公开(公告)号：CN101499498B

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN200910009810.2

申请日：2009-01-23

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 田中勉 ,  达拉姆·帕尔·戈斯艾因

IPC: H01L31/113 ,  H01L29/78 ,  H01L27/146 ,  G11C11/42

CPC classification number: G11C13/047 ,  H01L27/14609 ,  H01L29/7869 ,  H04N5/374

Abstract: 本发明提供了光学传感器元件、成像装置、电子设备和存储元件，其中，该光学传感器元件具有经由栅极绝缘膜与由氧化物半导体构成的半导体层相对的栅电极、连接至半导体层的源电极和漏电极，其中，被半导体层接收的光量被读出作为相对于栅电压以非易失性方式变化的漏电流。本发明能够使用最新发现的由于半导体层的光接收带来Vg-Id特性的非易失性变化来检测被半导体层接收的光量，并且能够将此非易失性变化用作存储器功能。

公开(公告)号：CN101499498A

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200910009810.2

申请日：2009-01-23

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 田中勉 ,  达拉姆·帕尔·戈斯艾因

IPC: H01L31/113 ,  H01L29/78 ,  H01L27/146 ,  G11C11/42

CPC classification number: G11C13/047 ,  H01L27/14609 ,  H01L29/7869 ,  H04N5/374

Abstract: 本发明提供了光学传感器元件、成像装置、电子设备和存储元件，其中，该光学传感器元件具有经由栅极绝缘膜与由氧化物半导体构成的半导体层相对的栅电极、连接至半导体层的源电极和漏电极，其中，被半导体层接收的光量被读出作为相对于栅电压以非易失性方式变化的漏电流。本发明能够使用最新发现的由于半导体层的光接收带来Vg－Id特性的非易失性变化来检测被半导体层接收的光量，并且能够将此非易失性变化用作存储器功能。