公开(公告)号：CN101533857B

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN200910008779.0

申请日：2009-03-09

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 达拉姆·帕尔·高赛因 ,  田中勉 ,  诸沢成浩

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/20 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78651

Abstract: 本发明提供了一种可以可靠地防止光进入到活性层中的薄膜晶体管，以及包括该薄膜晶体管的显示器。该薄膜晶体管包括：栅极电极；活性层；以及设置在所述栅极电极和所述活性层之间的栅极绝缘膜，所述栅极绝缘膜包括第一绝缘膜、第一光吸收层和第二绝缘膜，所述第一绝缘膜被布置成与所述栅极电极接触，所述第一光吸收层被布置成与所述第一绝缘膜接触并且由用于吸收波长为420nm以下的光的材料制成，所述第二绝缘膜被布置在所述第一光吸收层和所述活性层之间。本发明的薄膜晶体管能使第一光吸收层与活性层之间的距离变得非常小，因而可靠地防止光进入到活性层中，并且使特性稳定化。所以，能防止诸如对比度或亮度等显示质量的劣化。

公开(公告)号：CN101533857A

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN200910008779.0

申请日：2009-03-09

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 达拉姆·帕尔·高赛因 ,  田中勉 ,  诸沢成浩

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/20 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78651

Abstract: 提供了一种可以可靠地防止光进入到活性层中的薄膜晶体管，以及包括该薄膜晶体管的显示器。该薄膜晶体管包括：栅极电极；活性层；以及设置在所述栅极电极和所述活性层之间的栅极绝缘膜，所述栅极绝缘膜包括第一绝缘膜、第一光吸收层和第二绝缘膜，所述第一绝缘膜被布置成与所述栅极电极接触，所述第一光吸收层被布置成与所述第一绝缘膜接触并且由用于吸收波长为420nm以下的光的材料制成，所述第二绝缘膜被布置在所述第一光吸收层和所述活性层之间。本发明的薄膜晶体管能使第一光吸收层与活性层之间的距离变得非常小，因而可靠地防止光进入到活性层中，并且使特性稳定化。所以，能防止诸如对比度或亮度等显示质量的劣化。