公开(公告)号：CN114846639A

公开(公告)日：2022-08-02

申请号：CN202080087285.0

申请日：2020-12-14

Applicant: 花王株式会社

Inventor： 尾込裕平 ,  泽田拓也 ,  小此木明德 ,  古泽康祐

IPC: H01L51/44

Abstract: 本发明涉及一种用于形成两阶段光吸收的量子产率优异的光电转换元件和中间带型太阳能电池的光吸收层、具有该光吸收层的光电转换元件以及中间带型太阳能电池。本发明的光吸收层含有钙钛矿化合物、以及在比上述钙钛矿化合物的价带顶更靠负能级处具有价带顶的量子点，该光吸收层具有中间带。

公开(公告)号：CN114026710A

公开(公告)日：2022-02-08

申请号：CN202080047893.9

申请日：2020-06-29

Applicant: 花王株式会社

Inventor： 小此木明德 ,  细川浩司 ,  泽田拓也

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/48

Abstract: 本发明提供用于形成两阶段光吸收的量子产率优异的光电转换元件和中间带型太阳能电池的光吸收层、具有该光吸收层的光电转换元件和中间带型太阳能电池。并且，本发明提供一种具有中间带且空隙较少的光吸收层的制造方法。本发明的光吸收层在具有2.0eV以上3.0eV以下的带隙能的块状半导体的基体中分散有量子点，且该光吸收层具有中间带，且空隙率为10％以下。

公开(公告)号：CN109819680A

公开(公告)日：2019-05-28

申请号：CN201780028042.8

申请日：2017-09-20

Applicant: 花王株式会社

Inventor： 细川浩司 ,  泽田拓也 ,  小此木明德

IPC: H01L31/0352 ,  H01L51/44

Abstract: 本发明涉及用于形成2阶段光吸收的量子产率优异的光电转换元件和中间带型太阳能电池的光吸收层、具有该光吸收层的光电转换元件和中间带型太阳能电池。并且，本发明涉及能够期待大幅的成本降低和向柔性基板用途的扩大等的、具有使用“湿式工艺”得到的中间带的光吸收层的制造方法。本发明的光吸收层在具有2.0eV以上3.0eV以下的带隙能的块状半导体的基体中分散有量子点，且具有中间带。

公开(公告)号：CN112088442A

公开(公告)日：2020-12-15

申请号：CN201880092270.6

申请日：2018-04-10

Applicant: 花王株式会社

Inventor： 细川浩司 ,  泽田拓也 ,  小此木明德

IPC: H01L51/44

Abstract: 本发明涉及用于形成光电转换效率优异的光电转换元件和太阳能电池的光吸收层、具有该光吸收层的光电转换元件和太阳能电池。本发明的光吸收层是在选自下述通式(1)所示的化合物和下述通式(2)所示的化合物中的1种以上的钙钛矿化合物的基体中分散有量子点的光吸收层。RMX3 (1)(式中，R为2种以上的1价的阳离子，M为2价的金属阳离子，X为卤素阴离子。)R1R2R3n－1MnX3n+1 (2)(式中，R1、R2和R3分别独立地为1价的阳离子，R1、R2和R3中的至少2个为不同的1价的阳离子，R1、R2和R3中的至少1个为1价的无机阳离子，M为2价的金属阳离子，X为卤素阴离子，n为1以上10以下的整数)。

公开(公告)号：CN109819680B

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201780028042.8

申请日：2017-09-20

Applicant: 花王株式会社

Inventor： 细川浩司 ,  泽田拓也 ,  小此木明德

IPC: H01L31/0352 ,  H01L51/44

Abstract: 本发明涉及用于形成2阶段光吸收的量子产率优异的光电转换元件和中间带型太阳能电池的光吸收层、具有该光吸收层的光电转换元件和中间带型太阳能电池。并且，本发明涉及能够期待大幅的成本降低和向柔性基板用途的扩大等的、具有使用“湿式工艺”得到的中间带的光吸收层的制造方法。本发明的光吸收层在具有2.0eV以上3.0eV以下的带隙能的块状半导体的基体中分散有量子点，且具有中间带。