-
公开(公告)号：CN110940942A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201911145447.7
申请日：2019-11-21
Applicant: 苏州大学文正学院
Abstract: 本发明属于电磁学领域，为解决磁体大小形状不一导致的磁矩的计算和测量困难问题，公开了一种测量磁体磁矩的装置及方法，磁体在金属管中下落，金属管切割磁体的磁力线产生感应电动势，从而产生感应电流，感应电流产生的二次磁场阻碍金属管中磁场的变化，即阻碍磁体下落，随着磁体下落速度的加快，感应电流增大，阻碍磁体下落的安培力随之增大，当作用在磁体上的反作用力大到和重力平衡时，磁体即达到匀速直线下落。每隔相同距离固定一组霍尔元件和发光二极管，通过霍尔元件发生霍尔效应，即给二极管一个低电位，二极管发光，同时STM32最小系统进行ADC采样，得到那段距离所用的时间，即可求出通过该段距离的速度，从而利用公式求出该磁体的磁矩。
-
公开(公告)号：CN211123228U
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201922018064.5
申请日：2019-11-21
Applicant: 苏州大学文正学院
Abstract: 本实用新型属于电磁学领域，为解决磁体大小形状不一导致的磁矩的计算和测量困难问题，公开了一种测量磁体磁矩及金属电导率的装置，磁体在金属管中下落，金属管切割磁体的磁力线产生感应电动势，产生感应电流，感应电流产生的二次磁场阻碍金属管中磁场的变化，即阻碍磁体下落，随着磁体下落速度的加快，感应电流增大，阻碍磁体下落的安培力随之增大，当作用在磁体上的反作用力大到和重力平衡时，磁体即达到匀速直线下落。每隔相同距离固定霍尔元件和发光二极管，通过霍尔元件发生霍尔效应，即给二极管一个低电位，二极管发光，同时STM32最小系统进行ADC采样，得到通过该段距离的速度，从而方便的获取磁体的磁矩以及金属管的电导率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
-
Search Results
2
records
(took 0.021 seconds)
