公开(公告)号：CN119730412B

公开(公告)日：2025-05-09

申请号：CN202510223727.4

申请日：2025-02-27

Applicant: 苏州大学

Inventor： 张潮 ,  杨炯 ,  李孝峰 ,  吴凯

IPC: H10F30/222 ,  H10F77/42 ,  H10F71/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种基于等离激元超表面的红外偏振光电探测器及其制备方法，属于光电探测技术领域。该光电探测器通过底部金属纳米阵列与WSe2/InSe异质结耦合共振，增强异质结红外光吸收，产生光载流子，最后被顶部电极层收集形成光电流，从而提升了原始WSe2/InSe异质结对红外光的探测能力。并且通过调整金属纳米阵列的周期以及长、宽的尺寸，可实现不同红外波长处的光学吸收增强。在施加4V偏压时，该光电探测器与原始WSe2/InSe异质结光电探测器相比，光电响应度提高1个数量级，比探测率提高2个数量级。偏振探测方面，利用纳米阵列的各向异性，也创造性地从偏振不敏感提升到偏振比为5.2。

公开(公告)号：CN119730412A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202510223727.4

申请日：2025-02-27

Applicant: 苏州大学

Inventor： 张潮 ,  杨炯 ,  李孝峰 ,  吴凯

IPC: H10F30/222 ,  H10F77/42 ,  H10F71/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种基于等离激元超表面的红外偏振光电探测器及其制备方法，属于光电探测技术领域。该光电探测器通过底部金属纳米阵列与WSe2/InSe异质结耦合共振，增强异质结红外光吸收，产生光载流子，最后被顶部电极层收集形成光电流，从而提升了原始WSe2/InSe异质结对红外光的探测能力。并且通过调整金属纳米阵列的周期以及长、宽的尺寸，可实现不同红外波长处的光学吸收增强。在施加4V偏压时，该光电探测器与原始WSe2/InSe异质结光电探测器相比，光电响应度提高1个数量级，比探测率提高2个数量级。偏振探测方面，利用纳米阵列的各向异性，也创造性地从偏振不敏感提升到偏振比为5.2。