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公开(公告)号：CN101644847B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200910161140.6
申请日：2009-08-06
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G02F1/1333 , G02F1/1339 , G02F1/133
CPC classification number: G02F1/13338 , G02F1/13394 , G02F2001/13396
Abstract: 本发明涉及液晶显示装置及其制造方法。一种液晶显示装置包括：第一基板；与第一基板相对地形成的第二基板；具有预定厚度的液晶层，该液晶层形成在第一基板和第二基板之间；用于使液晶层的表面平坦化的平坦化膜，该平坦化膜形成在第一基板和第二基板中的至少一者的面对液晶层的表面上；以及与平坦化膜一体地形成的突起部分。
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公开(公告)号：CN101644847A
公开(公告)日：2010-02-10
申请号：CN200910161140.6
申请日：2009-08-06
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G02F1/1333 , G02F1/1339 , G02F1/133
CPC classification number: G02F1/13338 , G02F1/13394 , G02F2001/13396
Abstract: 本发明涉及液晶显示装置及其制造方法。一种液晶显示装置包括：第一基板；与第一基板相对地形成的第二基板；具有预定厚度的液晶层，该液晶层形成在第一基板和第二基板之间；用于使液晶层的表面平坦化的平坦化膜，该平坦化膜形成在第一基板和第二基板中的至少一者的面对液晶层的表面上；以及与平坦化膜一体地形成的突起部分。
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公开(公告)号：CN101447460A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200810178424.1
申请日：2008-11-26
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L21/84 , H01L21/768 , H01L27/12 , H01L23/522 , G02F1/1362
CPC classification number: H01L29/78633 , G02F1/133555 , G02F1/13394 , G02F1/136227 , H01L27/1248
Abstract: 本发明提供一种制造电子装置的方法以及电子装置，该电子装置在设有薄膜晶体管的基板上设有抗蚀图。所述方法包括以下步骤：在基板上通过涂敷形成处于覆盖薄膜晶体管的状态的抗蚀膜，通过对抗蚀膜进行曝光和显影处理以形成抗蚀图，并在薄膜晶体管的沟道部分不会受到波长短于260nm的光的照射的情况下，在干燥气氛中以至少紫外光和可见光之一照射抗蚀图，其中，在以至少紫外光和可见光之一照射之后实施热硬化抗蚀图的步骤。使用所述方法可以避免在热硬化期间抗蚀材料回流，且抗蚀图的表面形状保持为通过曝光和显影被图形化后的形状。所述电子装置用所述方法形成，至少在P沟道型的薄膜晶体管的沟道部分上设有适合于隔断波长短于260nm的光的照射的遮光膜。
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公开(公告)号：CN101447460B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN200810178424.1
申请日：2008-11-26
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L21/84 , H01L21/768 , H01L27/12 , H01L23/522 , G02F1/1362
CPC classification number: H01L29/78633 , G02F1/133555 , G02F1/13394 , G02F1/136227 , H01L27/1248
Abstract: 本发明提供一种制造电子装置的方法以及电子装置，该电子装置在设有薄膜晶体管的基板上设有抗蚀图。所述方法包括以下步骤：在基板上通过涂敷形成处于覆盖薄膜晶体管的状态的抗蚀膜，通过对抗蚀膜进行曝光和显影处理以形成抗蚀图，并在薄膜晶体管的沟道部分不会受到波长短于260nm的光的照射的情况下，在干燥气氛中以至少紫外光和可见光之一照射抗蚀图，其中，在以至少紫外光和可见光之一照射之后实施热硬化抗蚀图的步骤。使用所述方法可以避免在热硬化期间抗蚀材料回流，且抗蚀图的表面形状保持为通过曝光和显影被图形化后的形状。所述电子装置用所述方法形成，至少在P沟道型的薄膜晶体管的沟道部分上设有适合于隔断波长短于260nm的光的照射的遮光膜。
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