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公开(公告)号：CN101329883A
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200810128534.7
申请日：2008-06-19
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G11B7/00736 , G11B7/24079 , G11B7/243 , G11B7/261 , G11B2007/24304 , G11B2007/24312 , G11B2007/24316 , G11B2007/2432 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/2571 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715
Abstract: 本发明公开了一种记录介质及其制造方法、记录介质的母盘及其制造方法。该记录介质具有：具有第一区和第二区的基板，该第一区中形成有第一凹槽，该第二区中形成有第二凹槽；设置在基板上的至少一个信息层；设置在信息层上的保护层。预定的二进制信息预先记录在第一凹槽上，且第一凹槽比第二凹槽浅或窄。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101138034B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200680007574.5
申请日：2006-11-16
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G11B7/243 , G11B7/00455 , G11B7/00736 , G11B7/24079 , G11B2007/24306 , G11B2007/24312 , G11B2007/2432 , Y10T428/21
Abstract: 公开了一种可记录光学记录介质，其具有优秀的记录和再现特性和可制造性，并且能够降低制造成本。特别公开了，该可记录光学记录介质(10)具有这样的结构，其中无机记录膜(6)、介电膜(4)和光传输层(5)已经依次形成在基板(1)上。无机记录膜(6)由依次形成在基板(1)上的金属膜(2)和氧化膜(3)组成。当光辐射到无机记录膜(6)时，由于光的催化作用从氧化膜(3)分离出氧，导致在金属膜(2)侧氧浓度的增加，并且大大地改变了光学常数。
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公开(公告)号：CN101138034A
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200680007574.5
申请日：2006-11-16
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G11B7/243 , G11B7/00455 , G11B7/00736 , G11B7/24079 , G11B2007/24306 , G11B2007/24312 , G11B2007/2432 , Y10T428/21
Abstract: 公开了一种可记录光学记录介质，其具有优秀的记录和再现特性和可制造性，并且能够降低制造成本。特别公开了，该可记录光学记录介质(10)具有这样的结构，其中无机记录膜(6)、介电膜(4)和光传输层(5)已经依次形成在基板(1)上。无机记录膜(6)由依次形成在基板(1)上的金属膜(2)和氧化膜(3)组成。当光辐射到无机记录膜(6)时，由于光的催化作用从氧化膜(3)分离出氧，导致在金属膜(2)侧氧浓度的增加，并且大大地改变了光学常数。
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公开(公告)号：CN101101773A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200710128370.3
申请日：2004-01-22
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G11B7/241 , G11B7/2531 , G11B7/2533 , G11B7/2534 , G11B7/256 , G11B7/2578 , G11B7/259 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/25706 , G11B2007/2571 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715 , G11B2007/25716
Abstract: 公开了一种光记录介质(1)，包括顺序形成在基板(2)的主侧上的反射层(3)、下介电层(4)、记录层(5)、上介电层(6)和透光层(7)。下介电层(4)由第一下介电层和防止第一下介电层的材料与反射层(3)的材料之间的反应的第二下介电层构成。上介电层(6)由第一上介电层和防止第一上介电层的材料与透光层(7)的材料之间的反应的第二上介电层构成。
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公开(公告)号：CN101101773B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200710128370.3
申请日：2004-01-22
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G11B7/241 , G11B7/2531 , G11B7/2533 , G11B7/2534 , G11B7/256 , G11B7/2578 , G11B7/259 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/25706 , G11B2007/2571 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715 , G11B2007/25716
Abstract: 公开了一种光记录介质(1)，包括顺序形成在基板(2)的主侧上的反射层(3)、下介电层(4)、记录层(5)、上介电层(6)和透光层(7)。下介电层(4)由第一下介电层和防止第一下介电层的材料与反射层(3)的材料之间的反应的第二下介电层构成。上介电层(6)由第一上介电层和防止第一上介电层的材料与透光层(7)的材料之间的反应的第二上介电层构成。
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公开(公告)号：CN100372009C
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200480000265.6
申请日：2004-01-22
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G11B7/241 , G11B7/2531 , G11B7/2533 , G11B7/2534 , G11B7/256 , G11B7/2578 , G11B7/259 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/25706 , G11B2007/2571 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715 , G11B2007/25716
Abstract: 公开了一种光记录介质(1)，包括顺序形成在基板(2)的主侧上的反射层(3)、下介电层(4)、记录层(5)、上介电层(6)和透光层(7)。下介电层(4)由第一下介电层和防止第一下介电层的材料与反射层(3)的材料之间的反应的第二下介电层构成。上介电层(6)由第一上介电层和防止第一上介电层的材料与透光层(7)的材料之间的反应的第二上介电层构成。
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