公开(公告)号：CN1407045A

公开(公告)日：2003-04-02

申请号：CN02142015.7

申请日：2002-08-21

Applicant: 花王株式会社

Inventor： 大岛良晓 ,  荻原敏也

IPC: C09G1/02

CPC classification number: C09K3/1463 ,  C09G1/02 ,  G11B5/8404

Abstract: 一种抛光组合物，它包含平均初级粒度为200纳米或更小的磨料、氧化剂、pK1为2或更小的酸和/或它的盐、和水，其中抛光组合物的酸值为20～0.2毫克KOH/克；一种减少基片上微小擦痕的方法，它包括使用上述的抛光组合物抛光欲被抛光的基片；以及一种制造基片的方法，它包括使用上述的抛光组合物抛光欲被抛光的基片。该抛光组合物适用于最后抛光记忆硬盘基片和抛光半导体元件。

公开(公告)号：CN1239983A

公开(公告)日：1999-12-29

申请号：CN97180544.X

申请日：1997-12-03

Applicant: 花王株式会社

Inventor： 大岛良晓 ,  荻原敏也 ,  冨樫博靖 ,  小林勇一郎 ,  平幸治

IPC: C09K5/04 ,  C10M171/00 ,  C10M169/04 ,  C10N40/30

CPC classification number: C10M169/04 ,  C09K5/045 ,  C09K2205/24 ,  C10M111/04 ,  C10M171/008 ,  C10M2207/281 ,  C10M2207/282 ,  C10M2207/283 ,  C10M2207/286 ,  C10M2207/30 ,  C10M2207/304 ,  C10M2209/104 ,  C10M2209/105 ,  C10M2209/107 ,  C10M2211/022 ,  C10M2211/06 ,  C10N2220/02 ,  C10N2240/00 ,  C10N2240/22 ,  C10N2240/30 ,  C10N2240/50 ,  C10N2240/52 ,  C10N2240/54 ,  C10N2240/56 ,  C10N2240/58 ,  C10N2240/60 ,  C10N2240/66

Abstract: 本发明公开了一种在25℃具有不小于1×1013Ω.cm的体积电阻的制冷油，其含有(a)酯基油，和(b)式(1)：R1O(EO)m(PO)nR2表示的化合物。在上述式中，R1是具有1—36个碳原子的烃基；R2是氢原子、含有1—36个碳原子的烃基或含有1—24个碳原子的酰基；EO是氧化乙烯基团；PO是氧化丙烯基团；和m是0—50的数，和n是0—50的数，其条件是m和n的和为1—100。在制冷油中基于100重量份(a)，(b)的数量为2—25重量份。一种用于制冷机械的工作流体组合物，其含有上述制冷油和一种或多种氢氟烃。

公开(公告)号：CN100390245C

公开(公告)日：2008-05-28

申请号：CN02142015.7

申请日：2002-08-21

Applicant: 花王株式会社

Inventor： 大岛良晓 ,  荻原敏也

IPC: C09G1/02

CPC classification number: C09K3/1463 ,  C09G1/02 ,  G11B5/8404

Abstract: 一种抛光组合物，它包含平均初级粒度为200纳米或更小的磨料、氧化剂、pK1为2或更小的酸和/或它的盐、和水，其中抛光组合物的酸值为20～0.2毫克KOH/克；一种减少基片上微小擦痕的方法，它包括使用上述的抛光组合物抛光欲被抛光的基片；以及一种制造基片的方法，它包括使用上述的抛光组合物抛光欲被抛光的基片。该抛光组合物适用于最后抛光记忆硬盘基片和抛光半导体元件。