公开(公告)号：CN101154669A

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN200710153197.2

申请日：2007-09-29

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 森田泰彰 ,  盐谷朋弘 ,  久保田绅治 ,  安部薰

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/532 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L29/66765 ,  H01L27/1248

Abstract: 本发明的目的在于提供一种薄膜半导体装置及显示装置，通过对污染物质的阻断作用强且能够通过氢供给而对多晶硅膜进行缺陷修补的层间绝缘膜，而覆盖多晶硅膜，从而具有稳定的优良特性。该薄膜半导体装置具有由通过激光照射而实施结晶化退火处理的多晶硅膜构成的半导体薄膜(9)和覆盖半导体薄膜(9)的层间绝缘膜(11)，其中，层间绝缘膜(11)从半导体薄膜(9)侧按照成为氢供给部的含氢氮化硅膜(11－2)和成为对污染物质的阻断部的致密的膜质的阻断氮化硅膜(11－4)的顺序进行层积。