公开(公告)号：CN105122371B

公开(公告)日：2017-10-20

申请号：CN201480021442.2

申请日：2014-02-19

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 布伦特·基斯 ,  杜莱·维莎卡·尼尔摩·拉玛斯瓦米 ,  古尔特杰·S·桑胡 ,  亚当·D·琼森 ,  史考特·E·西利士 ,  亚历山德罗·卡德罗尼

IPC: G11C13/00 ,  G11C16/30

CPC classification number: G11C13/0069 ,  G11C13/00 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0021 ,  G11C13/0064 ,  G11C2013/0066 ,  G11C2013/0071 ,  G11C2013/0076 ,  G11C2013/0083 ,  H01L22/14

Abstract: 本发明描述形成存储器单元的设备及方法。在此一种方法中，监测施加到例如电阻式RAM RRAM存储器单元的一个存储器单元的形成电荷以确定形成所述单元的进度。如果所述单元正过于缓慢地消耗电荷，那么可施加较高电压。如果所述单元正过于快速地消耗电荷，那么可施加较低电压。可通过将电容器充电到特定电平，接着监测所述电容器通过所述单元的放电速率来监测所述电荷。所述监测可使用比较器来测量所述电荷。所述监测也可使用模/数转换器来执行所述监测。

公开(公告)号：CN105122371A

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN201480021442.2

申请日：2014-02-19

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 布伦特·基斯 ,  杜莱·维莎卡·尼尔摩·拉玛斯瓦米 ,  古尔特杰·S·桑胡 ,  亚当·D·琼森 ,  史考特·E·西利士 ,  亚历山德罗·卡德罗尼

IPC: G11C13/00 ,  G11C16/30

CPC classification number: G11C13/0069 ,  G11C13/00 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0021 ,  G11C13/0064 ,  G11C2013/0066 ,  G11C2013/0071 ,  G11C2013/0076 ,  G11C2013/0083 ,  H01L22/14

Abstract: 本发明描述形成存储器单元的设备及方法。在此一种方法中，监测施加到例如电阻式RAM RRAM存储器单元的一个存储器单元的形成电荷以确定形成所述单元的进度。如果所述单元正过于缓慢地消耗电荷，那么可施加较高电压。如果所述单元正过于快速地消耗电荷，那么可施加较低电压。可通过将电容器充电到特定电平，接着监测所述电容器通过所述单元的放电速率来监测所述电荷。所述监测可使用比较器来测量所述电荷。所述监测也可使用模/数转换器来执行所述监测。