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公开(公告)号：CN108021515A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201711479001.9
申请日：2017-12-29
Applicant: 苏州大学
IPC: G06F12/1009
Abstract: 本发明涉及一种多层式储存格NAND闪存关键数据的存储方法，包括：文件系统请求向第一逻辑地址写入第一内容；当所述第一内容是关键数据时，判断第一逻辑地址是否在复制映射表中，其中，所述复制映射表是逻辑地址中关键数据与其备份形成的映射表；若所述第一逻辑地址在所述复制映射表中，在所述复制映射表中获取与所述第一逻辑地址相应的第二逻辑地址，并将所述第二逻辑地址添加到请求队列中。上述多层式储存格NAND闪存关键数据的存储方法，进一步提高冗余方法的容错能力，提高存储系统的可靠性，即使NAND闪存接近其最大寿命，非对称冗余也可以有效地工作。
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