Saved successfully
Save failed
Saved Successfully
Save Failed
公开(公告)号：CN117043922A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202280022838.3
申请日：2022-02-22
Applicant: 罗姆股份有限公司
Inventor： 高尾俊郎 , 长尾胜久 , 榎田吉朗
IPC: H01L21/66
Abstract: 检查用半导体构造包括：半导体板，其具有一侧的第一主面以及另一侧的第二主面；检查区域，其设置于所述第一主面；主面电极，其具有第一硬度，在所述检查区域覆盖所述第一主面；以及保护电极，其具有超过所述第一硬度的第二硬度，在所述检查区域覆盖所述主面电极，在与所述第二主面之间形成经由所述半导体板的电流路径。
