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公开(公告)号:CN102533040A
公开(公告)日:2012-07-04
申请号:CN201110299883.7
申请日:2011-09-20
Applicant: 罗门哈斯公司
IPC: C09D133/08 , C09D151/00
CPC classification number: H01L31/02168 , C08L33/08 , C08L33/10 , C09D5/006 , C09D7/68 , C09D7/69 , C09D133/08 , C09D133/10 , C09D133/12 , Y02E10/50 , Y10T428/268 , C08L33/12
Abstract: 减反射涂层,一种组合物,其包含聚合物颗粒,所述聚合物颗粒的平均粒径为0.5-30纳米,维氏标度硬度为100-700千克力/毫米2。所述组合物还包含Tg不高于80℃的成膜聚合物。在400-1100纳米测得的所述聚合物颗粒和成膜聚合物之间的平均折射率之差不大于0.04。
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公开(公告)号:CN102533040B
公开(公告)日:2015-01-07
申请号:CN201110299883.7
申请日:2011-09-20
Applicant: 罗门哈斯公司
IPC: C09D133/08 , C09D151/00
CPC classification number: H01L31/02168 , C08L33/08 , C08L33/10 , C09D5/006 , C09D7/68 , C09D7/69 , C09D133/08 , C09D133/10 , C09D133/12 , Y02E10/50 , Y10T428/268 , C08L33/12
Abstract: 减反射涂层,一种组合物,其包含聚合物颗粒,所述聚合物颗粒的平均粒径为0.5-30纳米,维氏标度硬度为100-700千克力/毫米2。所述组合物还包含Tg不高于80℃的成膜聚合物。在400-1100纳米测得的所述聚合物颗粒和成膜聚合物之间的平均折射率之差不大于0.04。
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公开(公告)号:CN101140776A
公开(公告)日:2008-03-12
申请号:CN200710141961.4
申请日:2007-08-10
Applicant: 罗门哈斯公司
CPC classification number: G11B9/149 , B82Y10/00 , G11B9/02 , G11B9/14 , G11C11/5657
Abstract: 本发明揭示了一种写入和读取信息的装置和方法。具体地,揭示了一种存储装置,其包括电场可编程膜,所述电场可编程膜包括多个独立映射的部分,它们对应于多个独立的存储单元;所述存储装置包含作为多比特信息存储的信息。还揭示了在电场可编程膜中存储信息的方法,该方法包括:提供具有顶面和底面的电场可编程膜;通过使用至少一个触针,从所述电场可编程膜的顶面到底面施加贯穿该电场可编程膜的写入电压,从而将信息写入至所述电场可编程膜;所述写入电压在所述电场可编程膜内感生持久的极化域;所述电场可编程膜包括至少两种可用的信息态,每种可用的信息态对应于不同的极化。还揭示了一种读取电场可编程膜中存储的信息的方法。
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