公开(公告)号：CN1272227A

公开(公告)日：2000-11-01

申请号：CN99800821.4

申请日：1999-05-25

Applicant: 花王株式会社

Inventor： 赤木隆一 ,  中西邦之 ,  西村徹 ,  平林忠 ,  铃木淳

IPC: H01M4/04 ,  H01M4/02 ,  H01M4/36 ,  H01M10/40

CPC classification number: H01M4/1395 ,  H01M4/02 ,  H01M4/04 ,  H01M4/0404 ,  H01M4/0416 ,  H01M4/043 ,  H01M4/0471 ,  H01M4/364 ,  H01M4/366 ,  H01M4/386 ,  H01M4/485 ,  H01M4/58 ,  H01M4/661 ,  H01M10/0525 ,  H01M2004/027 ,  Y10T29/49108 ,  Y10T29/49112 ,  Y10T29/49115

Abstract: 本发明提供了能够减少以硅为活性物质的烧结体和集电体间的接触电阻的二次电池用负极的制造方法。包括以下3个步骤,即在含硅负极材料中加入粘合剂和溶剂,调制成淤浆;将淤浆涂布在导电性金属箔或筛网构成的基材上,除去溶剂,制得涂膜;在非氧化氛围气下对涂膜进行烧结,使其与基材一体化。

公开(公告)号：CN1156041C

公开(公告)日：2004-06-30

申请号：CN99800821.4

申请日：1999-05-25

Applicant: 花王株式会社

Inventor： 赤木隆一 ,  中西邦之 ,  西村徹 ,  平林忠 ,  铃木淳

IPC: H01M4/04 ,  H01M10/40

CPC classification number: H01M4/1395 ,  H01M4/02 ,  H01M4/04 ,  H01M4/0404 ,  H01M4/0416 ,  H01M4/043 ,  H01M4/0471 ,  H01M4/364 ,  H01M4/366 ,  H01M4/386 ,  H01M4/485 ,  H01M4/58 ,  H01M4/661 ,  H01M10/0525 ,  H01M2004/027 ,  Y10T29/49108 ,  Y10T29/49112 ,  Y10T29/49115

Abstract: 本发明提供了能够减少以硅为活性物质的烧结体和集电体间的接触电阻的二次电池用负极的制造方法。包括以下3个步骤，即在含硅负极材料中加入粘合剂和溶剂，调制成淤浆；将淤浆涂布在导电性金属箔或筛网构成的基材上，除去溶剂，制得涂膜；在非氧化氛围气下对涂膜进行烧结，使其与基材一体化。