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公开(公告)号：CN117897800A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202280058887.2
申请日：2022-07-29
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L23/373 , H01L23/473
Abstract: 本发明涉及一种电子模块(100)，其带有至少一个与接触布置结构(20)电连接的功率半导体(10)，并且带有至少一个用于至少间接地冷却至少一个功率半导体(10)的冷却元件(32、34、36)。
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公开(公告)号：CN113438996B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202080012737.9
申请日：2020-01-13
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: B22F3/105
Abstract: 本发明涉及一种用于由材料粉末生成地制造构件（2）的设施（1），具有用于构造构件（2）的构造平台（11）、用于将粉末层（12）涂覆到构造平台（11）上的至少一个涂覆区段、用于选择性地照射粉末层（12）的至少一个照射区段（17）、运输单元（7），其中运输单元（7）构造为，使构造平台（11）在设施空间（4）中沿着运输路径运动和/或移动，其中涂覆区段和照射区段（13）沿着运输路径间隔开和/或相邻。
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公开(公告)号：CN117882178A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202280058880.0
申请日：2022-07-29
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: H01L21/60 , H01L23/488 , H01L23/498
Abstract: 本发明涉及一种带有功率半导体结构元件(10)和电路载体(14)的电子布置结构(100)，其中，功率半导体结构元件(10)在对置的侧面上分别具有至少一个接触区域(22、24、26)，并且其中，面向电路载体(14)的至少一个接触区域(22、24)与电路载体(14)的联接区域(28、30)电接触，其中，功率半导体结构元件(10)在背离电路载体(14)的侧面上在至少一个接触区域(26)的区域中与另外的电路载体(18)电接触，其中，在至少一个接触区域(22、24、26)上和/或电路载体(14、18)的联接区域(28、30、32)上布置有以增材式工艺所产生的连接层(36、38、40)，并且其中，至少一个连接层(36、38、40)借助于钎焊连接部与联接区域(28、30、32)和/或接触区域(22、24、26)连接。连接层(36、38、40)能够在垂直于功率半导体结构元件(10)的表面延伸的方向或平面中尤其由于连接层(36、38、40)具有人字型图案(44)的构造方式而具有比在平行于功率半导体结构元件(10)的表面延伸的方向或平面中更小的弹性模量。由此，沿双箭头(45)的方向延伸的热机械的应力被弹簧元件意义上的连接层(36、38、40)至少部分地吸收或抵消，并且减少了相应的应力到功率半导体结构元件(10)或电路载体(14、18)处的传递。连接层(36、38、40)能够由金属原材料的多个层形成，其中，所述层中的至少一些层在平行于功率半导体结构元件(10)的表面延伸的平面中能够具有缺口(42)或空隙，并且其中，所述连接层(36、38、40)的至少一个构造在接触区域(22、24、26)或联接区域(28、30、32)上的第一层能够构造成全面状的层。电路载体(14)和另外的电路载体(18)能够在必要时中间放置接触元件(46)的情况下在功率半导体结构元件(10)外的区域中与彼此电接触，其中，在接触的区域中布置有至少一个以增材式工艺所产生的连接层(54、56)。
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公开(公告)号：CN113438996A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202080012737.9
申请日：2020-01-13
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: B22F3/105
Abstract: 本发明涉及一种用于由材料粉末生成地制造构件（2）的设施（1），具有用于构造构件（2）的构造平台（11）、用于将粉末层（12）涂覆到构造平台（11）上的至少一个涂覆区段、用于选择性地照射粉末层（12）的至少一个照射区段（17）、运输单元（7），其中运输单元（7）构造为，使构造平台（11）在设施空间（4）中沿着运输路径运动和/或移动，其中涂覆区段和照射区段（13）沿着运输路径间隔开和/或相邻。
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