿晶相和非晶相的物理特性之间的差异，从而实现最佳的直接重写。
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公开(公告)号：CN101635147B
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN200910145583.6
申请日：2009-06-03
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G11B7/1387 , G11B7/24 , G11B7/26 , G11B7/007 , B82Y10/00
CPC classification number: B82Y10/00 , G11B7/00454 , G11B7/005 , G11B7/007 , G11B7/1387 , G11B7/24035 , G11B7/24047 , G11B7/243 , G11B7/266 , G11B2007/24304 , G11B2007/24306 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/2432 , G11B2007/24322 , G11B2007/24324 , G11B2007/24328
Abstract: 本发明涉及信号检测装置和信号检测方法。一种信号检测装置包括：半导体衬底；近场光发生部分，其设置在所述半导体衬底上并在与所述半导体衬底的界面附近产生近场光；光源，其输出具有对应于所述半导体衬底的材料的带隙能量的约一半大的光子能量的波长的光；以及电流检测单元，其检测在所述近场光被产生时在所述半导体衬底中产生的光电流。
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公开(公告)号：CN101635147A
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200910145583.6
申请日：2009-06-03
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G11B7/00 , G11B7/135 , G11B33/00 , G11B11/105 , G11B11/03
CPC classification number: B82Y10/00 , G11B7/00454 , G11B7/005 , G11B7/007 , G11B7/1387 , G11B7/24035 , G11B7/24047 , G11B7/243 , G11B7/266 , G11B2007/24304 , G11B2007/24306 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/2432 , G11B2007/24322 , G11B2007/24324 , G11B2007/24328
Abstract: 本发明涉及信号检测装置和信号检测方法。一种信号检测装置包括：半导体衬底；近场光发生部分，其设置在所述半导体衬底上并在与所述半导体衬底的界面附近产生近场光；光源，其输出具有对应于所述半导体衬底的材料的带隙能量的约一半大的光子能量的波长的光；以及电流检测单元，其检测在所述近场光被产生时在所述半导体衬底中产生的光电流。
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公开(公告)号：CN1194436A
公开(公告)日：1998-09-30
申请号：CN98105878.7
申请日：1998-03-25
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/007 , G11B7/00718 , G11B7/1374 , G11B7/24 , G11B7/24085 , G11B7/26 , G11B7/263 , G11B2007/13727
Abstract: 一种光记录介质包括一个基层和一个形成在基层上的光透过层,其中该基层具有一个信息信号部分形成在激光输入的侧面的表面上。光透过层厚度t至少在信息信号部分的一个区域中在t=3到177μm的范围内。如果光透过层的不均匀性为Δt,那么用于再生或记录和再生的光学系统的N.A.和波长λ满足Δt≤±5.26(λ/N.A.4)(μm)。光迹间距P和倾斜θ满足P≤0.64μm以及θ≤±84.115°(λ/N.A.3/t)。这种光记录介质允许8GB的记录容量。
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