吸湿性降低的金属卤化物闪烁体及其制造方法

    公开(公告)号:CN103858177A

    公开(公告)日:2014-06-11

    申请号:CN201280049756.4

    申请日:2012-10-09

    CPC classification number: G21K4/00

    Abstract: 本发明在一个方案中公开了由具有一种或多种额外的第13族元素的金属卤化物制成的闪烁体材料。该化合物的实例是添加有铊(Tl)的Ce:LaBr3,其作为共掺杂物存在或在LaBr3和TlBr之间的以化学计量混合的混合物和/或固体溶液。在另一个方案中,能够通过以下方式制造上述单晶碘化物闪烁体材料:首先,合成上述组合物的化合物,并然后通过例如垂直梯度凝固法由合成的化合物形成单晶。所述闪烁体材料的应用包括辐射探测器及其在医学和安全成像中的用途。

    具有融合光学元件的陶瓷磷光体叠层体、其制造方法和包含其的制品

    公开(公告)号:CN106947480B

    公开(公告)日:2020-09-15

    申请号:CN201611052783.3

    申请日:2016-11-25

    Abstract: 本发明公开了具有融合光学元件的陶瓷磷光体叠层体、其制造方法和包含其的制品。本文中公开了闪烁体,其包含在单个块中的具有下述结构式(1)的多种石榴石组合物:M1aM2bM3cM4dO12(1)其中,O表示氧;M1、M2、M3、和M4表示彼此不同的第一、第二、第三和第四金属;其中,a+b+c+d之和为约8;其中,“a”具有2至3.5的值,“b”具有0至5的值,“c”具有0至5的值,“d”具有0至1的值;其中,“b”和“c”、“b”和“d”、或者“c”和“d”不能两者同时等于0;其中,M1是稀土元素,包括钆、钇、镥、或者它们的组合,M2是铝或硼,M3是镓,并且M4是共掺杂物;其中,具有相同结构式的两个组合物不彼此邻接,并且其中,单个块不存在不同组合物之间的光学界面。

    具有融合光学元件的陶瓷磷光体叠层体、其制造方法和包含其的制品

    公开(公告)号:CN106947480A

    公开(公告)日:2017-07-14

    申请号:CN201611052783.3

    申请日:2016-11-25

    Abstract: 本发明公开了具有融合光学元件的陶瓷磷光体叠层体、其制造方法和包含其的制品。本文中公开了闪烁体,其包含在单个块中的具有下述结构式(1)的多种石榴石组合物:M1aM2bM3cM4dO12 (1)其中,O表示氧;M1、M2、M3、和M4表示彼此不同的第一、第二、第三和第四金属;其中,a+b+c+d之和为约8;其中,“a”具有2至3.5的值,“b”具有0至5的值,“c”具有0至5的值,“d”具有0至1的值;其中,“b”和“c”、“b”和“d”、或者“c”和“d”不能两者同时等于0;其中,M1是稀土元素,包括钆、钇、镥、或者它们的组合,M2是铝或硼,M3是镓,并且M4是共掺杂物;其中,具有相同结构式的两个组合物不彼此邻接,并且其中,单个块不存在不同组合物之间的光学界面。

    用于PET应用中的单独闪烁体读出的高密度比例模式APD阵列

    公开(公告)号:CN102565836B

    公开(公告)日:2016-02-03

    申请号:CN201110354516.2

    申请日:2011-11-10

    CPC classification number: G01T1/1642 A61B6/037

    Abstract: 本发明涉及用于PET应用中的单独闪烁体读出的高密度比例模式APD阵列。本发明是包括改进的光电传感器的光电检测器,该改进的光电传感器由用于读出单个闪烁体的小型(亚毫米)高密度雪崩光电二极管单元的阵列配置。每个光电传感器包括以雪崩光电二极管单元的(n×n)阵列(其中n>1)布置的耦合到单个闪烁晶体的多个雪崩光电二极管单元。作为光电传感器的总体(n×n)阵列面积与闪烁体的面的面积相同且每个雪崩光电二极管单元具有不大于一平方毫米的表面积。光电传感器还被配置成有利于读取阵列中的每个雪崩光电二极管单元的输出。通过独立地读出每个小型雪崩光电二极管单元,噪声和电容被最小化并从而提供了能量和定时的更精确确定。

    吸湿性降低的金属卤化物闪烁体及其制造方法

    公开(公告)号:CN103858177B

    公开(公告)日:2018-10-09

    申请号:CN201280049756.4

    申请日:2012-10-09

    Abstract: 本发明在一个方案中公开了由具有一种或多种额外的第13族元素的金属卤化物制成的闪烁体材料。该化合物的实例是添加有铊(Tl)的Ce:LaBr3,其作为共掺杂物存在或在LaBr3和TlBr之间的以化学计量混合的混合物和/或固体溶液。在另一个方案中,能够通过以下方式制造上述单晶碘化物闪烁体材料:首先,合成上述组合物的化合物,并然后通过例如垂直梯度凝固法由合成的化合物形成单晶。所述闪烁体材料的应用包括辐射探测器及其在医学和安全成像中的用途。

    用于PET应用中的单独闪烁体读出的高密度比例模式APD阵列

    公开(公告)号:CN102565836A

    公开(公告)日:2012-07-11

    申请号:CN201110354516.2

    申请日:2011-11-10

    CPC classification number: G01T1/1642 A61B6/037

    Abstract: 本发明涉及用于PET应用中的单独闪烁体读出的高密度比例模式APD阵列。本发明是包括改进的光电传感器的光电检测器,该改进的光电传感器由用于读出单个闪烁体的小型(亚毫米)高密度雪崩光电二极管单元的阵列配置。每个光电传感器包括以雪崩光电二极管单元的(n×n)阵列(其中n>1)布置的耦合到单个闪烁晶体的多个雪崩光电二极管单元。作为光电传感器的总体(n×n)阵列面积与闪烁体的面的面积相同且每个雪崩光电二极管单元具有不大于一平方毫米的表面积。光电传感器还被配置成有利于读取阵列中的每个雪崩光电二极管单元的输出。通过独立地读出每个小型雪崩光电二极管单元,噪声和电容被最小化并从而提供了能量和定时的更精确确定。

Patent Agency Ranking